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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FLM1314-18F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET

型號(hào): FLM1314-18F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) FLM1314-18F
  • 名稱 日本
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IB

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM1314-18F

型號(hào)簡介
Sumitomo的FLM1314-18F是一種內(nèi)部匹配的功率GaAs FET用于標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶,以提供最佳功率和50歐姆系統(tǒng)中的增益。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    FLM1314-18F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IB


型號(hào)參數(shù)
高輸出功率:P1dB=42.5dBm(典型值)
高增益:G1dB=6.0dB(典型值)
高PAE:ηadd=27%(典型值)
寬帶:13.75至14.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝


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