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SGCA100M1H DC-4GHz高功率GaN HEMT

型號: SGCA100M1H

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 SGCA100M1H
  • 名稱 GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 DFN

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGCA100M1H  

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT SGCA100M1H提供高功率,高效、易于匹配和DC更大的一致性4GHz高功率應(yīng)用,50V操作。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    SGCA100M1H
名稱                    GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    DFN
 

型號參數(shù)
用于直流至4GHz的高功率GaN HEMT
高功率:110W@3.9GHz
高效率:48%@3.9GHz
CW可操作
輸入預(yù)匹配3.9GHz
小型無法蘭封裝


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