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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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FLM5964-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET

型號: FLM5964-4F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Inno
  • 型號 FLM5964-4F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 lK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

FLM5964-4F

型號簡介
Sumitomo的FLM5964-4F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻帶,以在50歐姆系統(tǒng)。SEDI嚴(yán)格的質(zhì)量保證計劃確??煽啃院鸵恢碌男阅?。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLM5964-4F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應(yīng)管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    lK


型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB B36.5dBm(型號)
高增益:G1dB=10.0dB(類型)
高PAE:hadd p37%(類型)
低IM3=-46dbc@po=25.5dBm
寬帶:5.9至6.4GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50歐姆
密封包裝


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