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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FLM5359-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET

型號: FLM5359-45F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FLM5359-45F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 lK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM5359-45F

型號簡介
Sumitomo的FLM5359-45F是一種內(nèi)部匹配的功率GaAs FET用于標(biāo)準通信頻帶,以提供最佳功率和50歐姆系統(tǒng)中的增益。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLM5359-45F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    lK


型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB=46.5dBm(典型值)
高增益:G1dB=8.5dB(典型值)
高PAE:hadd=36%(典型值)
寬帶:5.3至5.9GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝


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