型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的TC1106是GaAs偽晶高電子遷移率晶體管（PHEMT）芯片具有非常低的噪聲系數(shù)和高的相關(guān)增益。該設(shè)備最多可用于50個(gè)電路GHz，適用于低噪聲應(yīng)用。所有設(shè)備都經(jīng)過(guò)100%直流測(cè)試，以確保質(zhì)量一致。所有焊盤(pán)鍍金，用于熱壓或熱聲波引線(xiàn)接合。
型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo
型號(hào) TC1106
名稱(chēng) 砷化鎵HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 Chip
型號(hào)參數(shù)
低噪聲系數(shù)：NF=0.35 dB典型頻率為12 GHz
高相關(guān)增益：Ga=14.5 dB，典型頻率為12 GHz
LLg=0.15μm，Wg=160μm
全金金屬化，實(shí)現(xiàn)高可靠性
嚴(yán)密的Vp范圍控制
高射頻輸入功率處理能力
1100%直流測(cè)試
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