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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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FLU10ZME1 L波段中高功率GaAs FET

型號(hào): FLU10ZME1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) FLU10ZME1
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 ZME

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLU10ZME1 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FLU10ZME1是為基站和CPE設(shè)計(jì)的GaAs FET高達(dá)4.0GHz頻率范圍的應(yīng)用。這是一個(gè)新產(chǎn)品使用經(jīng)過(guò)優(yōu)化的塑料表面安裝封裝的系列用于高容量成本驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用程序。SUMITOMO嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保可靠性和一致的性能。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    FLU10ZME1
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    ZME
 

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率:P1dB=29.5dBm(典型值)
高增益:G1dB=13.0dB(典型值)
低成本塑料(SMT)封裝
提供磁帶和卷軸


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