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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ELM7785-10F C波段 內(nèi)部匹配 FET

型號(hào): ELM7785-10F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) ELM7785-10F
  • 名稱(chēng) High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 lK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ELM7785-10F

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的ELM7785-10F是一種功率GaAs FET內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶以在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。SEDI嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保最高的可靠性和一致的性能。

 

型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    ELM7785-10F
名稱(chēng)                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    lK


型號(hào)參數(shù)
高輸出功率:P1dB=40.5dBm(典型值)
高增益:G1dB=8.5dB(典型值)
高P.A.E.:ηadd=37%(典型值)
寬帶:7.7-8.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包裝


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