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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SG26F30S-D 高壓塑料模GaN HEMT

型號(hào): SG26F30S-D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號(hào) SG26F30S-D
  • 名稱 單路徑設(shè)備
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SG26F30S-D

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、更大具有50V操作的高功率放大器的一致性和寬帶寬,并且給你更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合使用高達(dá)2.8GHz的W-CDMA和LTE設(shè)計(jì)要求,因?yàn)樗峁┝烁咴鲆?、長(zhǎng)期可靠性和易用性。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是微電池的驅(qū)動(dòng)階段和最終階段基站收發(fā)信臺(tái)。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號(hào)                    SG26F30S-D
名稱                    單路徑設(shè)備
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號(hào)參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:46dBm(典型值)@Psat
高效率:60%(典型值)@Psat
功率增益:18.5dB(典型值)@f=2.65GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性


相關(guān)型號(hào)
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