測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過(guò)測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vpeak和電流變化率，利用公式來(lái)計(jì)算雜散電感Lstray；短路法通過(guò)測(cè)量IGBT短路開(kāi)通時(shí)的下降電壓
2025-06-17 09:53:40
2028 
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。
2012-10-11 14:04:332029 柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。
2022-09-29 09:22:493157 前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，雖然今天聊的可能有些重復(fù)，但是感覺(jué)人到中年，最討厭的就是記憶力不夠用，就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 17:38:293811 
階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開(kāi)啟。
2023-07-12 10:47:283228 
階段2(tl—t2)：在t1時(shí)刻，VGE>Vth，溝道開(kāi)啟，電子開(kāi)始通過(guò)溝道注入到基區(qū)，同時(shí)背面的集電極開(kāi)始向基區(qū)內(nèi)注入空穴，集電極開(kāi)始產(chǎn)生電流IC，此時(shí)IC<IL，隨著溝道開(kāi)啟程度的增加，IC逐漸增大。
2023-07-14 15:10:052704 
通過(guò)雙脈沖測(cè)試，可以得到IGBT的各項(xiàng)開(kāi)關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:4216069 
利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（下文簡(jiǎn)稱FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
2023-11-24 16:52:102667 
IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
2024-03-12 10:06:591898 
的作用 1、消除柵極振蕩 絕緣柵器件(IGBT、MOSFET)的柵射（或柵源）極之間是容性結(jié)構(gòu)，柵極回路的寄生電感又是不可避免的，如果沒(méi)有柵極電阻，那柵極回路在驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)脈沖的激勵(lì)下要產(chǎn)生很強(qiáng)
2012-07-25 09:49:08
總結(jié)一些設(shè)計(jì)法則?！ ?b class="flag-6" style="color: red">柵極電阻：其目的是改善控制脈沖上升沿和下降沿的斜率，并且防止寄生電感與電容振蕩，限制IGBT集電極電壓的尖脈沖值。 柵極電阻值小——充放電較快，能減小開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗，增強(qiáng)工作
2011-08-17 09:26:02
過(guò)程是否有電壓尖峰，評(píng)估實(shí)際應(yīng)用是否需要吸收電路；5、評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量；6、測(cè)量母排的雜散
電感；
雙脈沖測(cè)試原理圖1
雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的電路及理想波形
IGBT雙脈沖測(cè)試的實(shí)測(cè)電路及電路拓?fù)?/div>
2019-09-11 09:49:33
各位好，想請(qǐng)教下雙脈沖測(cè)試的幾個(gè)參數(shù)問(wèn)題。項(xiàng)目所用IGBT是1200V 75A的單管，開(kāi)關(guān)頻率4kHz。初次接觸雙脈沖測(cè)試，有幾個(gè)疑問(wèn)：（1）測(cè)試時(shí)的最大電流是按額定75A來(lái)，還是150A
2019-11-06 20:47:30
IGBT柵極的下拉電阻要靠近柵極放置，作用是給IGBT寄生電容Cge放電，那么這個(gè)電阻一般選擇多大？
IGBT的柵極加一個(gè)穩(wěn)壓二極管，是為了防止寄生電容Cgc在IGBT關(guān)斷的時(shí)候（集電極電壓耦合
2024-06-16 22:09:24
相當(dāng)于一個(gè)RLC串聯(lián)回路，其中：Rg為驅(qū)動(dòng)電阻Rg,ext和內(nèi)部電阻Rg,int之和；Cg為IGBT輸入電容Cies，門極電容Gge和米勒電容Cgc之和；Lg為門極驅(qū)動(dòng)回路的寄生電感Ls1。數(shù)學(xué)可描述為
2021-04-26 21:33:10
https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容：— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測(cè)試雙脈沖測(cè)試步驟— 六并聯(lián)短路測(cè)試講師PPT見(jiàn)附件。
2020-06-28 11:21:33
和發(fā)射極的過(guò)壓/過(guò)流和柵極的過(guò)壓/過(guò)流引起。 IGBT失效機(jī)理：IGBT由于上述原因發(fā)生短路，將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流——在關(guān)斷時(shí)電流變化率di/dt過(guò)大。漏感及引線電感的存在，將導(dǎo)致IGBT集電極
2020-09-29 17:08:58
的重要性。此外，對(duì)于并聯(lián)IGBT而言，柵極電阻Rg 和柵極與發(fā)射極之間電容Cge (如果需要)的容差應(yīng)當(dāng)盡可能低。 圖5 測(cè)量示意圖 圖6 波形對(duì)比3.1.2 雜散電感Lδ建議把柵極電阻分成2/3部分
2018-12-03 13:50:08
依賴應(yīng)用條件，例如柵極電阻、驅(qū)動(dòng)電路、芯片結(jié)溫、母線電壓及集電極電流等?！ ∫虼?，工程師一般會(huì)通過(guò)實(shí)際測(cè)試獲取應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損耗，不知道測(cè)試方法的同學(xué)往前翻一翻雙脈沖測(cè)試方法?！ ×硗猓线厧讉€(gè)時(shí)間參數(shù)
2021-02-23 16:33:11
散電感，尤其高頻使用時(shí)更重要?！ 、?在連接器件時(shí)，連接模塊的母線排不能給模塊主端子電極造成過(guò)大的機(jī)械和熱應(yīng)力，以免模塊電極的內(nèi)部焊接斷裂或電極端子發(fā)熱在模塊上產(chǎn)生過(guò)熱?！ ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT散熱器是絕緣柵雙極
2012-06-19 11:20:34
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系？為什么？
2023-03-16 11:37:09
了一種獨(dú)特但簡(jiǎn)單的柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路，為快速開(kāi)關(guān)HPA提供了另一種方法，同時(shí)消除了與漏極開(kāi)關(guān)有關(guān)的電路。實(shí)測(cè)切換時(shí)間小于200 ns，相對(duì)于1 s的目標(biāo)還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
的Eon2測(cè)試電路如圖2所示。IGBT通過(guò)兩個(gè)脈沖進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換來(lái)測(cè)量Eon。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測(cè)試電流，然后第二個(gè)脈沖會(huì)測(cè)量測(cè)試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。在硬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)
2018-08-27 20:50:45
。IGBT通過(guò)兩個(gè)脈沖進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換來(lái)測(cè)量Eon。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測(cè)試電流，然后第二個(gè)脈沖會(huì)測(cè)量測(cè)試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。在硬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)電壓和阻抗以及整流二極管
2021-06-16 09:21:55
。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測(cè)試電流，然后第二個(gè)脈沖會(huì)測(cè)量測(cè)試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。在硬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)電壓和阻抗以及整流二極管的恢復(fù)特性決定了Eon開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)于像傳統(tǒng)
2018-09-28 14:14:34
IGBT在matlab仿真中柵極怎么連接？為什么我畫的IGBT的柵極和電源、PWM連接不上？
2018-11-15 13:26:27
`一、實(shí)驗(yàn)儀器及硬件1、羅氏線圈電流探頭：2、多通道示波器及高壓差分探頭：3、手工繞制的空心電感：二、雙脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)臺(tái)但是對(duì)于開(kāi)發(fā)電力電子裝置的工程師，無(wú)須專門搭建測(cè)試平臺(tái)，直接使用正在開(kāi)發(fā)中
2021-05-17 09:49:24
與二極管恢復(fù)相關(guān)的硬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通能耗，可通過(guò)恢復(fù)與IGBT組合封裝的二極管相同的二極管來(lái)測(cè)量，典型的Eon2測(cè)試電路如圖2所示。IGBT通過(guò)兩個(gè)脈沖進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換來(lái)測(cè)量Eon。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致
2017-04-15 15:48:51
【推薦】雙脈沖測(cè)量解決方案 現(xiàn)在在越來(lái)越多的功率器件測(cè)量中比如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣門雙極晶體管(IGBT)，這些功率器件提供了快速開(kāi)關(guān)速度，能夠耐受沒(méi)有規(guī)律的電壓峰值，被廣泛應(yīng)用于電源
2020-02-14 11:16:06
如圖2所示。IGBT通過(guò)兩個(gè)脈沖進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換來(lái)測(cè)量Eon。第一個(gè)脈沖將增大電感電流以達(dá)致所需的測(cè)試電流，然后第二個(gè)脈沖會(huì)測(cè)量測(cè)試電流在二極管上恢復(fù)的Eon損耗。在硬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的情況下，柵極驅(qū)動(dòng)電壓和阻抗
2019-03-06 06:30:00
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣
柵極雙極型晶體管 (
IGBT)
柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)?，從單一變壓器生成用于三相逆變?/div>
2015-04-27 16:55:43
柵極驅(qū)動(dòng)器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過(guò)具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動(dòng)器供電可針對(duì)反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動(dòng)器輸入可選擇通過(guò)如下方式評(píng)估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動(dòng)器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
描述PMP10654 參考設(shè)計(jì)是適用于單個(gè) IGBT 驅(qū)動(dòng)器偏置的雙路隔離式輸出 Fly-Buck 電源模塊。兩個(gè)電壓軌適合向電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車和工業(yè)應(yīng)用的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器
2018-12-21 15:06:17
描述對(duì)于具有較高輸出額定功率的電源轉(zhuǎn)換設(shè)備而言，并聯(lián) IGBT 變得很有必要，因?yàn)樵谶@類應(yīng)用中，單個(gè) IGBT 無(wú)法提供所需的負(fù)載電流。此 TI 設(shè)計(jì)采用一個(gè)增強(qiáng)型隔離式 IGBT 柵極控制模塊來(lái)
2018-12-07 14:05:13
大功率MOSFET、IGBT怎么雙脈沖測(cè)試，調(diào)門極電阻，急!急!急!急!急!急!
2021-02-24 17:38:39
我想為感應(yīng)電機(jī)速度控制制作 3ph 逆變器我不明白如何使用 stm32f407 迪斯科板定時(shí)器只有 4 通道用 PWM 生成 6igbt 門脈沖。
2023-01-03 07:30:44
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
彩色電視機(jī)行輸出電路原理的維修人員，該電路的原理可謂一目了然。圖2-26圖2-26 功率變換器及諧振波形t 1 ～ t 2 期間，高電平激勵(lì)脈沖加至IGBT的柵極使它飽和導(dǎo)通，300V電壓通過(guò)L2
2023-02-03 17:01:43
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來(lái)操作感性開(kāi)關(guān)負(fù)載。開(kāi)關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
目前查了資料，有個(gè)預(yù)想用IGBT H 橋控制一個(gè)DC220V 50A的電感，用SG3525做PWM波形發(fā)生器，用專用芯片TL250驅(qū)動(dòng)IGBT，因?yàn)閹У脑榇?b class="flag-6" style="color: red">電感原件，通DC220V電源，電流50A，我查很多資料都有電感和脈沖變壓器，我想問(wèn)問(wèn)這個(gè)設(shè)計(jì)里面不用電感和脈沖變壓器可以不？先求證一下，
2015-11-14 21:46:10
本帖最后由 張飛電子學(xué)院郭嘉 于 2021-2-25 14:58 編輯
雙脈沖測(cè)試方法的意義（1） 對(duì)比不同的IGBT 的參數(shù) ， 例如同 一 品牌的不同系列的產(chǎn)品的參數(shù)，或者是不同品牌
2021-02-25 10:43:27
信號(hào)3、泰克示波器MSO5運(yùn)行IGBT town 軟件進(jìn)行設(shè)定和自動(dòng)測(cè)試三、測(cè)試說(shuō)明：采用雙脈沖法,用信號(hào)發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數(shù)為2次,示波器采用單次觸發(fā)。采用MSO58功率
2021-05-20 11:17:57
電阻 為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小IGBT集電極的電壓尖峰，應(yīng)在IGBT柵極串上合適的電阻Rg。當(dāng)Rg增大時(shí)，IGBT導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，損耗發(fā)熱加劇;Rg減小時(shí)，di/dt增高，可能產(chǎn)生
2016-11-28 23:45:03
電阻 為改變控制脈沖的前后沿陡度和防止震蕩，減小IGBT集電極的電壓尖峰，應(yīng)在IGBT柵極串上合適的電阻Rg。當(dāng)Rg增大時(shí)，IGBT導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，損耗發(fā)熱加劇;Rg減小時(shí)，di/dt增高，可能產(chǎn)生
2016-10-15 22:47:06
描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色? 隔離型
2018-09-06 09:07:35
`描述此參考設(shè)計(jì)在單個(gè) 24 伏直流輸入電源中提供絕緣
柵極雙極型晶體管 (
IGBT)
柵極驅(qū)動(dòng)器所需的隔離式正負(fù)電壓軌。此參考設(shè)計(jì)采用 Fly-Buck? 控制拓?fù)?，從單一變壓器生成用于三相逆變?/div>
2015-03-23 14:53:06
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開(kāi)關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT 應(yīng)用中的關(guān)鍵問(wèn)題。本文闡明構(gòu)成IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)電路的注意事項(xiàng)，基本電路參數(shù)的選擇原則，還介紹丁幾種驅(qū)動(dòng)電路實(shí)例。
2010-08-31 16:33:41
219 全橋型IGBT脈沖激光電源
摘要：文章介紹高壓氙燈設(shè)計(jì)的IGBT脈沖式激光電源，詳細(xì)闡述了工作原理、設(shè)計(jì)方法和仿真過(guò)程，并給出實(shí)驗(yàn)波形。其主電路
2009-07-27 08:41:101382 
IGBT絕緣柵極雙極晶體管過(guò)壓保護(hù)電路
IGBT的柵極過(guò)壓的
2010-02-17 17:13:012144 
利用silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行了仿真，在同一電流密度下提取了不同柵極寬度IGBT的通態(tài)壓降，得到了通態(tài)壓降隨柵極寬度變化的曲線，該仿真結(jié)果與理論分析一致。對(duì)于相同的元
2011-12-05 15:28:5431 文章介紹高壓氙燈設(shè)計(jì)的 IGBT 脈沖式激光電源，詳細(xì)闡述了工作原理、設(shè)計(jì)方法和仿真過(guò)程，并給出實(shí)驗(yàn)波形。其主電路采用全橋 PWM 工作方式，該電源具有很高的可靠性和良好的動(dòng)態(tài)
2011-12-19 13:42:14101 提出了一種基于IGBT的高壓脈沖電源，系統(tǒng)由能源系統(tǒng)和脈沖產(chǎn)生回路構(gòu)成，由單片機(jī)來(lái)控制IGBT的觸發(fā)，其設(shè)計(jì)輸出為方波，電壓幅值在50 100 kV可調(diào)，脈沖寬度在l～10 s可調(diào)，頻率在1～
2011-12-19 14:04:33125 全橋型IGBT脈沖激光電源電路V1—V4組成橋式逆變器，兩端并聯(lián)RCD吸收支路，L為限流電感，Co為儲(chǔ)能電容.
2011-12-19 14:44:262675 
IGBT的雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)-Micro_Grid，歡迎加入技術(shù)交流QQ群：電力電子技術(shù)與新能源 905724684，關(guān)注微信公眾號(hào)：電力電子技術(shù)與新能源（Micro_Grid）
2019-06-29 09:40:5357600 
IGBT的驅(qū)動(dòng)電路必須具備兩種功能：一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電位隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電位隔離可以采用脈沖變壓器、微分變壓器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0017555 
MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 對(duì)雙脈沖測(cè)試的原理、參數(shù)解析、注意事項(xiàng)、測(cè)試意義等進(jìn)行詳細(xì)介紹分析
2022-05-05 16:34:0936 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2022-11-15 19:51:248 ；若發(fā)雙脈沖到IGBT模塊上管，則下管截止。 當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí)，電容池給空心電感充電；當(dāng)下管截止時(shí)，空心電感與上管的二極管構(gòu)成回路并續(xù)流。 二、短路測(cè)試。 仍然使用雙脈沖測(cè)試的框圖。 有兩種短路測(cè)試方法： 1
2023-02-22 15:16:184 ； IGBT關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰是否合適，關(guān)斷之后是否存在不合適的震蕩； IGBT開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間； 測(cè)量母線的雜散電感。（二）IGBT雙脈沖測(cè)試的原理 所謂IGBT雙脈沖測(cè)試就是 上管持續(xù)關(guān)斷 、 下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2023-02-22 15:07:1519 開(kāi)通特性測(cè)試采用雙脈沖測(cè)試法。由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出漏極電壓VDD值到被測(cè)器件的測(cè)試要求值（一般為被測(cè)器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGS到測(cè)試要求值，計(jì)算機(jī)控制接通開(kāi)關(guān)S1,并控制輸出被
測(cè)雙
2023-02-22 14:43:331 用的，只能當(dāng)做參考使用。
描述IGBT主要參數(shù)包括：ton，toff，Eon，Eoff，Isc，Irr，二極管的di/dt等。
要觀測(cè)這些參數(shù)，最有效的方法就是‘雙脈沖測(cè)試法’。
2023-02-22 14:25:005 ??在LTspice中沒(méi)有
雙脈沖波形發(fā)生器，要做一個(gè)
雙脈沖的波形只能用電壓源來(lái)進(jìn)行特殊設(shè)置，不是很方便，為此我寫了一個(gè)
雙脈沖波形發(fā)生器，有需要的可以下載。
雙脈沖波形發(fā)生器?！ ∪缦拢撛骷梢?/div>
2023-02-23 15:47:208 該信號(hào)發(fā)生器主要用于IGBT單脈沖、雙脈沖、短路測(cè)試發(fā)波控制，使用單USB口連接，集成供電、發(fā)波控制、程序升級(jí)于一體，
上位機(jī)串口發(fā)波控制，可靈活控制發(fā)送1~200uS波形，最小精度1uS，同時(shí)提供+5V和+15V兩種電平方便匹配不同驅(qū)動(dòng)板，上位機(jī)
控制方便易上手配置簡(jiǎn)單。
2023-02-23 15:30:085 IGBT雙脈沖測(cè)試matlab仿真模型，電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)測(cè)試驗(yàn)證，學(xué)習(xí)驗(yàn)證igbt開(kāi)關(guān)特性.附贈(zèng)大廠資深工程師總結(jié)的雙脈沖測(cè)試驗(yàn)證資料，全部是實(shí)際項(xiàng)目總結(jié)。 鏈接：提取碼：fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5731 什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被
2022-05-26 09:52:273761 
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。
2023-07-12 15:55:151336 
階段1(0—t1)：在此階段，柵極電流開(kāi)始對(duì)柵電容CGE充電，但是VGE<Vth，溝道未開(kāi)啟。
2023-07-13 16:53:201466 
了性能各異的IGBT產(chǎn)品。為了優(yōu)化和驗(yàn)證組件性能以及對(duì)不同IGBT的性能驗(yàn)證，我們引入了雙脈沖測(cè)試方法，借此工具我們可以實(shí)現(xiàn)以下具體功能:
2023-09-15 10:09:322891 
IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？
2023-09-16 08:32:135359 雙脈沖試驗(yàn)及注意事項(xiàng)對(duì)于電力電子工程師來(lái)說(shuō)，功率元件是我們的設(shè)計(jì)對(duì)象，而IGBT由于其優(yōu)良的特性被廣泛應(yīng)用于功率元件。功率元件的效率、保護(hù)功能、EMC等性能與IGBT的應(yīng)用設(shè)計(jì)密切相關(guān)
2023-10-13 10:34:334422 
igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件 igbt的柵極驅(qū)動(dòng)條件對(duì)其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開(kāi)關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個(gè)PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:141900 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《柵極寬度對(duì)IGBT通態(tài)壓降的影響.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-25 10:45:410 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能；
獲取IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程的參數(shù)；
評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適；
開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的震蕩；
2023-11-10 09:12:328494 
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 14:48:251728 
IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，關(guān)鍵元件該怎么選？
2023-11-30 18:02:381181 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用基于三相絕緣柵極雙極性晶體管 (IGBT)的逆變器應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 11:05:315 IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流能力的輸出信號(hào)。在工業(yè)控制和電源應(yīng)用中
2024-02-20 11:00:571562 柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，主要用于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的操作。它通過(guò)將控制器輸出
2024-07-19 17:15:2724573 柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，其主要功能在于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠更好地控制這些半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的操作。柵極驅(qū)動(dòng)器通過(guò)
2024-07-24 16:15:272144 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件，其性能和可靠性在很大程度上取決于柵極電阻的選擇。如果IGBT的柵極電阻過(guò)小，可能會(huì)對(duì)器件的性能和可靠性產(chǎn)生不良影響。 IGBT柵極
2024-07-25 10:34:152195 柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管（BJT）優(yōu)點(diǎn)于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降。IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)是其正常工作的關(guān)鍵，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷都依賴于柵極電壓。 二、
2024-07-25 10:48:102970 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用中，柵極和集電極并聯(lián)電容是一種常見(jiàn)
2024-08-07 15:33:595020 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù)，如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗等； 2、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲得功率組件設(shè)計(jì)中濾波電容、吸收電容
2025-01-27 18:10:002623 
是否過(guò)關(guān)，雙脈沖測(cè)試（Double Pulse Test）成為了一項(xiàng)重要的測(cè)試手段。本文將詳細(xì)介紹IGBT雙脈沖測(cè)試的原理、意義、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、測(cè)試步驟以及數(shù)據(jù)分析，以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003196 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT雙脈沖測(cè)試方法的意義： 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù)； 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能； 3.獲取IGBT在開(kāi)通、關(guān)斷過(guò)程的主要參數(shù)，以評(píng)估Rgon
2025-01-28 15:44:008855 
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