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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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FLM1213-6F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET

型號(hào): FLM1213-6F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) FLM1213-6F
  • 名稱(chēng) High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IA

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM1213-6F

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FLM1213-6F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配提供最佳功率和增益的標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶在50歐姆的系統(tǒng)中。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保可靠性和一致的性能。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    FLM1213-6F
名稱(chēng)                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                     IA
 

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率:P1dB=37.5dBm(類(lèi)型)
高增益:G1dB=7.0dB(類(lèi)型)
高PAE:ηadd=27%(類(lèi)型)
低IM3=-46dBc(類(lèi)型)@Po=26.5dBm
寬帶:12.7至13.2GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50歐姆
密封包裝


相關(guān)型號(hào)
FLM7185-6F
FLM7179-18F
FLM7185-12F
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