FSU02LG 通用 GaAs FET

FET GaAs

型號(hào)： FSU02LG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) FSU02LG
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 LG*

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的FSU02LG是一種高性能、低噪聲的GaAs FET，設(shè)計(jì)用于PCS/PCN應(yīng)用程序作為2GHz頻帶的驅(qū)動(dòng)器。Eudyna嚴(yán)格的質(zhì)量保證計(jì)劃確保最高可靠性和一致的性能。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) FSU02LG
名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)地日本
封裝 LG*

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率：P1dB=23.0dBm（典型值）@2GHz
高相關(guān)增益：G1dB=17.0dB（典型值）@2GHz
低噪聲系數(shù)：NF=1.5dB（典型值）@f=2GHz
低偏置條件：VDS=3V，20mA
經(jīng)濟(jì)高效的密封微帶封裝
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