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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來(lái)越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)。
利用SiC CJFET替代超結(jié)MOSFET以及開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用
碳化硅(SiC)憑借其優(yōu)異的材料特性,在服務(wù)器、工業(yè)電源等關(guān)鍵領(lǐng)域掀起技術(shù)變革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,從碳化硅如何...
2026-04-24 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源SiC 3.5k 0
拆解安森美11kW矩陣式OBC的實(shí)現(xiàn)路徑
隨著全球電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì)充電效率與架構(gòu)靈活性的要求不斷提升,OBC技術(shù)正迎來(lái)從繁至簡(jiǎn)的變革。為了深度拆解這一前沿趨勢(shì),我們將通過(guò)兩篇系列文章介紹11 kW...
2026-04-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 4k 0
雖然1947年由貝爾實(shí)驗(yàn)室的J.Bardeen、W.H.Brattain和W.Shockley等科學(xué)家發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極型晶體管,而且是在鍺襯底上...
聊個(gè)最基礎(chǔ)也最繞不開(kāi)的拓?fù)洌篋C-DC BUCK。只要你畫(huà)的板子不是指甲蓋大小,供電十有八九靠它。能不能玩轉(zhuǎn)BUCK,直接反映了你對(duì)MOSFET、電感、...
橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS的工作原理和核心應(yīng)用
在這個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的時(shí)代,你的手機(jī)信號(hào)能夠穩(wěn)定覆蓋數(shù)公里,背后的功臣是一個(gè)你可能從未聽(tīng)過(guò)的核心器件——橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體,簡(jiǎn)稱LDMOS。
SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時(shí)間選擇
01SiCMOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無(wú)論是平面柵還是溝槽柵,SiCMOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),其縱向(從漏極到源極)的層狀結(jié)構(gòu)是通用的,如下...
onsemi 2N7002W/2V7002W小信號(hào)N溝道MOSFET深度解析
onsemi 2N7002W/2V7002W小信號(hào)N溝道MOSFET深度解析 在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。...
探索 onsemi BSS138L 和 BVSS138L MOSFET:低電壓應(yīng)用的理想之選
探索 onsemi BSS138L 和 BVSS138L MOSFET:低電壓應(yīng)用的理想之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,選擇合適的 MOSFET 對(duì)于確保電路性能...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET低電壓應(yīng)用onsemi 370 0
Onsemi單P溝道MOSFET BSS84L系列產(chǎn)品解析
Onsemi單P溝道MOSFET BSS84L系列產(chǎn)品解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性...
深入解析 onsemi BSS123LT1G 和 BVSS123LT1G MOSFET
深入解析 onsemi BSS123LT1G 和 BVSS123LT1G MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響...
PC0815/PC0815A 850伏N溝道耗盡模式功率MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2026-04-20 標(biāo)簽:MOSFET 170 0
LEADTECK領(lǐng)泰移動(dòng)電源中MOSFET產(chǎn)品推薦由代理分銷經(jīng)銷一級(jí)代理分銷經(jīng)銷立即下載
類別:電子資料 2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFET移動(dòng)電源 150 0
CS5N90A4R數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-12-27 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 391 0
類別:電子資料 2025-12-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路 483 0
ZK30N100T N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-10-16 標(biāo)簽:MOSFET 234 0
FS8810 ESD保護(hù)的MOSFET技術(shù)手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標(biāo)簽:鋰離子電池MOSFETESD保護(hù) 368 0
FS60N03 N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-09-23 標(biāo)簽:電阻MOSFET封裝 803 0
方正微電子在北京汽車展發(fā)布:車規(guī)主驅(qū)SiC MOSFET累計(jì)出貨量超3000萬(wàn)顆暨G3平臺(tái)新產(chǎn)品重磅發(fā)布
中國(guó).北京,2026年4月26日?– 在2026北京國(guó)際汽車展覽會(huì)期間,深圳方正微電子有限公司聯(lián)合中國(guó)汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟,隆重舉辦“方正微電子車規(guī)...
碳化硅 (SiC) MOSFET模塊 超快短路保護(hù)硬件檢測(cè)方案研究:響應(yīng)時(shí)間壓縮至 1μs 的技術(shù)實(shí)現(xiàn)
碳化硅 (SiC) MOSFET模塊 超快短路保護(hù)硬件檢測(cè)方案研究:響應(yīng)時(shí)間壓縮至 1μs 的技術(shù)實(shí)現(xiàn)與系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)演進(jìn) 引言:寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用中的高頻化...
國(guó)產(chǎn)替代之FDMS4D0N12C與VBGQA1103參數(shù)對(duì)比報(bào)告
N溝道功率MOSFET參數(shù)對(duì)比分析報(bào)告 一、產(chǎn)品概述 FDMS4D0N12C :安森美(onsemi)N溝道功率MOSFET,采用PQFN8 5x6mm...
2026-04-30 標(biāo)簽:MOSFET 993 0
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體SGT MOSFET產(chǎn)品在5G基站電源中的應(yīng)用
5G基站是實(shí)現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無(wú)線終端之間信號(hào)傳輸?shù)暮诵脑O(shè)備,主要包括宏基站和小基站。由于5G通信設(shè)備功耗較大,通常采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整...
瑞斯特半導(dǎo)體AONS66617-RST:高功率密度MOSFET的技術(shù)突破
在電源管理領(lǐng)域,隨著工業(yè)自動(dòng)化、電動(dòng)汽車及儲(chǔ)能系統(tǒng)的快速發(fā)展,對(duì)功率器件的性能要求日益嚴(yán)苛。瑞斯特半導(dǎo)體(RSTTEK)推出的AONS66617-RST...
如何應(yīng)用英飛凌新一代G2 CoolSiC? MOSFET 提升系統(tǒng)效率
CoolSiCMOSFETG21200V系列產(chǎn)品是英飛凌最新推出的SiCMOSFET產(chǎn)品,均采用了擴(kuò)散焊工藝(.XT)來(lái)降低結(jié)殼熱阻。TO247封裝器件...
晶豐明源推出大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC
當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)廣闊發(fā)展機(jī)遇,碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性,已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領(lǐng)域能效升級(jí)的...
空間與性能的雙重突破:瑞斯特半導(dǎo)體 RSTD60C40 雙路 MOSFET 解決方案
在2026年的今天,隨著筆記本電腦、便攜式醫(yī)療設(shè)備及高性能電池供電系統(tǒng)向極致輕薄化演進(jìn),電源管理工程師正面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn):如何在寸土寸金的PCB板上,同...
合科泰肖特基二極管與MOSFET選型實(shí)戰(zhàn)指南
在功率器件選型中,“能用”和“好用”之間,隔著封裝工藝、量產(chǎn)驗(yàn)證和供應(yīng)鏈穩(wěn)定性的三重門檻。許多工程師在項(xiàng)目初期選型時(shí),往往依賴規(guī)格書(shū)參數(shù)或行業(yè)通用型號(hào),...
合科泰SGT MOSFET在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的高頻優(yōu)勢(shì)
電機(jī)驅(qū)動(dòng)技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)高頻化的變革。從電動(dòng)工具到工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備,越來(lái)越多的應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)開(kāi)關(guān)頻率提出了更高要求。高頻化意味著更精細(xì)的電機(jī)控制、更低的運(yùn)行噪...
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