型號簡介
Sumitomo的SGC1011-300B-R是一種高功率GaN HEMT內部匹配X波段雷達波段，提供最佳50歐姆系統(tǒng)中的功率和增益。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A.
型號 SGC1011-300B-R
名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地 日本
封裝 IK
型號參數(shù)
高輸出功率：Psat=55.0dBm（典型值）
高增益：Gp=9.0dB（典型值）
高功率附加效率：PAE=37%（典型值）
寬帶：9.8至10.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50歐姆
密封包裝
長脈沖操作*
需要降低Vds和/或低外殼溫度來保持
Tch低于200攝氏度。詳情請聯(lián)系。
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