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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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SGN3133-260H-R 雷達(dá)用高壓大功率 GaN HEMT

型號(hào): SGN3133-260H-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) SGN3133-260H-R
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGN3133-260H-R

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT SGN3133-260H-R為50V工作的s波段雷達(dá)應(yīng)用提供了高功率、高效率和更大的一致性。低熱阻允許使用高達(dá)200μsec脈沖寬度的長(zhǎng)脈沖,占空比為10%。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    SGN3133-260H-R
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IK


型號(hào)參數(shù)
高功率:320W(典型)@引腳=22.9W(43.6dBm)
高效率:57%(典型值)@引腳=22.9W(43.6dBm)
寬帶:3.1至3.3 GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω


相關(guān)型號(hào)
SGK5867-30C
SGK5867-100C
SGC7172-120A
SGN3133-260H-R
SGC7172-30A
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