是GaN 功率管； 2. 從氮化鎵GaN產品結構上對比 如下圖所示，納微GaN產品結構，包含HV GaNFET，和Integrated Circuit；電容電阻和LV GaNFET組成
2020-05-12 01:31:00
27189 
第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-01-06 15:26:411139 
10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案
2023-10-25 11:38:30794 
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關內容。
2023-11-27 17:12:015665 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054789 
目錄 什么是光隔離探頭？ 1. 新品探頭介紹 2. 高壓差分探頭 vs 光隔離探頭 3. 光隔離探頭的應用場景 寬禁帶半導體市場前景 光隔離探頭的典型測試案例——上管測試（high-side
2025-03-19 09:09:161616 
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
范圍；4.Vgs信號上升時間240ns左右。（以上數(shù)據通過截屏讀數(shù)）▲圖4：測試結果截屏結論1.客戶目標板設計合理，Vgs控制信號近乎完美；2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
客戶測試后再進行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對測試過程提供了技術支持。測試背景：3C消費類產品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質的 LED 發(fā)光二極管才被發(fā)明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發(fā)出藍
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
相信最近關心手機行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
。在此基礎上，增加單管激光器的發(fā)光區(qū)寬度和長度，單管激光器的光功率可以進一步提升，并結合正在發(fā)展的GaN激光器的光束整形和合束技術，將實現(xiàn)更高功率的激光器模組。氮化鎵激光器的應用也將更加廣泛。 垂直腔GaN
2020-11-27 16:32:53
GaN如何實現(xiàn)快速開關？氮化鎵能否實現(xiàn)高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應用中。 數(shù)據手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC的精彩報告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調節(jié)輸出電阻、可調
2018-11-05 09:51:35
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購來擴充產品線與進入新市場，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術，共有40多條生產線
2017-09-04 15:02:41
（GaN）那么，問題來了，怎么解決高昂的價格？首先，先了解下什么是硅基氮化鎵，與硅器件相比，由于氮化鎵的晶體具備更強的化學鍵，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場而不會崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
、測試儀器。該設備可以支持脈沖和線性操作。產品型號: TGF2977-SM產品名稱：氮化鎵晶體管TGF2977-SM產品特性頻率范圍：直流- 12 GHz輸出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz線性增益
2018-07-25 10:06:15
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統(tǒng)的硅技術相比，不僅性能優(yōu)異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
）。因此，硅注入毫無疑問對ITO和GaN材料之間形成歐姆接觸非常有利?！ 」ぷ骶w管 為了測試這種方法，我們將透明的源極和漏極歐姆接觸技術應用到了真正的氮化鎵晶體管上，其設計如圖1所示。在這些器件中
2020-11-27 16:30:52
電源和信號，一直是業(yè)界無法實現(xiàn)的。因為硅器件的開關速度太慢，而且存在驅動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉換器/隔離器，導致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位?！喝c半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
產的Guidance Enhanced Missile-TBM（GEM-T）攔截器中使用氮化鎵（GaN）計算機芯片，以取代目前在導彈發(fā)射器中使用的行波管（TWT）。雷神希望通過使用GaN芯片升級
2019-07-08 04:20:32
鎵技術作為III-V族化合物半導體，氮化鎵(GaN) 具有禁帶寬度大、電子遷移率高、介電系數(shù)小、導電性能好的特點，用其制作成的氮化鎵晶體管(GaN FET)具有導通電阻小、結電容小和頻率高的優(yōu)點，因此
2019-03-14 06:45:08
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業(yè)的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無需工藝調整和 MASK 變動，通過合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
材料特性對比展開，通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設計和PCB
2020-11-18 06:30:50
我經常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
高壓差分探頭輸入端時就會導致震蕩，有時候這個震蕩超過了一定極限，就會引起氮化鎵器件瞬間燒毀炸管。而光隔離探頭采用MCX或MMCX連接，引線極短，幾乎沒有天線效應，寄生電容在幾pF以內，斷絕了測試導致的寄生
2024-06-12 17:00:55
設計、功率轉換器研發(fā)、電子鎮(zhèn)流器測試，以及氮化鎵、碳化硅、IGBT半/全橋設備的設計與分析等專業(yè)領域，均發(fā)揮著不可或缺的作用。
四、服務與支持
麥科信為MOIP系列光隔離探頭提供完善的售后保障體系。探頭主體提供1年保修服務，并支持延保；光纖與衰減器（贈品）也提供3個月質保，非人為損壞可免費維修
2025-06-27 18:39:18
PCB布局設計的最佳工程實踐。介紹了以下四種電路配置的布局指南： 用于單GaN E-HEMT的隔離式柵極驅動器電路 用于并聯(lián)氮化鎵E-HEMT的隔離式柵極驅動器電路 半橋自舉柵極驅動器電路
2023-02-21 16:30:09
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
測試中，光隔離探頭測量的是上管Vgs。這個模塊是電機控制器的核心部分，其開關速度非?？欤ǔＴ诩{秒級別。在測試過程中，由于高速開關產生的電磁干擾(EMI)會對測量結果造成影響。光隔離探頭的高共模抑制比
2025-01-09 16:58:30
，一開始抱著試試看的想法，實測后效果非常不錯，測試點位的波形跟我們的理論很相似，解決了我們研發(fā)中的大問題。 總結 麥科信(Micsig)基于獨家SigOFIT?技術的光隔離探頭MOIP1000P
2024-10-31 17:04:15
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業(yè)生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
采用ADMU4121來驅動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅動方案，但是現(xiàn)在上管的驅動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉化
2024-01-11 06:43:50
就可以實現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術搭建的高壓、集成驅動器解決方案，相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
的電壓信號出現(xiàn)明顯振蕩或過沖。同時，探頭的寄生電容可能引入位移電流，使被測電流信號疊加額外的寄生電流，影響測量準確性。
采用麥科信光隔離探頭MOIP200P的SiC MOSFET動態(tài)測試平臺
測試效果
2025-04-08 16:00:57
當測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您的測量設置和設備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進行準確測量的最佳實踐方法。
2017-04-18 12:34:043878 
力科宣布推出新的DL-ISO 1 GHz高壓光隔離探頭和功率器件測試軟件，與高精度示波器 （HDO） 結合使用時，可提供最準確的氮化鎵 （GaN） 和碳化硅 （SiC） 功率半導體器件的電氣特性表征。
2022-04-13 15:04:024471 （GaN）。在這些潛在材料中，氮化鎵或氮化鎵正得到廣泛認可和青睞。這是因為GaN晶體管與材料晶體管相比具有幾個優(yōu)勢。
2022-12-13 10:00:083919 氮化鎵工藝優(yōu)點是什么呢？ AlGaN / GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）是開關功率晶體管的有希望的候選者，因為它們具有高的斷態(tài)擊穿強度以及導通狀態(tài)下的優(yōu)異溝道導電性。這些特征是GaN的特殊物理特性與其異質結構材料AlGaN的組合。最重要的
2023-02-05 11:43:472725 氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它們在較低速度、650V，非常高電流電源應用中的統(tǒng)治地位。
2023-02-12 17:09:491031 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412177 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-04-03 11:12:171326 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過[氮化鎵GaN驅動器的PCB設計
2023-05-17 10:19:131734 
第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-03-13 17:42:581340 
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-03-13 17:43:362079 
光隔離探頭主要用于開關電源、逆變器、充電樁、變頻器、電機驅動等由功率半導體組成的高壓高頻電路的測試，尤其是寬禁帶半導體器件包括氮化鎵、碳化硅器件組成的半/全橋電路的測試。
2023-06-27 17:32:331910 
論文研究氮化鎵GaN功率集成技術
2023-01-13 09:07:473 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點和優(yōu)勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
2023-11-21 16:15:3011008 氮化鎵mos管普通的驅動芯片可以驅動嗎？ 當涉及到驅動氮化鎵（GaN）MOS管時，需要考慮多個因素，包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護等。通常情況下，GaN MOS管需要專門的驅動芯片來
2023-11-22 16:27:583222 什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:117181 來了解一下氮化鎵開關管的基本結構。它由氮化鎵（GaN）和鋁鎵氮化物（AlGaN）等半導體材料組成，這些材料具有優(yōu)異的電特性，能夠實現(xiàn)高電壓、高頻率和高功率的開關操作。而四個電極則起到了不同的作用。 首先是柵極（G）：柵極是氮化鎵開關管的控制電極，通過
2023-12-27 14:39:182373 氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導體）管驅動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。GaN MOS管驅動芯片廣泛應用于功率電子
2023-12-27 14:43:233430 氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）。它具有許多優(yōu)點和局限性，下面將詳細介紹這些優(yōu)點和局限性。 優(yōu)點： 高電子流動性：氮化鎵具有很高的電子流
2024-01-09 17:26:4911219 晶體管）結構。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416137 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關速度和低導通電阻等優(yōu)點，逐漸被廣泛應用于功率電子領域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢，合理的驅動方法是至關重要的。本文將介紹氮化鎵
2024-01-10 09:29:025949 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:154274 氮化鎵（GaN）是一種重要的寬禁帶半導體材料，其結構具有許多獨特的性質和應用。本文將詳細介紹氮化鎵的結構、制備方法、物理性質和應用領域。 結構： 氮化鎵是由鎵（Ga）和氮（N）元素組成的化合物。它
2024-01-10 10:18:336030 本文要點氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術可實現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
光隔離探頭和高壓差分探頭在測試中有著不同的應用和特點，光隔離探頭具有高共模抑制比和最真實地呈現(xiàn)信號的全部特征，適合測試第三代半導體器件。相比之下，高壓差分探頭可能產生信號失真，且僅適用于高壓信號的測量。
2024-07-30 16:04:131807 
的新技術和解決方案，同時在電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會上，憑借硬核研發(fā)實力與超高品質的產品， 榮獲光隔離探頭卓越獎 。 現(xiàn)場直擊 論壇當天，麥科信(Micsig)展臺熱鬧非凡，大家圍繞電源技術實戰(zhàn)經驗各抒己見，更有專業(yè)大咖"有備而來"，帶著測試板現(xiàn)場使用光
2024-12-13 09:43:361861 
共模電壓下獨立浮動。 還原真實信號 差分探頭由于引線較長，接在電路上測量高頻信號容易引起問題，如耦合周邊的高 dv/dt信號使測試波形不準確；探棒寄生電容的存在，可能引起被測電路的振蕩甚至會炸管。光隔離探頭采用衰減
2025-01-11 15:19:14975 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334534 
寬禁帶(WBG)半導體材料，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料不僅在耐高溫和耐高壓方面表現(xiàn)出色，還具備低損耗、快速開關頻率等特性。然而，要充分發(fā)揮這些先進材料的潛力，精確的測試和測量技術
2025-11-14 16:46:063489 
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