FLU10ZMTE1 L波段中高功率GaAs FET

FET GaAs L波段

型號(hào)： FLU10ZMTE1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) FLU10ZMTE1
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 ME

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FLU10ZME1是為基站和CPE設(shè)計(jì)的GaAs FET高達(dá)4.0GHz頻率范圍的應(yīng)用。這是一個(gè)新產(chǎn)品使用經(jīng)過優(yōu)化的塑料表面安裝封裝的系列用于高容量成本驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用程序。SUMITOMO嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確?？煽啃院鸵恢碌男阅?。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) FLU10ZMTE1
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 ME

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率：P1dB=29.5dBm（典型值）
高增益：G1dB=13.0dB（典型值）
低成本塑料（SMT）封裝
提供磁帶和卷軸

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