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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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FHX35LGT 超低噪聲HEMT

型號(hào): FHX35LGT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) FHX35LGT
  • 名稱 砷化鎵HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 LG

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FHX35LGT

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FHX35LG和FHX35LP是一種高電子遷移率晶體管(HEMT)用于一般用途,2到18GHz頻率范圍。該設(shè)備包裝成本低寄生、密封(LG)或環(huán)氧樹脂密封(LP)金屬陶瓷用于大容量電信、DBS、TVRO、VSAT或其他低噪聲應(yīng)用。

 

型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    FHX35LGT
名稱                    砷化鎵HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    LG
 

型號(hào)參數(shù)
低噪聲系數(shù):1.2dB(典型值)@f=12GHz
高相關(guān)增益:10.0dB(典型值)@f=12GHz
Lg≤0.25um,Wg=280um
實(shí)現(xiàn)高可靠性的金門金屬化
經(jīng)濟(jì)高效的陶瓷微帶(SMT)封裝
可提供磁帶和卷軸包裝


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