SGC9395-300B-R X波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT X波段

型號(hào)： SGC9395-300B-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) SGC9395-300B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡介
Sumitomo的SGC9395-300B-R是一種高功率GaN HEMT與X波段雷達(dá)波段匹配，以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) SGC9395-300B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率：Psat=55.3dBm（典型值）
高增益：Gp=9.3dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=38%（典型值）
頻帶：9.3至9.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝

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