FLM1011-6F X、Ku波段內(nèi)部匹配 FET

FET GaAs

型號(hào)： FLM1011-6F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) FLM1011-6F
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 IA

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡介
Sumitomo的FLM1011-6F是一種功率GaAs FET，內(nèi)部匹配提供最佳功率和增益的標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶在50歐姆的系統(tǒng)中。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保可靠性和一致的性能。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) FLM1011-6F
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 IA

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率：P1dB B37.5dBm（類型）
高增益：G1dB B7.5dB（類型）
高PAE：η加p28%（類型）
低IM3=-45dbc@po=25dBm
寬帶：10.7至11.7GHz
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密封

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