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ELM7785-60F C波段 內(nèi)部匹配 FET

型號: ELM7785-60F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Inno
  • 型號 ELM7785-60F
  • 名稱 IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ELM7785-60F

型號簡介
Sumitomo的ELM7785-60F是一種功率GaAs FET,內(nèi)部匹配標準通信頻帶,在50Ω系統(tǒng)中提供最佳功率和增益。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    ELM7785-60F  
名稱                    IMFET GaN 氮化鎵場效應晶體管
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號參數(shù)
高輸出功率:P1dB=48.0dBm(典型)
高增益:G1dB=8.0dB(典型值)
高PAE:ηadd=37%(典型值)
寬帶:7.7至8.5GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω
密封包裝


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