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功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明該方法的正確性。
關(guān)鍵詞：功率MOSFETS；多管并聯(lián)；高頻；Q軌跡
引言
1 影響功率MOSFET并聯(lián)均流的因素
??? 1.1 內(nèi)部參數(shù)對并聯(lián)均流的影響
圖2
2 Q值對并聯(lián)均流的影響
??? 從圖1中實(shí)線可以看出，Q值越大，換向時(shí)間越短，開通損耗越低但關(guān)斷損耗增大；從圖1中虛線可以看出在線路中引入源極電感，器件的開關(guān)軌跡發(fā)生很大變化，開通損耗增加而關(guān)斷損耗減小。在高頻情況下，器件的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損耗對整個(gè)系統(tǒng)效率的提高至關(guān)重要。從上面的分析可知器件理想的工作條件應(yīng)該是在相對較高的Q值下。以下基于不同Q值，通過仿真軟件PSPICE分析外圍線路中各種寄生參數(shù)對并聯(lián)均流的影響。
圖3
??? 2.2 Q值對雙管并聯(lián)均流影響的仿真分析
??? 從圖4可以看出，引入源極電感Ls，并聯(lián)不均流得到改善，但Ls越大器件關(guān)斷時(shí)間越長。在設(shè)計(jì)中，并聯(lián)器件源極電感保持一致是必須的，尋找最優(yōu)的Ls（即Ls/Lx）使得并聯(lián)均流特性最好。表1為閾值電壓Vth相差10％，其它參數(shù)均一致情況下，分別取不同Q和Ls/Lx，器件開通和關(guān)斷過程中電流不均衡的仿真分析結(jié)果。其中Δi=iD1－iD2，為并聯(lián)兩管漏電流相差最大處的差值。
表1 內(nèi)部特性參數(shù)不一致下，Q和Ls/Lx不同對器件動態(tài)電流分布的影響
3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
??? 2）使Rg=10.0Ω，其它條件不變，漏極電流iD波形如圖6所示。
4 結(jié)語
- 功率MOSFET(22989)
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112LTC4350自主均流法研究
文中分析了LTC4350自主均流法的工作原理和性能特點(diǎn)，采用LTC4350制作了兩塊實(shí)驗(yàn)電源模塊，并讓其并聯(lián)工作，做均流和熱插拔實(shí)驗(yàn)，達(dá)到了滿意的效果。
2011-08-17 15:48:332131
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DC_DC開關(guān)電源模塊并聯(lián)供電系統(tǒng)均流控制研究
介紹了由兩個(gè)DC/DC開關(guān)電源模塊并聯(lián)構(gòu)成的供電系統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)和工作原理。該系統(tǒng)采用ARM芯片STM32為主控芯片產(chǎn)生驅(qū)動功率開關(guān)器件MOSFET的PWM脈沖[1]，對供電系統(tǒng)的輸出電壓和各個(gè)模塊的
2013-09-26 15:17:38106
106基于開關(guān)電源的并聯(lián)均流技術(shù)的工作原理及特點(diǎn)
均流的主要任務(wù)是：
（1）當(dāng)負(fù)載變化時(shí)，每臺電源的輸出電壓變化相同。
?。?）使每臺電源的輸出電流按功率份額均攤。
2017-08-31 09:25:2912
12器件并聯(lián)中均流匹配的問題介紹
］和［6］還從均流系數(shù)的角度，給出了對器件的要求。然而從器件及其篩選匹配方面，我們認(rèn)為還有進(jìn)一步的探討和研究的必要。從事器件應(yīng)用的，注重器件的內(nèi)在性能；從事器件設(shè)計(jì)的，注重線路對器件的要求，兩方面的結(jié)合是提升器件性
2017-10-31 10:11:1311
11什么是并聯(lián)均流技術(shù)
但是電源輸出參數(shù)的擴(kuò)展，僅僅通過簡單的串、并聯(lián)方式還不能完全保證整個(gè)擴(kuò)展后的電源系統(tǒng)穩(wěn)定可靠的工作。不論電源模塊是擴(kuò)壓還是擴(kuò)流，均存在一個(gè)“均壓”、“均流”的問題，而解決方法的不同，對整個(gè)電源擴(kuò)展系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性都有很大的影響。
2017-11-09 15:02:5714993
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電源并聯(lián)均流技術(shù)在航天器測試中的應(yīng)用
針對單臺穩(wěn)壓電源功率無法滿足大型航天器測試供電的問題，設(shè)計(jì)了一種多電源并聯(lián)均流的航天器測試供電系統(tǒng)。采用通用性強(qiáng)的VC#軟件編程實(shí)現(xiàn)了均流的自動閉環(huán)控制，通過硬件架構(gòu)設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)中各電源電氣獨(dú)立
2017-11-14 17:54:5612
12并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)電源的均流方法
主從法適用于電流型控制的并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)中。這種均流系統(tǒng)中有電壓控制和電流控制，形成雙閉環(huán)控制系統(tǒng)。這種方法要求每個(gè)模塊問有通訊，所以使系統(tǒng)復(fù)雜化，并且當(dāng)主模塊失效時(shí)，整個(gè)電源系統(tǒng)便不能工作。
2018-07-05 07:06:005334
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基于STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計(jì)解析
摘要：為了實(shí)現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源，提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片，通過CAN總線
2017-12-12 11:54:372
2虛擬阻抗對UPS并聯(lián)系統(tǒng)均流控制
系統(tǒng)UPS之問產(chǎn)生環(huán)流，降低UPS并聯(lián)系統(tǒng)的均流特性和穩(wěn)定性。為解決該問題，在電壓電流雙閉環(huán)之外引入虛擬電阻環(huán)節(jié)，虛擬阻抗的加入可減小UPS逆變器參數(shù)不同造成的輸出內(nèi)阻抗差異，提高均流控制精度。詳細(xì)介紹了虛擬阻抗對UPS并聯(lián)系統(tǒng)均流特性的影響。兩臺單套功率40 kVA的三相四線
2017-12-13 16:04:0922
22大功率電源模塊并聯(lián)均流的設(shè)計(jì)方案
目前國內(nèi)大部分的模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì)，都使用了有源法。這種方法采用均流母線方式，各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián)，通過取樣各個(gè)模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個(gè)模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn)均流，具有效率高的優(yōu)點(diǎn)。
2018-03-06 14:27:3413616
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整流二極管并聯(lián)均流的實(shí)現(xiàn)
整流二極管的并聯(lián)使用要實(shí)現(xiàn)均流是一個(gè)難題。最主要的原因是二極管是正溫度系數(shù)的器件。
2019-09-07 11:01:1915255
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用基本的物理原理理解IGBT—并聯(lián)均流不簡單
，沒有并聯(lián)，就不是IGBT。 但是這里面就牽扯到并聯(lián)均流問題。 2、芯片越大越好？ 有些人感覺把IGBT芯片做大一點(diǎn)，一顆頂兩顆，這樣就可以減少封裝中的并聯(lián)均流問題了。事實(shí)顯然沒有那么簡單。 首先，IGBT芯片是很多個(gè)元胞組成的，按15um的元胞寬度，方形
2022-11-15 17:18:004648
4648分析和比較驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT均流特性的影響
決該矛盾的有效方法。然而，并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無法達(dá)到完全的對稱，使得理想化的靜、動態(tài)電流分布難以實(shí)現(xiàn)進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。本文主要分析和比較了驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT均流特性的影響，并
2021-02-14 11:43:005801
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SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析
SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。 仿真只是工具，仿真無法替代實(shí)驗(yàn)，仿真只供參考，切勿癡迷迷信。以上寒暄既畢，我們直奔主題： 1、選取仿真研究對象 SiC MOSFET
2021-03-11 09:22:054626
4626三相全橋逆變器的并聯(lián)均流設(shè)計(jì)
的差異，導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果，試驗(yàn)結(jié)果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2021-04-12 15:23:3224
24降壓均流方法的分析.設(shè)計(jì)與性能評估
分析了下垂電流的分配方法，并提出了一種提出了一般設(shè)計(jì)程序。 結(jié)果表明N + 1電源的均流精度是輸出電壓設(shè)定點(diǎn)精度，輸出電壓下降的斜率和控制環(huán)路的增益。 發(fā)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)均流精度為輸出電壓的10％并聯(lián)電源需要設(shè)置在0.35％以內(nèi)。 這設(shè)計(jì)程序的準(zhǔn)確性與三個(gè)并聯(lián)工作的電源的測量結(jié)果。
2021-04-16 09:46:468
8開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)
開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)(史上最牛電源技術(shù)總結(jié))-?開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)摘 要：大功率輸出和分布式電源是電源技術(shù)發(fā)展的方向，而并聯(lián)開關(guān)變換器模塊間采用均流技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)
大功率電源和冗余電源的關(guān)鍵，本文
2021-09-27 09:21:2845
45兩個(gè)開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源有均流功能，只有開關(guān)電源有均流功能的才可以并聯(lián)使用。沒有的切記不可并聯(lián)使用。電工之家百度快照課復(fù)制（可以把網(wǎng)址復(fù)制到百度搜索欄，不是http網(wǎng)址搜索欄）
兩個(gè)開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時(shí)間:2018-08-07 08:46 來源:電工之家兩個(gè)開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源并聯(lián)使用，就是我們常說的開關(guān)電源有均流功能，只有開關(guān)電源有均流功能的才可以并聯(lián)
2021-11-07 11:21:0417
17如何通過設(shè)計(jì)確保IGBT并聯(lián)均流措
由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對稱等，必引起器件電流分配不均，嚴(yán)重時(shí)會使器件失效甚至損壞主電路，因此，IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過設(shè)計(jì)確保均流。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)均流措施包括：降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:334225
4225SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性
關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:153087
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并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的均流技術(shù)
為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會增加成本和復(fù)雜性，并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此，考慮到上述問題，專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案，而無需額外的篩選過程。
2022-08-04 08:59:517058
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求一種大功率電源模塊并聯(lián)均流的設(shè)計(jì)方案
目前國內(nèi)大部分的電源模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì)，都使用了有源法。這種方法采用均流母線方式，各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián)，通過取樣各個(gè)模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個(gè)模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn)均流
2023-05-02 14:57:001916
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MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET并聯(lián)(并聯(lián)功率MOSFET之間的寄生振蕩).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 09:39:247
7PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究
的Simetrix仿真,以研究不同參數(shù)對分流的影響。最后提出了驅(qū)動電路設(shè)計(jì)建議和柵極電阻設(shè)計(jì)方法。導(dǎo)言隨著市場和應(yīng)用的發(fā)展,高額定功率和高功率密度成為越來越重要的趨勢。目前，
2024-07-25 08:14:571502
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AOS MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
如今，由于對大電流和高功率應(yīng)用的需求不斷增加，單一的MOSFET已經(jīng)無法滿足整個(gè)系統(tǒng)的電流要求。在這種情況下，需要多個(gè)MOSFET并聯(lián)工作，以提供更高的電流和功率，這有助于減少導(dǎo)通損耗，降低工作溫度
2024-11-27 15:32:391312
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MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
在高功率電子設(shè)計(jì)中，為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性，常常需要將多個(gè)MOSFET器件并聯(lián)使用。然而，MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡單的器件堆疊，它涉及諸多技術(shù)挑戰(zhàn)，如電流均衡、熱管理和驅(qū)動匹配等
2024-12-04 01:07:001764
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UPS電源“十全十測”之9：UPS并機(jī)均流性能測試
并聯(lián)工作的方式，以提供更大的功率輸出和冗余備份。而UPS并機(jī)均流性能的好壞，直接影響到整個(gè)并聯(lián)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。二、為什么要測試UPS并機(jī)均流性能測試UPS并機(jī)
2025-01-10 17:23:382163
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碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述
碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
2025-02-05 14:36:011509
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MOS管的并聯(lián)使用：如何保證電流均流？
。因此，如何保證并聯(lián)MOS管的電流均流，是設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面，探討實(shí)現(xiàn)電流均流的方法： 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導(dǎo)通電阻（Rds(on)） ：MOS管的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:354244
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MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用：如何均流與提高耐壓能力？
電力電子電路設(shè)計(jì)，有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應(yīng)用需求，此時(shí)可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而，并聯(lián)時(shí)需要解決均流問題，串聯(lián)時(shí)要保證均壓，否則會導(dǎo)致器件提前失效
2025-03-17 11:45:362478
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并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南：均流、寄生參數(shù)與熱平衡
的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡單的“多加幾個(gè)”過程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并
2025-07-04 10:03:51670
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快恢復(fù)二極管串聯(lián)與并聯(lián)設(shè)計(jì)：均壓均流與應(yīng)用挑戰(zhàn)
實(shí)現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而，F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會面臨均壓、均流以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用：提高耐壓能力問題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓（VRRM）通常
2025-07-23 09:56:29776
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超快恢復(fù)二極管器件串并聯(lián)導(dǎo)致均壓均流問題分析
，工程師往往采用器件串聯(lián)或并聯(lián)的方式。然而，若忽視器件之間的特性差異及配套設(shè)計(jì)，容易引發(fā)均壓均流問題，最終造成電路效率降低甚至器件失效。一、串聯(lián)應(yīng)用中的均壓挑戰(zhàn)當(dāng)需要承
2025-07-31 09:29:42731
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SiC MOSFET并聯(lián)均流及串?dāng)_抑制驅(qū)動電路的研究
SiC MOSFET在并聯(lián)應(yīng)用中的安全性和穩(wěn)定性提出了挑戰(zhàn)當(dāng)SiC MOSFET應(yīng)用在橋式電路時(shí)高速開關(guān)動作引發(fā)的串?dāng)_問題嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的可靠性.為了使SiC MOSFET在電路系統(tǒng)中穩(wěn)定運(yùn)行本文主要針對并聯(lián)均流和串?dāng)_抑制問題展開研究.第一部分首先對SiC MOSFET電氣特性
2025-08-18 15:36:271
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