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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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FLM5964-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET

型號(hào): FLM5964-6F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) FLM5964-6F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 lB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM5964-6F 

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FLM5964-6F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶,以在50歐姆系統(tǒng)。SEDI嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保可靠性和一致的性能。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    FLM5964-6F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    lB
 

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率:P1dB b38.5dBm(型號(hào))
高增益:G1dB E10.0dB(類型)
高PAE:hadd p37%(類型)
低IM3=-46dbc@po=27.5dBm
寬帶:5.9至6.4GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50歐姆
密封包裝


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