--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
- 型號 FLM5972-4F
- 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 IB
--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的FLM5972-4F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶,以在50歐姆系統(tǒng)。SEDI嚴(yán)格的質(zhì)量保證計劃確??煽啃院鸵恢碌男阅?。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 FLM5972-4F
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地 日本
封裝 IB
型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB B36.5dBm(類型)
高增益:G1dB B9.5dB(類型)
高PAE:高達(dá)36%(類型)
低IM3=-45dbc@po=25.5dBm
寬帶:5.9至7.2GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50歐姆
密封包裝
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