PD快充/氮化鎵充電器高壓輸入端電容如何兼顧小體積、大容值與低ESR？——永銘液態(tài)鋁電解電容應(yīng)用方案

在PD快充與氮化鎵（GaN）充電器設(shè)計(jì)中，高壓輸入端液態(tài)鋁電解電容，通常位于整流后的高壓母線側(cè)，承擔(dān)輸入儲(chǔ)能、紋波吸收與電壓穩(wěn)定的重要作用。隨著充電器向...

2026-04-10 標(biāo)簽：充電器電解電容氮化鎵 2.2k 0

1700V氮化鎵在多路輸出反激電源中的應(yīng)用

在多路輸出反激式電源中，如果希望每一路輸出都具備良好的調(diào)節(jié)精度，最常見的做法，是在反激級(jí)之后增加DC-DC后級(jí)穩(wěn)壓器。

2026-01-26 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器氮化鎵反激電源 5.7k 0

主要氮化鎵封裝技術(shù)介紹

氮化鎵（GaN）作為一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其高電子遷移率和高擊穿電場(chǎng)等優(yōu)異特性，已在5G通信基站、數(shù)據(jù)中心電源及消費(fèi)電子快充等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)...

2026-01-14 標(biāo)簽：封裝技術(shù)氮化鎵GaN 6.5k 0

芯導(dǎo)科技GaN器件的發(fā)展與演進(jìn)

在文章"提升開關(guān)頻率（一） 芯導(dǎo)科技MOSFET工藝結(jié)構(gòu)的發(fā)展與演進(jìn)"中，我們介紹了芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品針對(duì)高頻需求的工藝發(fā)展路線。

2026-01-14 標(biāo)簽：氮化鎵GaN芯導(dǎo)科技 5.1k 0

深圳爭(zhēng)妍微電子《快恢復(fù)二極管反向恢復(fù)時(shí)間（trr）選型核心：從25ns到500ns，不同應(yīng)用場(chǎng)景匹配技巧》

快恢復(fù)二極管（FRD）作為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵器件，其反向恢復(fù)時(shí)間（trr）直接決定電路開關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）水平及系統(tǒng)效率，是高頻功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中選...

2025-12-24 標(biāo)簽：可控硅快恢復(fù)二極管SiC 6.3k 0

六邊形戰(zhàn)士——氮化鎵

產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性...

2025-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 6.5k 0

案例分析：米物140W 3C1A智顯秒充氮化鎵充電器CA514 Pro

前言最近充電頭網(wǎng)拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro，其配置有3C1A四個(gè)接口，不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出，還支...

2025-12-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 6.9k 0

30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案

30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得...

2025-11-28 標(biāo)簽：電壓氮化鎵認(rèn)證 7.3k 0

德州儀器集成驅(qū)動(dòng)器的GaN功率級(jí)產(chǎn)品介紹

今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應(yīng)用場(chǎng)景中的主角。

2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.5萬 0

透射電鏡在氮化鎵器件研發(fā)中的關(guān)鍵作用分析

在半導(dǎo)體材料的研究領(lǐng)域中，透射電子顯微鏡（TEM）已成為一種不可或缺的分析工具。它能夠讓我們直接觀察到氮化鎵（GaN）外延片中原子級(jí)別的排列細(xì)節(jié)——這種...

2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵透射電鏡 8.1k 0

碳化硅 VS 氮化鎵：第三代半導(dǎo)體的“雙雄對(duì)決”

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體，正憑借更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率，逐步取代傳統(tǒng)硅器件，成為電源系統(tǒng)的“新引擎”。然...

2026-04-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 736 0

從替代到必需：氮化鎵正在重寫電源系統(tǒng)的“游戲規(guī)則”

如果你留意過這兩年手機(jī)充電器的變化，會(huì)發(fā)現(xiàn)它們?cè)絹碓叫　⒃絹碓捷p，但充電速度卻越來越快。背后的“功臣”，就是氮化鎵。這項(xiàng)曾被視作硅的“備胎”的材料，如今...

2026-04-20 標(biāo)簽：充電器氮化鎵電源系統(tǒng) 1.8k 0

深圳爭(zhēng)妍微電子亮相成都雙展，深化西南布局，共謀產(chǎn)業(yè)合作

深圳爭(zhēng)妍微電子亮相成都雙展，深化西南布局，共謀產(chǎn)業(yè)合作

2026-04-20 標(biāo)簽：三極管二極管MOSFET 1.7k 0

捷捷微×羅格朗：一顆8.6mΩ的JMTQ60N04B，如何撐起27W氮化鎵快充面板？

隨著全屋智能與便捷充電需求的日益增長，墻上的86面板正經(jīng)歷著一場(chǎng)深刻的技術(shù)變革。傳統(tǒng)的USB插座因充電速度慢、兼容性差，已難以滿足當(dāng)下消費(fèi)者對(duì)“快充”的...

2026-04-17 標(biāo)簽：氮化鎵快充捷捷微電 1.8k 0

智創(chuàng)無界，芯向未來：深圳爭(zhēng)妍微參與2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)

2026 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)暨 2025 年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商-電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌頒獎(jiǎng)盛典圓滿舉行，深圳爭(zhēng)妍微電子有限公司亮相展會(huì)并斬獲...

2026-04-11 標(biāo)簽：MOSFET可控硅IGBT 4k 0

意法半導(dǎo)體推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件

從快充充電器到工業(yè)自動(dòng)化，氮化鎵正成為高功率密度電源設(shè)計(jì)的核心選擇。意法半導(dǎo)體近日推出四款全新VIPERGAN氮化鎵功率器件，持續(xù)推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在更廣闊...

2026-04-11 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 3.3k 0

機(jī)器人新型電驅(qū)動(dòng)技術(shù)：GaN技術(shù)引爆“動(dòng)力革命”，單臺(tái)用量將破千顆

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，隨著人形機(jī)器人從“能動(dòng)”向“靈巧”跨越，其設(shè)計(jì)面臨著極高的空間約束與性能要求。面對(duì)高功率密度、高頻響應(yīng)及微型化的需求。諧波磁場(chǎng)電機(jī)...

2026-04-12 標(biāo)簽：機(jī)器人氮化鎵人形機(jī)器人 1.5萬 1

ARK（方舟微）耗盡型MOSFET產(chǎn)品在英飛凌PD快充方案的應(yīng)用

隨著USB PD 3.1協(xié)議的逐步普及，快充電源正向著更高功率密度持續(xù)演進(jìn)。USB PD 3.1標(biāo)準(zhǔn)將擴(kuò)展功率范圍（EPR）提升至最高240W（48V/...

2026-03-30 標(biāo)簽：MOSFETusb氮化鎵 5.2k 0

廣芯微電子聯(lián)手英諾賽科突破高速電機(jī)控制邊界

伴隨氮化鎵（GaN）功率器件、超高速電機(jī)與高功率密度系統(tǒng)持續(xù)演進(jìn)，電機(jī)控制系統(tǒng)正進(jìn)入新的技術(shù)拐點(diǎn)。尤其在高速、低電感、高電角速度應(yīng)用中，一個(gè)長期被行業(yè)忽...

2026-03-30 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 4.6k 0