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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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EGN21C030MK 高壓 大功率GaN HEMT

型號(hào): EGN21C030MK

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
  • 型號(hào) EGN21C030MK
  • 名稱(chēng) 高壓-大功率GaN HEMT
  • 產(chǎn)地 日本
  • 封裝 SMT

--- 產(chǎn)品詳情 ---

EGN21C030MK

型號(hào)簡(jiǎn)介
Sumitomo的GaN HEMT EGN21C030MK 提供高效率、易于匹配、更大的一致性以及用于具有50V操作的高功率L波段放大器的寬帶寬,并且給你更高的增益。此新產(chǎn)品非常適合用于2.1GHz W-CDMA和LTE設(shè)計(jì)要求,因?yàn)樗峁┝烁咴鲆妗㈤L(zhǎng)期可靠性和易用性。


型號(hào)規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型號(hào)                    EGN21C030MK
名稱(chēng)                    高壓-大功率GaN HEMT
產(chǎn)地                    日本
封裝                    SMT


型號(hào)參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:45.0dBm(典型值)@Psat
功率增益:19dB(典型值)@f=2.14GHz
經(jīng)驗(yàn)證的可靠性


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