SGNL005Z2K-R 5.0GHz高功率GaN HEMT

GaN HEMT 晶體管

型號： SGNL005Z2K-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGNL005Z2K-R
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGNL005Z2K-R提供高DC的效率、匹配的容易性和更大的一致性5.0GHz雷達應用，50V操作。SGNL005Z2K-R為適用于寬帶應用。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGNL005Z2K-R
名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 DFN

型號參數(shù)
用于直流至5.0GHz的高功率GaN HEMT
高功率：6.7W@5.0GHz
高效率：52%@5.0GHz
DFN塑料包裝

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