FLM7179-4F C波段內(nèi)部匹配 FET

FET GaAs

型號： FLM7179-4F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 FLM7179-4F
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產(chǎn)地日本
封裝 IB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FLM7179-4F是一種功率GaAs FET，內(nèi)部匹配標準通信頻帶，以在50歐姆系統(tǒng)。SEDI嚴格的質(zhì)量保證計劃確保可靠性和一致的性能。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FLM7179-4F
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產(chǎn)地日本
封裝 IB

型號參數(shù)
高輸出功率：P1dB B36.5dBm（型號）
高增益：G1dB B9.0dB（類型）
高PAE：hadd p35%（類型）
低IM3=-46dbc@po=25.5dBm
寬帶：7.1至7.9GHz
阻抗匹配鋅/鹽，50歐姆
密封包裝

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