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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SGC5259-400B-R C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

型號(hào): SGC5259-400B-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號(hào) SGC5259-400B-R
  • 名稱(chēng) IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 封裝

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SGC5259-400B-R

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的SGC5259-400B-R是一種高功率GaN HEMT與C波段雷達(dá)波段匹配,以提供最佳功率和增益在50歐姆的系統(tǒng)中。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號(hào)                    SGC5259-400B-R
名稱(chēng)                    IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    IK


型號(hào)參數(shù)
高輸出功率:Psat=57.2dBm(典型值)
高增益:Gp=14.2dB(典型值)
高排水效率:DE=50%(典型值)
寬帶:5.2至5.9GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝


相關(guān)型號(hào)
SGK5867-30C
SGK5867-100C
SGC7172-120A
SGN3133-260H-R
SGC7172-30A
SGC7178-100A
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SGC5259-400B-R
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