SGC7178-100A C波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

C波段 GaN HEMT

型號： SGC7178-100A

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGC7178-100A
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SGC7178-100A是一款高功率GaN HEMT，內(nèi)部匹配C波段應(yīng)用，可在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC7178-100A
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

型號參數(shù)
高輸出功率：P5dB=50dBm（典型值）
高增益；GL=12dB（典型值）
PAE高；ηadd=36%（典型值）
寬帶；7.1至7.8GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包裝

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