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TPS7H500x-SEP 系列（包括 TPS7H5005-SEP、TPS7H5006-SEP、TPS7H5007-SEP 和 TPS7H5008-SEP）是采用太空增強(qiáng)型塑料制成的高速、耐輻射 PWM 控制器系列?？刂破魈峁┝嗽S多有利于設(shè)計(jì)用于太空應(yīng)用的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞墓δ?。控制器具?0.613V +0.7%/–1% 的精度內(nèi)部基準(zhǔn)和高達(dá) 2MHz 的可配置開(kāi)關(guān)頻率。每個(gè)器件都提供可編程斜率補(bǔ)償和軟啟動(dòng)。

TPS536C5 是一款完全符合 AMD SVI3 標(biāo)準(zhǔn)的降壓控制器，具有雙通道、內(nèi)置非易失性存儲(chǔ)器 （NVM） 和 PMBus? 接口，并與 TI NexFET? 智能功率級(jí)完全兼容。具有下沖減少 （USR） 的 D-CAP+ ? 架構(gòu)等高級(jí)控制功能可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、低輸出電容和良好的均流。該器件還提供新穎的相位交錯(cuò)策略和動(dòng)態(tài)切相，以提高不同負(fù)載下的效率。V 的可調(diào)控制~核心~轉(zhuǎn)換速率和電壓定位完善了 AMD SVI3 的功能。

TPS53685 是一款完全符合 AMD SVI3 標(biāo)準(zhǔn)的降壓控制器，支持跨電感穩(wěn)壓器 （TLVR） 拓?fù)洹㈦p通道、內(nèi)置非易失性存儲(chǔ)器 （NVM）、PMBus? 接口，并與 TI NexFET? 智能功率級(jí)完全兼容。先進(jìn)的控制功能，如具有下沖抑制 （USR） 的 D-CAP+ ? 架構(gòu)，可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)和良好的均流，從而最大限度地降低輸出電容要求。

在煤礦行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中，七臺(tái)河礦業(yè)局積極回應(yīng)國(guó)家煤礦智能化建設(shè)的號(hào)召，采取了具有前瞻性的戰(zhàn)略舉措——在七臺(tái)河地區(qū)的煤礦部署了“井上+井下”無(wú)線(xiàn)覆蓋與廣播一體化系統(tǒng)。此舉旨在消除井上與井下之間的通信障礙，加強(qiáng)礦業(yè)局與井下現(xiàn)場(chǎng)的直接聯(lián)系，促進(jìn)井下無(wú)線(xiàn)通訊的深度整合，進(jìn)而提高煤礦生產(chǎn)的安全性、效率和智能化程度。

兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20助聽(tīng)器應(yīng)用方案

LM5149 是一款 80V 超低 I~Q~同步降壓 DC/DC 控制器，適用于大電流、單輸出應(yīng)用。該控制器采用峰值電流模式控制架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的環(huán)路補(bǔ)償、快速瞬態(tài)響應(yīng)以及出色的負(fù)載和線(xiàn)路調(diào)節(jié)。LM5149 可設(shè)置為交錯(cuò)雙相模式，為大電流應(yīng)用提供精確的均流功能。該設(shè)備可以在 V 下工作~在~低至 3.5 V，如果需要，可在接近 100% 的占空比下工作。

UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更穩(wěn)健的版本。 UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 閾值，可實(shí)現(xiàn)可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，現(xiàn)有的 UVLO 閾值可持續(xù)支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。

UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更穩(wěn)健的版本。 UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 閾值，可實(shí)現(xiàn)可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，現(xiàn)有的 UVLO 閾值可持續(xù)支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。

UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更穩(wěn)健的版本。 UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 閾值，可實(shí)現(xiàn)可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，現(xiàn)有的 UVLO 閾值可持續(xù)支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。

TPS7H500x-SP 系列高速抗輻射保證 PWM 控制器?？刂破魈峁┝嗽S多有利于太空應(yīng)用 DC-DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓O(shè)計(jì)的功能。控制器具有 0.613V +0.7%/–1% 的精度內(nèi)部基準(zhǔn)和高達(dá) 2MHz 的可配置開(kāi)關(guān)頻率。每個(gè)器件都提供可編程斜率補(bǔ)償和軟啟動(dòng)。

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可用于驅(qū)動(dòng)各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更穩(wěn)健的版本。 UCC28C5x-Q1 系列具有新的 UVLO 閾值，可實(shí)現(xiàn)可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59-Q1），此外，它還具有用于持續(xù)支持 Si MOSFET 的現(xiàn)有 UVLO 閾值 （UCC28C50-55-Q1）。

UCCx8C5x 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可在各種應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更穩(wěn)健的版本。 UCCx8C5x 系列具有新的 UVLO 閾值，可實(shí)現(xiàn)可靠的 SiC MOSFET作 （UCC28C56-59），此外，現(xiàn)有的 UVLO 閾值可持續(xù)支持 Si MOSFET （UCCx8C50-55）。

針對(duì)分布式光伏電站傳統(tǒng)運(yùn)維方式中存在的不足進(jìn)行了分析，并從4個(gè)方面分析了分布式光伏電站信息化運(yùn)維方式。分析結(jié)果顯示：通過(guò)合理而有效的光伏電站信息化運(yùn)維方式，不僅能大幅縮短分布式光伏電站的巡檢時(shí)間，精*判斷和消除設(shè)備故障，而且可以較好地保證光伏電站的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行和發(fā)電效益的*大化。

ADI ADRV9040 具有數(shù)字前端DFE、400MHz iBW射頻收發(fā)器的8T8R SoC

廈門(mén)翔安國(guó)際機(jī)場(chǎng)位于福建省廈門(mén)市翔安區(qū)大嶝街道大嶝島東南端，是全球少見(jiàn)的海島型機(jī)場(chǎng)。飛行等級(jí)為國(guó)際最高的4F級(jí)別，是我國(guó)的18座4F級(jí)機(jī)場(chǎng)之一。為助力廈門(mén)翔安國(guó)際機(jī)場(chǎng)實(shí)時(shí)監(jiān)控供配電設(shè)備的能耗狀態(tài)，優(yōu)化電力分配，降低能耗成本并提升供電可靠性，CET中電技術(shù)在航站區(qū)（航站樓、交通中心GTC、南北停車(chē)樓）和貨運(yùn)區(qū)分別設(shè)置1套能耗遠(yuǎn)程計(jì)量系統(tǒng)，

簡(jiǎn)化5G基本收發(fā)器電臺(tái)發(fā)射機(jī)陣容的設(shè)計(jì)和評(píng)估

LV5144 95V 同步降壓控制器由高輸入電壓源或受高壓瞬變影響的輸入軌進(jìn)行調(diào)節(jié)，從而最大限度地減少了對(duì)外部浪涌抑制元件的需求。45ns 的高壓側(cè)開(kāi)關(guān)最小導(dǎo)通時(shí)間可提供較大的降壓比，從而實(shí)現(xiàn)從 48V 標(biāo)稱(chēng)輸入到低壓軌的直接降壓轉(zhuǎn)換，從而降低系統(tǒng)復(fù)雜性和設(shè)計(jì)成本。LV5144 在低至 6 V 的輸入電壓驟降期間繼續(xù)工作，必要時(shí)以接近 100% 的占空比運(yùn)行，是高性能工業(yè)控制、機(jī)器人、數(shù)據(jù)通信和射頻應(yīng)用的絕佳選擇。

?Firefly所推出的NVIDIA系列的AIBOX可實(shí)現(xiàn)深度估計(jì)，該技術(shù)是一種從單張或者多張圖像預(yù)測(cè)場(chǎng)景深度信息的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)視覺(jué)領(lǐng)域，尤其是在三維重建、場(chǎng)景理解和環(huán)境感知等任務(wù)中起到了關(guān)鍵作用。深度估計(jì)技術(shù)可以分為多目深度估計(jì)和單目深度估計(jì)。其中單目攝像頭具有成本低、設(shè)備普及、圖像獲取方便等優(yōu)勢(shì)，使得單目深度估計(jì)技術(shù)備受關(guān)注?。深度學(xué)習(xí)技術(shù)的快

LM25185 是一款初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓 （PSR） 反激式控制器，在 4.5 V 至 42 V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)具有高效率。隔離輸出電壓從原邊反激式電壓采樣，無(wú)需光耦合器、電壓基準(zhǔn)或變壓器的第三個(gè)繞組即可進(jìn)行輸出電壓調(diào)節(jié)。 高集成度造就了簡(jiǎn)單、可靠和高密度的設(shè)計(jì)，只需一個(gè)變壓器即可跨越隔離柵。邊界導(dǎo)通模式 （BCM） 開(kāi)關(guān)可實(shí)現(xiàn)緊湊的磁性設(shè)計(jì)，負(fù)載和線(xiàn)路調(diào)節(jié)性能優(yōu)于 ±1.5%。BCM 支持高達(dá) 42V 輸入的應(yīng)用，并增強(qiáng)了線(xiàn)路瞬變的裕量。

LM5185 是一款初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓 （PSR） 反激式控制器，可在 4.5 V 至 100 V 的寬輸入電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率。隔離輸出電壓從原邊反激式電壓采樣，無(wú)需光耦合器、電壓基準(zhǔn)或變壓器的第三個(gè)繞組即可進(jìn)行輸出電壓調(diào)節(jié)。 高集成度造就了簡(jiǎn)單、可靠和高密度的設(shè)計(jì)，只需一個(gè)變壓器即可跨越隔離柵。邊界導(dǎo)通模式 （BCM） 開(kāi)關(guān)可實(shí)現(xiàn)緊湊的磁性設(shè)計(jì)，負(fù)載和線(xiàn)路調(diào)節(jié)性能優(yōu)于 ±1.5%。BCM 支持高達(dá) 100V 輸入的應(yīng)用，并增強(qiáng)了線(xiàn)路瞬變的裕量。