N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結構
N 溝道耗盡型MOSFET 的結構示意圖如圖4-4a所示。耗盡型MOSFET 的符號如圖4-4b 所示。N 溝道耗盡型MOSFET 的結構與增強型MOSFET 結構相似，不同之處在于N 溝道耗盡型MOSFET 在制造過程中在柵源之間的SiO2中注入一些離子(圖中4-9中用“＋”表示)，使漏源之間的導電溝道在Ugs=0 時導電溝道就已經(jīng)存在了，這一溝道稱為初始溝道。因此稱為N溝道耗盡型MOSFET。由于Ugs=0 時就存在初始導電溝道，所以只要加上Uds就能形成漏極電流Id 。
2) N溝道耗盡型MOSFET的特性曲線
N 溝道耗盡型MOSFET的漏極電流可近似表示為
式中。Idss是Ugs=0時的漏極電流。
表4-1 各種場效應管特性比較