FLM7785-6F C波段內(nèi)部匹配 FET

C波段 FET

型號： FLM7785-6F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 FLM7785-6F
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 lB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FLM7785-6F是一種功率GaAs FET，內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶，以在50歐姆系統(tǒng)。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計劃確?？煽啃院鸵恢碌男阅?。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FLM7785-6F
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 lB

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB B38.5dBm（類型）
高增益：G1dB B8.5dB（類型）
高PAE：η加p31%（類型）
低IM3=-46dbc@po=27.5dBm
寬帶：7.7至8.5GHz
阻抗匹配鋅/鹽，50?
密封

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立年電子科技

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