SGC8598-200B-R X波段內(nèi)部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT X波段

型號(hào)： SGC8598-200B-R

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號(hào) SGC8598-200B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的SGC8598-200A-R是一種高功率GaN HEMT內(nèi)部匹配用于X波段雷達(dá)波段，以提供50歐姆系統(tǒng)中的最佳功率和增益。

型號(hào)規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號(hào) SGC8598-200B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IK

型號(hào)參數(shù)
高輸出功率：Psat=54.0dBm（典型值）
高增益：Gp=10dB（典型值）
高P.A.E.：PAE=38%（典型值）
寬帶：8.5至9.8GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝

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