化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過(guò)共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:38
2339 
當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國(guó)應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。
2016-06-27 11:09:501446 
在車用高功率半導(dǎo)體、光源與射頻（RF）三大應(yīng)用需求加持下，化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor， CS）將有遠(yuǎn)優(yōu)于單晶半導(dǎo)體的成長(zhǎng)速度。根據(jù)Strategy Analytice
2017-01-20 10:32:171405 定制化合物半導(dǎo)體并將其集成到外國(guó)襯底上的能力可以帶來(lái)卓越或新穎的功能，并對(duì)電子、光電子、自旋電子學(xué)、生物傳感和光伏的各個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生潛在影響。這篇綜述簡(jiǎn)要描述了實(shí)現(xiàn)這種異質(zhì)集成的不同方法，重點(diǎn)介紹了離子
2023-08-14 17:03:501335 
傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展侷限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，化合物半導(dǎo)體材料是新一代半導(dǎo)體發(fā)展的重要關(guān)鍵嗎？
2019-04-09 17:23:3511305 化合物半導(dǎo)體在軍事中的應(yīng)用領(lǐng)域也不少，在大功率的高速交通工具也是關(guān)鍵材料，所以被各國(guó)視為戰(zhàn)略物資，半絕緣的化合物半導(dǎo)體甚至要拿到證明才可以出口，是相當(dāng)重要的上游材料。
2020-09-02 18:53:426843 來(lái)源 華西證券編輯：智東西內(nèi)參作者：吳吉森等隨著 5G、IoT 物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)有望快速崛起。其中，Ga...
2021-08-31 06:32:26
半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。半導(dǎo)體在過(guò)去主要經(jīng)歷了三代變化
2019-05-06 10:04:10
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
天線：MassiveMIMO和新材料將應(yīng)用5G封測(cè)：各大封測(cè)廠積極備戰(zhàn)5G芯片化合物半導(dǎo)體迎來(lái)新機(jī)遇電磁屏蔽、導(dǎo)熱材料獲得新市場(chǎng)空間
2020-12-30 06:01:41
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
兼首席執(zhí)行官John Croteau表示：“本協(xié)議是我們引領(lǐng)射頻工業(yè)向硅上氮化鎵技術(shù)轉(zhuǎn)化的漫長(zhǎng)征程中的一個(gè)里程碑。截至今天，MACOM通過(guò)化合物半導(dǎo)體小廠改善并驗(yàn)證了硅上氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，射頻性能和可靠性
2018-02-12 15:11:38
使用這些納米線陣列，可以實(shí)現(xiàn)寬帶光捕獲。接觸電極，如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅，對(duì)具有不同帶隙的半導(dǎo)體納米線太陽(yáng)能電池器件的影響，重點(diǎn)是光吸收。雖然傳統(tǒng)的導(dǎo)電氧化物材料，如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
同質(zhì)性范圍的化學(xué)計(jì)量化合物，因此在評(píng)估中被視為線化合物。纖鋅礦結(jié)構(gòu)被認(rèn)為是唯一穩(wěn)定的固體形式。盡管亞穩(wěn)態(tài)閃鋅礦結(jié)構(gòu)可以在薄膜中產(chǎn)生并且在高壓下預(yù)計(jì)在 III 族氮化物中會(huì)出現(xiàn) NiAs 型改性，但并未
2021-07-07 10:28:12
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
解決的問(wèn)題，以開(kāi)發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍(lán)寶石襯底的候選者之一，藍(lán)寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
和碳化硅，在室溫下電化學(xué)刻蝕在某些情況下是成功的。此外，光輔助濕法蝕刻產(chǎn)生類似的速率，與晶體極性無(wú)關(guān)。 介紹 寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵、碳化硅和氧化鋅對(duì)許多新興應(yīng)用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN高電子
2021-10-14 11:48:31
中使用的溫度。通過(guò)這樣做，我們開(kāi)發(fā)了一種將晶體表面蝕刻成 III 族氮化物的兩步工藝。通過(guò)在 H 中蝕刻形成具有對(duì)應(yīng)于各種 GaN 晶面的刻蝕 ，采用160°C 以上、180°C 以上的熔融 KOH
2021-07-07 10:24:07
也有多種元素構(gòu)成的半導(dǎo)體資料，主要的半導(dǎo)體性質(zhì)有I族與V、VI、VII族；II族與IV、V、VI、VII族；III族與V、VI族；IV族與IV、VI族;V族與VI族；VI族與VI族的分離化合物，但遭到
2020-03-26 15:40:25
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
目前國(guó)內(nèi)外有很多研究在有機(jī)化合物作為鋰離子電池正極材料方面進(jìn)行了大量卓有成效的工作，特別是在含氧有機(jī)共軛化合物方面，一些電化學(xué)活性高的含氧官能團(tuán)及其分子結(jié)構(gòu)對(duì)有機(jī)正極化合物的設(shè)計(jì)具有重要的指導(dǎo)
2015-11-17 17:12:07
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
的核心單元都和半導(dǎo)體有著極為密切的關(guān)連。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導(dǎo)體材料中，在商業(yè)應(yīng)用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2016-11-27 22:34:51
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
SnAgCu無(wú)鉛焊料中Sn的含量較高，焊接溫度也比較高，導(dǎo)致了焊點(diǎn)中Cu的溶解速度和界面金屬間化合物的生長(zhǎng)速度遠(yuǎn)高于SnPb系焊料。相關(guān)研究表明，焊點(diǎn)與金屬接點(diǎn)間的金屬間化合物的形態(tài)和長(zhǎng)大對(duì)焊點(diǎn)
2020-02-25 16:02:25
III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號(hào)：
2010-03-04 12:16:164356 什么是化合物半導(dǎo)體集成電路
是將晶體管、二極管等有源元件和電阻器、電容器等無(wú)源元件，按照一定的電路互連，“集成”在一塊
2010-03-04 16:09:153545 化合物半導(dǎo)體多接合型太陽(yáng)能電池將實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)
美國(guó)威訊聯(lián)合半導(dǎo)體（RF Micro Devices,RFMD）利用該公司的GaAs類化合物半導(dǎo)體150mm生
2010-03-18 08:51:161146 硫系化合物是由元素周期表第16族元素組成的合金(舊式元素周期表：第VIA族或第VIB族)。在室溫條件下，這些合金的非晶態(tài)和晶態(tài)都十分穩(wěn)定。當(dāng)加熱時(shí)，硫系化合物可以從非晶態(tài)
2010-07-02 10:26:581632 
化合物半導(dǎo)體是 5G 通信不可替代的核心技術(shù)。美歐日等發(fā)達(dá)國(guó)家通過(guò)產(chǎn)業(yè)和技術(shù)扶持計(jì)劃，培育了眾多龍頭企業(yè)，已占領(lǐng)化合物半導(dǎo)體技術(shù)和市場(chǎng)高地。同時(shí)美國(guó)以危害國(guó)家安全為由，對(duì)我國(guó)實(shí)行技術(shù)封鎖，頻頻阻撓
2018-01-13 11:56:123884 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化鎘、硫化鋅等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33122870 化合物半導(dǎo)體因其在射頻電子和電力電子方面的優(yōu)良性能，以及在5G通信和新能源汽車等新興市場(chǎng)的應(yīng)用價(jià)值，被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)的重要發(fā)展方向。在國(guó)內(nèi)發(fā)展集成電路的背景下，化合物半導(dǎo)體受到地方政府和產(chǎn)業(yè)資本的熱捧。投資“熱潮”之下，需要重新思考我國(guó)發(fā)展化合物半導(dǎo)體的機(jī)遇、挑戰(zhàn)和路徑。
2018-10-05 15:29:0020276 化合物半導(dǎo)體相比硅半導(dǎo)體具有高頻率和大功率等優(yōu)異性能，是未來(lái)5G通信不可替代的核心技術(shù)。
2018-11-01 17:11:009145 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率、高頻率等方面特有的優(yōu)勢(shì)，在信息通信、光電應(yīng)用以及新能源汽車等產(chǎn)業(yè)中有著不可替代的地位。
2018-11-20 11:01:5619278 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引人矚目，攪動(dòng)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-12-18 10:06:534663 傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體因自身發(fā)展局限和摩爾定律限制，需尋找下一世代半導(dǎo)體材料，而化合物半導(dǎo)體材料的高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性，恰好符合未來(lái)半導(dǎo)體發(fā)展所需，終端產(chǎn)品趨勢(shì)將由5G通訊、車用電子與光通訊領(lǐng)域等應(yīng)用主導(dǎo)。
2019-03-22 16:26:394735 
功率及化合物半導(dǎo)體對(duì)人類社會(huì)和科技發(fā)展影響越來(lái)越巨大，其應(yīng)用涵蓋了照明、激光、成像、移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子、綠色能源、現(xiàn)代交通等方方面面。
2019-04-07 00:02:006110 化合物半導(dǎo)體中心（Compound Semiconductor Centre,簡(jiǎn)稱CSC）成立于2015年，是由英國(guó)IQE公司和加的夫大學(xué)共同成立的合作機(jī)構(gòu)，任務(wù)是加速化合物半導(dǎo)體材料和器件研發(fā)的商業(yè)化，實(shí)現(xiàn)對(duì)英國(guó)在該重要使能技術(shù)領(lǐng)域所投資金的有形經(jīng)濟(jì)回報(bào)。
2019-04-11 17:37:576296 
據(jù)韓國(guó)消息報(bào)道，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個(gè)KIST團(tuán)隊(duì)已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來(lái)生產(chǎn)藍(lán)光LED。
2020-03-09 16:49:224413 北電新材的經(jīng)營(yíng)范圍，包括化合物半導(dǎo)體材料生產(chǎn)、化合物半導(dǎo)體集成電路制造、電子元器件制造；功能材料及其元器件的開(kāi)發(fā)、銷售；功能器件用襯底的生產(chǎn)；人造寶石的制造及銷售；集成電路設(shè)計(jì)等。2020年上半年?duì)I業(yè)收入304.37萬(wàn)元，凈利潤(rùn)虧損1766.97萬(wàn)元。
2020-08-19 15:44:404448 它們的速度也更快，這就是為什么數(shù)據(jù)密集型5G電信網(wǎng)絡(luò)和衛(wèi)星通信需要它們。化合物半導(dǎo)體可以發(fā)射和檢測(cè)光。磷化銦就是一個(gè)很好的例子，他們成功開(kāi)拓了醫(yī)學(xué)成像和診斷，光纖通信和量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用。
2020-11-06 15:25:054394 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2020-11-20 14:08:177688 隨著晶圓代工業(yè)的火爆，其細(xì)分領(lǐng)域——化合物半導(dǎo)體代工——也是水漲船高，相關(guān)廠商近期的業(yè)績(jī)都很亮眼。而且，相對(duì)于廣義上的數(shù)字和模擬芯片代工廠，化合物半導(dǎo)體晶圓代工廠商的數(shù)量較少，這就使它們?cè)诖ぎa(chǎn)能普遍稀缺的當(dāng)下，價(jià)值愈加突出。
2020-12-03 15:20:454351 西安高新區(qū)二季度重點(diǎn)項(xiàng)目集中開(kāi)工儀式舉行，會(huì)上集中開(kāi)工項(xiàng)目共計(jì)51個(gè)，總投資約1165億元，項(xiàng)目涉及先進(jìn)制造業(yè)、服務(wù)業(yè)、新材料新能源、電子信息等領(lǐng)域。 其中，化合物半導(dǎo)體延片研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目、比亞迪西安
2021-06-21 10:16:504328 第三族氮化物已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因?yàn)樗鼈?b class="flag-6" style="color: red">具有異常高的鍵能。綜述了近年來(lái)針對(duì)這些材料發(fā)展起來(lái)的濕法刻蝕方法。提出了通過(guò)
2022-02-23 16:20:243268 
半導(dǎo)體行業(yè)尤其是光電化合物半導(dǎo)體行業(yè)近年來(lái)國(guó)際市場(chǎng)專利糾紛不斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)持有完備的高價(jià)值專利資產(chǎn)將有利于我國(guó)快速獲得光電化合物半導(dǎo)體行業(yè)的國(guó)際話語(yǔ)權(quán)。
2022-03-11 11:54:201168 
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價(jià)鍵化合物，晶格參數(shù)為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍(lán)白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2022-03-23 14:27:463364 以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蝕刻，但是III族氮化物和SiC非常難以濕法蝕刻，并且通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于GaN和SiC的各種蝕刻劑，包括含水無(wú)機(jī)酸和堿溶液，以及熔融鹽。濕法蝕刻對(duì)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)具有多種應(yīng)用，包括缺陷裝飾、通過(guò)產(chǎn)生特征凹坑或小丘來(lái)識(shí)
2022-07-06 16:00:213281 
近年來(lái)，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體受到了廣泛關(guān)注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。SiC 和 GaN 功率器件的采用現(xiàn)在是不可否認(rèn)
2022-08-05 14:51:331182 
第一代半導(dǎo)體材料主要是以硅和鍺為代表的IV族材料，而第二代和第三代半導(dǎo)體材料主要是化合物半導(dǎo)體（Compound Semiconductor）材料，其中砷化鎵(GaAs)和磷化銦（InP）是第二代半導(dǎo)體材料中的代表，氮化鎵（GaN)和碳化硅(SiC）是第三代半導(dǎo)體材料中的代表。
2022-09-16 09:56:081508 研究機(jī)構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)的預(yù)測(cè)，認(rèn)為在功率和光學(xué)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，到2027年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到24億美元，2021-2027年間復(fù)合年增長(zhǎng)率為16%。 該機(jī)
2022-11-21 10:31:392027 
與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有更好的物理和化學(xué)特性，同時(shí)具有開(kāi)關(guān)速度快、體積小、效率高、散熱快等
2022-12-08 09:56:031737 氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm，對(duì)可見(jiàn)光無(wú)響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見(jiàn)光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈敏度低的缺點(diǎn)，是制備紫外線傳感器的理想材料。III族氮化物化合物半導(dǎo)體具有帶隙可調(diào)的優(yōu)點(diǎn)，響應(yīng)波段范圍可覆蓋可見(jiàn)-紫外波段。
2023-01-12 10:37:361479 什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:454118 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導(dǎo)體。
2023-02-03 18:18:4610813 
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
2023-02-03 18:21:213898 氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn)，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目前第三代半導(dǎo)體材料主要有三族化合物半導(dǎo)體材料
2023-02-05 15:01:488941 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-06 09:46:093643 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體， 氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微電子（微波功率和電力電子器件），場(chǎng)效電晶體（MOSFET）。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。
2023-02-06 17:38:136684 氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代
2023-02-12 11:07:492265 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為
2023-02-12 17:32:164696 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。
2023-02-13 16:49:5614117 GaN是一種無(wú)機(jī)物質(zhì)，其化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是自1990年以來(lái)常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類似于金雞石，具有高硬度。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用于高
2023-02-15 15:31:562895 氮化鎵（GaN）是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶隙（band-gap）”，因此與硅基電子產(chǎn)品相比具有許多優(yōu)勢(shì)。
2023-02-15 17:52:352111 半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:2211803 
西安電子科技大學(xué)教授、副校長(zhǎng)郝躍中國(guó)科學(xué)院微電子研究所劉新宇一、引言化合物半導(dǎo)體具有飽和速度高、能帶易剪裁、帶隙寬等特性，在超高頻、大功率、高效率等方面表現(xiàn)出優(yōu)越的性能，因此，化合物半導(dǎo)體電子器件
2022-01-04 16:32:223314 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍(lán)寶石模板，藍(lán)寶石氮化預(yù)處理和解理面的有序橫向生長(zhǎng)，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結(jié)合，有效地抑制了凝聚過(guò)程中穿透位錯(cuò)threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:111515 
中電化合物致力研發(fā)、生產(chǎn)寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要聚焦大尺寸、高性能的碳化硅材料和氮化鎵外延材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，已在寧波前灣新區(qū)數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)園建成包含碳化硅襯底、碳化硅外延和氮化鎵外延的現(xiàn)代化生產(chǎn)車間
2023-06-30 16:53:061079 報(bào)道強(qiáng)調(diào)，隨著全球消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)和需求成長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體的價(jià)格一直在上漲。因此，市場(chǎng)希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體，達(dá)到比傳統(tǒng)單晶硅基半導(dǎo)體更高的電源轉(zhuǎn)換效率、更高的功率密度，此外耐用性會(huì)更佳，進(jìn)一步迎合汽車應(yīng)用的等惡劣作業(yè)環(huán)境。
2023-07-13 16:18:251286 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍(lán)綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
我們?nèi)A林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù)，例如半導(dǎo)體材料、離子注量、離子能量和注入溫度。給出了化合物
2023-09-04 17:09:311103 
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453087 2021年化合物半導(dǎo)體行業(yè)深度報(bào)告
2023-01-13 09:05:46
9 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:123281 
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵
2023-11-24 11:05:117181 由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:581043 
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒(méi)有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:221301 
清軟微視是清華大學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)化的高新技術(shù)企業(yè)，專注于化合物半導(dǎo)體視覺(jué)領(lǐng)域量檢測(cè)軟件與裝備研發(fā)。其自主研發(fā)的針對(duì)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無(wú)損檢測(cè)裝備Omega系列產(chǎn)品，
2023-12-05 14:54:383463 
據(jù)悉，本項(xiàng)目計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)竣工并投入運(yùn)營(yíng)。它是省級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目，旨在建立高端的化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)制造平臺(tái)，形成涵蓋氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等多種材料的2至3英寸激光器和探測(cè)器芯片產(chǎn)線，以及相應(yīng)的器件封裝能力。
2023-12-12 10:34:151506 三五族氮化物半導(dǎo)體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨(dú)特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0.6eV到6.2eV連續(xù)可調(diào)禁帶寬度特點(diǎn)，非常適用于光電材料與器件的應(yīng)用開(kāi)發(fā)和研究。
2023-12-21 09:46:331720 
材料不同。傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導(dǎo)體芯片則是以氮化鎵為基材，通過(guò)化學(xué)氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導(dǎo)體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
2023-12-27 14:58:242956 III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。
2023-12-28 09:15:062283 
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為GaN，它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是一種具有低能隙的半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)屬于菱面
2024-01-10 10:05:092857 雙層扭角過(guò)渡金屬硫族化合物（TB-TMDCs）由于具有與摩爾超晶格有關(guān)的穩(wěn)定平帶特征以及特殊電子特性而受到廣泛關(guān)注，有望成為研究凝聚態(tài)物理的新對(duì)象。為了深入挖掘扭角結(jié)構(gòu)的奇妙性質(zhì)，推動(dòng)扭轉(zhuǎn)電子學(xué)向前發(fā)展
2024-01-23 10:27:371170 3月24日，SEMICON China 2024展會(huì)在上海盛大開(kāi)展,同期在上海召開(kāi)功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國(guó)際論壇，京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱紹諺受邀出席本次大會(huì)，并在會(huì)上做主題演講。
2024-04-19 14:14:551235 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場(chǎng)方面相對(duì)相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV
2024-09-16 08:02:252049 
半導(dǎo)體材料因其在紅外探測(cè)、高速電子器件及新型能源技術(shù)中的潛在應(yīng)用，成為科研工作者和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。 銻化鎵晶體的基本性質(zhì) 銻化鎵(GaSb)材料材料概述 銻化鎵（Gallium Antimonite, GaSb） 是 III-V 族化合物半導(dǎo)體， 屬于閃鋅礦、直接帶隙材料， 其禁帶寬
2024-11-27 16:34:512415 
根據(jù)YoleGroup最近公布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)，全球化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)到2030年的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到約250億美元。這一預(yù)測(cè)顯示了化合物半導(dǎo)體行業(yè)在未來(lái)幾年的快速擴(kuò)張潛力，特別是在汽車和移動(dòng)出行領(lǐng)域
2025-03-04 11:42:001083 
2026年4月23–25日，第三屆中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)（CSE 2026）將在武漢光谷科技會(huì)展中心盛大啟幕。
本屆展會(huì)以“核芯聚變·鏈動(dòng)未來(lái)”為主題聚焦化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，搭建全球性的技術(shù)交流、產(chǎn)品展示與產(chǎn)業(yè)合作高端平臺(tái)。
2025-09-22 14:31:32846 
在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的規(guī)?；瘧?yīng)用，到第四代氧化鎵（Ga2O3
2025-09-30 15:44:091412 
半導(dǎo)體行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的范式轉(zhuǎn)變。盡管硅材料在數(shù)十年間始終占據(jù)主導(dǎo)地位，但化合物半導(dǎo)體（由元素周期表中兩種及以上元素構(gòu)成的材料）正迅速崛起，成為下一代技術(shù)的核心基石。從電動(dòng)汽車到5G基礎(chǔ)設(shè)施，這些
2025-10-14 09:19:17656 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論