SGK1314-30B ku帶內(nèi)部匹配 GaN HEMT

GaN HEMT

型號： SGK1314-30B

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

廠家 Sumitomo Electric Device Innov
型號 SGK1314-30B
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IBK

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的SGK1314-30B是一種高功率GaN HEMT與Ku波段寬VBW應(yīng)用相匹配，并具有良好的IMD偏移頻率高達(dá)250MHz時的性能。

型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGK1314-30B
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
產(chǎn)地日本
封裝 IBK

型號參數(shù)
寬帶：13.75至14.5GHz
高輸出功率：Pout=45dBm（典型值）
出色的IM3，寬偏移頻率：Δf=～250MHz
適用于多載波信號
內(nèi)部匹配
密封包裝

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