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FLM1011-12F/101 X、 Ku波段內(nèi)部匹配FET

FET
型號: FLM1011-12F/101

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FLM1011-12F/101
  • 名稱 IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 lB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM1011-12F/101

型號簡介
Sumitomo的FLM1011-12F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標準通信頻帶,以在50歐姆系統(tǒng)Eudyna嚴格的質(zhì)量保證計劃確保可靠性和一致的性能。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLM1011-12F/101
名稱                    IMFET GaAs 砷化鎵IMFET
產(chǎn)地                    日本
封裝                    lB
 

型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB B40.5dBm(型號)
高增益:G1dB B6.0dB(類型)
高PAE:η加p25%(類型)
低IM3=-45dbc@po=29.5dBm
寬帶:10.7至11.7GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50?
密封


相關型號
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FLM1011-12F/101
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