硫系化合物隨機(jī)存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱C-RAM。C-RAM單元結(jié)構(gòu)是下電極/相變材料/上電極，其中相變材料是硫系化合物存儲(chǔ)介質(zhì).
2012-04-27 11:05:09
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近幾年才逐漸步入商品化的新一代存儲(chǔ)技術(shù)——相變存儲(chǔ)（PCM），以高性能著稱，具有替代傳統(tǒng)存儲(chǔ)甚至閃存的能力，由此勢(shì)必將引發(fā)存儲(chǔ)市場(chǎng)的新一輪變革。
2013-12-04 09:43:091515 ）、氧化物電阻存儲(chǔ)器（OxRAM）。Rambus公司的杰出發(fā)明家和營(yíng)銷方案副總裁Steven Woo說(shuō)：“經(jīng)典存儲(chǔ)架構(gòu)中有一個(gè)需要填補(bǔ)的空白。這些新型存儲(chǔ)器中有一兩種會(huì)生存下來(lái)，可能是3D XPoint
2017-02-21 11:05:473149 
的存儲(chǔ)器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲(chǔ)器，提高存儲(chǔ)性能。這篇文章將分析新的主要的基于無(wú)機(jī)材料的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，如鐵電存儲(chǔ)器 (FeRAM)、磁阻存儲(chǔ)器(MRAM)和相變存儲(chǔ)器(PCM)，以及主要的基于鐵電或?qū)щ婇_(kāi)關(guān)聚合物等有
2017-12-18 10:02:216033 
第 4 章 存儲(chǔ)器4.1概述存儲(chǔ)器可分為那些類型現(xiàn)代存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)，為什么要分層一、存儲(chǔ)器分類1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類（1）半導(dǎo)體存儲(chǔ)器TTL、MOS易失（2）磁表面存儲(chǔ)器磁頭、載磁體（3）磁芯存儲(chǔ)器
2021-07-29 07:40:10
各種各樣的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器分類按存儲(chǔ)器介質(zhì)分類按存儲(chǔ)方式分類按在計(jì)算機(jī)中的作用分類存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)如圖，存儲(chǔ)系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu)主要體現(xiàn)在緩存-主存和主存-輔存這兩個(gè)存儲(chǔ)層次上。CPU和緩存、主存都能直接交換信息；緩存能直接和CPU、主存交換信息；主存可以和CPU、緩存、輔存交換信息。緩存-主存層
2022-01-19 06:35:54
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
可以為外部針對(duì)存儲(chǔ)器的訪問(wèn)，例如，上述裝置之外的第二裝置請(qǐng)求獲取上述裝置的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)的內(nèi)容時(shí)，將產(chǎn)生針對(duì)上述存儲(chǔ)器的多個(gè)訪問(wèn)。上述第一操作時(shí)機(jī)可以為針對(duì)存儲(chǔ)器的多個(gè)訪問(wèn)到達(dá)存儲(chǔ)控制器的時(shí)間點(diǎn)；上述第二
2019-11-15 15:44:06
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲(chǔ)器的特性進(jìn)行分割成為一個(gè)合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲(chǔ)器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲(chǔ)器，帶寬分割在高水平上，主要有3個(gè)
2018-05-17 09:45:35
第一部分、章節(jié)目錄3.2.1.STM32的存儲(chǔ)器映像13.2.2.STM32的存儲(chǔ)器映像23.2.3.STM32的位帶操作詳解3.2.4.STM32的啟動(dòng)模式3.2.5.STM32的電源管理系統(tǒng)
2021-12-30 08:11:20
題目是一個(gè)停車場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
主要分為鐵芯式變壓器和殼式變壓器兩種。
鐵芯式三相變壓器
考慮一個(gè)三相單相鐵芯型變壓器，彼此成120°，如下圖所示。如果將平衡的三相正弦電壓施加到繞組上，則磁通量φ一個(gè)，
φb和φc也將是正弦
2023-04-23 17:48:56
技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新式存儲(chǔ)器機(jī)制和材料。目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲(chǔ)機(jī)制，相變存儲(chǔ)器（PCM）就是其中一個(gè)最被業(yè)界看好的非易失性存儲(chǔ)器，具有閃存無(wú)法匹敵的讀寫性能和升級(jí)能力。在室溫環(huán)境中，基于第六族
2019-06-26 07:11:05
決這個(gè)問(wèn)題，可將頁(yè)面地址提前從數(shù)據(jù)總線中輸出并存放在鎖存器中備用。將鎖存器直接掛在數(shù)據(jù)總線上，并為其安排一個(gè)I/O地址，構(gòu)成頁(yè)面寄存器。在訪問(wèn)儲(chǔ)器時(shí)，提前將頁(yè)面地址作為數(shù)據(jù)寫入頁(yè)面寄存器中
2018-07-26 13:01:24
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的問(wèn)題：我把我的數(shù)據(jù)發(fā)送到FX2LP，當(dāng)我想再讀取它時(shí)，數(shù)據(jù)被移動(dòng)。如何將數(shù)據(jù)寫入FIFO的第一個(gè)地址，并從第一個(gè)地址讀取數(shù)據(jù)？接收數(shù)據(jù)JPG158.2 K 以上來(lái)自于百度翻譯 以下
2019-06-18 09:12:45
本人新手，需要構(gòu)建一個(gè)使用大量SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用，求指點(diǎn)，具體需求如下：需要大量的高速存儲(chǔ)，只能使用SRAM才能滿足要求，計(jì)劃使用10塊8M的片外SRAM。目前我已學(xué)會(huì)基本的知識(shí)（看完芯航線
2019-08-07 15:25:58
采用NI系列PXI板卡及靈活方便的LabVIEW軟件平臺(tái)，構(gòu)建了一套某裝備存儲(chǔ)器的檢測(cè)系統(tǒng)。
2021-05-12 06:53:27
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
什么存儲(chǔ)介質(zhì)適用于intel optane SSD 800P，900P，905P，intel optane SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)是所有相變存儲(chǔ)器或相變存儲(chǔ)器的一部分，如果它們
2018-11-19 14:18:38
基于12F1822芯片的電池放電測(cè)試器1、使用AD來(lái)測(cè)量被測(cè)電池電壓，8位精度2、每隔10S記錄一次3、存滿之后使用LED指示想知道 怎么檢測(cè)存儲(chǔ)器存滿！說(shuō)明書里也沒(méi)有對(duì)應(yīng)的標(biāo)志位，謝謝。
2016-07-14 10:30:42
相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)摘要: 介紹了一種新型的相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路的基本原理, 設(shè)計(jì)了一種依靠電流驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路, 整體電路由帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
2010-05-08 09:42:33
43 摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問(wèn)題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
相變存儲(chǔ)器技術(shù)基礎(chǔ) 相變存儲(chǔ)器（PCM）是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來(lái)存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等
2009-11-21 10:55:551074 相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)基礎(chǔ)知識(shí)
相變存儲(chǔ)器（PCM）是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來(lái)存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液
2009-11-23 09:19:033661 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電
2009-12-19 10:37:46946 
面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28840 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 Symwave獲得全球第一個(gè)USB 3.0設(shè)備認(rèn)證
超高速(SuperSpeed) USB3.0芯片系統(tǒng)方案領(lǐng)導(dǎo)供貨商Symwave(芯微科技)宣布，該公司的SW6316 USB 3.0到SATA存儲(chǔ)控制器已率先獲得USB-IF(USB設(shè)計(jì)
2010-01-09 10:04:181606 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和
2010-01-11 10:02:22883 淺談存儲(chǔ)器的“升存”之道
還是小孩子的時(shí)候，小編就已經(jīng)擁有了拆卸東西的“陋習(xí)”，雖然當(dāng)時(shí)拆下來(lái)的零件總有一些裝不回去，但是啟蒙教
2010-03-24 09:12:54504 MCP存儲(chǔ)器,MCP存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理
當(dāng)前給定的MCP的概念為：MCP是在一個(gè)塑料封裝外殼內(nèi)，垂直堆疊大小不同的各類存儲(chǔ)器或非存儲(chǔ)器芯片，
2010-03-24 16:31:282499 Numonyx推出全新相變存儲(chǔ)器系列
該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性，適用于固線
2010-04-29 11:30:371384 相變存儲(chǔ)器（Phase Change Memory，PCM)是一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)。PCM存儲(chǔ)單元是一種極小的GST（鍺、銻和碲）硫族化合物顆粒，通過(guò)電脈沖的形式集中加熱的情況下，它能夠從
2010-06-02 11:57:001261 單片機(jī)的存儲(chǔ)器有程序存儲(chǔ)器ROM與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM兩種。 這兩種存儲(chǔ)器在使用上是嚴(yán)格區(qū)分的，不得混用。 程序存儲(chǔ)器存放程序指令，以及常數(shù)，表格等；而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器則存
2010-06-29 17:09:082358 相變存儲(chǔ)器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)。透過(guò)比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 相變存儲(chǔ)器(PCM)是一種非易失存儲(chǔ)設(shè)備，它利用材料的可逆轉(zhuǎn)的相變來(lái)存儲(chǔ)信息。同一物質(zhì)可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態(tài)下存在，這些狀態(tài)都稱為相。相變存
2011-03-31 17:43:21103 S7-200 將信息存于不同的存儲(chǔ)器單元，每個(gè)單元都有唯一的地址。你可以明確指出要存取的存儲(chǔ)器地址，這樣就允許用戶程序直接存取這個(gè)信息。
2011-07-01 10:58:27170 BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎?，已?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法
2011-07-07 09:26:183234 山東省濟(jì)南華芯半導(dǎo)體公司旗下首條高端(FBGA)存儲(chǔ)器集成電路封裝測(cè)試生產(chǎn)線日前在下線，這將改變中國(guó)大容量存儲(chǔ)器芯片長(zhǎng)期依賴國(guó)外的局面
2011-12-28 09:17:291542 如何編譯第一個(gè)文件，感興趣可以看看
2016-01-21 11:16:480 STM32第一個(gè)例子是學(xué)習(xí)RAM單片機(jī)非常好的開(kāi)始
2016-07-14 18:14:390 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 單片機(jī)點(diǎn)亮第一個(gè)燈
2017-03-28 14:26:501 學(xué)習(xí)單片機(jī)的第一個(gè)工程文件
2017-09-20 09:47:575 單片機(jī)的存儲(chǔ)空間有兩種基本結(jié)構(gòu)。一種是普林斯頓結(jié)構(gòu)（Princeton），將程序和數(shù)據(jù)合用一個(gè)存儲(chǔ)器空間，即ROM和RAM的地址同在一個(gè)空間里分配不同的地址。CPU訪問(wèn)存儲(chǔ)器時(shí)，一個(gè)地址對(duì)應(yīng)惟一的一
2017-11-07 17:28:4822545 
據(jù)報(bào)道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長(zhǎng)繆向水及其團(tuán)隊(duì)正在研制一款基于相變存儲(chǔ)器的3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù)。他估計(jì)，在這項(xiàng)技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會(huì)比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域開(kāi)展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲(chǔ)技術(shù)更具實(shí)用性和可行性。 近年來(lái)，相變存儲(chǔ)器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計(jì)算機(jī)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001968 近日，淮安市舉行集成電路產(chǎn)業(yè)現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)暨江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司相變存儲(chǔ)器工廠竣工運(yùn)營(yíng)啟動(dòng)儀式。
2018-03-28 14:58:197267 日前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以“芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)”為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的廠房已經(jīng)完成廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)的安裝。只要生產(chǎn)設(shè)備搬入并完成調(diào)試之后，就可以量產(chǎn)NAND Flash芯片，打響中國(guó)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的第一槍。
2018-05-30 02:28:008746 Numonyx相變存儲(chǔ)器（PCM）的倡導(dǎo)者Jamshid闡述了什么是相變存儲(chǔ)器，以及它正如何改變著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的面貌。
2018-06-26 08:55:003838 多年來(lái)，該行業(yè)一直致力于各種存儲(chǔ)技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲(chǔ)器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲(chǔ)器都對(duì)應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢(shì)必將在存儲(chǔ)器家族中取代一個(gè)或者多個(gè)傳統(tǒng)型存儲(chǔ)。
2018-09-05 15:51:1210175 據(jù)外媒報(bào)道，總部位于加利福尼亞州圣何塞的歐司朗業(yè)務(wù)部門LED Engin日前宣布推出了LZ7 Plus。LED Engin聲稱LZ7 Plus是世界上第一個(gè)50W七芯LED發(fā)光器。
2018-10-19 15:26:241979 新興存儲(chǔ)器(emerging memory)現(xiàn)在多指的是新的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，最主要包括相變半導(dǎo)體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式存儲(chǔ)器(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
2018-10-19 10:41:054935 該視頻重點(diǎn)介紹了UltraScale +產(chǎn)品系列的第一個(gè)成員Zynq?UltraScale+?MPSoC，并展示了使用可編程邏輯中的DDR4 SDRAM IP的存儲(chǔ)器接口系統(tǒng)的穩(wěn)健性。
2018-11-29 06:36:003849 存儲(chǔ)器的。關(guān)鍵成分是一種可以對(duì)電流作出反應(yīng)而發(fā)生相變的材料。它們通常是鍺、碲和銻的合金。在導(dǎo)電的那個(gè)相中，原子排列得很整齊。在另一個(gè)不導(dǎo)電的相中，原子四處運(yùn)動(dòng)，被電流局部加熱，變得雜亂無(wú)章。兩個(gè)電極之間
2018-12-07 08:55:35397 新的技術(shù)出來(lái)。除了主流的電荷捕獲（charge trap）存儲(chǔ)器外，還有鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、相變存儲(chǔ)器（PRAM）、磁存儲(chǔ)器（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2019-01-01 08:55:0013980 
NXP公司，前身為飛利浦公司的芯片部門，正在研究專有的相變存儲(chǔ)器（PCM），該公司的首席技術(shù)官Rene Penning de Vries表示該技術(shù)將十分“有希望”。
2019-01-15 14:30:531447 近年來(lái)，非易失性存儲(chǔ)技術(shù)在許多方面都取得了一些重大進(jìn)展，為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)能效提升帶來(lái)了新的契機(jī)，采用新型非易失性存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)替代傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)可以適應(yīng)計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展對(duì)高存儲(chǔ)能效的需求。以相變存儲(chǔ)器為
2019-03-19 15:43:0110827 
為了解決這個(gè)問(wèn)題，IBM的研究人員給相變存儲(chǔ)器引入了一個(gè)所謂的投影段（projection segment）。投影段是該團(tuán)隊(duì)在2015年首次提出的，它是一個(gè)金屬氮化物導(dǎo)電層，包裹著相變材料芯，并在電極之間平行于相變材料芯運(yùn)行。投影段將信息的寫入和讀取過(guò)程分開(kāi)。
2019-08-29 11:51:134277 據(jù)介紹，相變存儲(chǔ)器是一種兼具壽命長(zhǎng)且斷電后仍可保存數(shù)據(jù)兩種優(yōu)點(diǎn)的存儲(chǔ)器，而目前通用的存儲(chǔ)器技術(shù)主要是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和閃存兩種，占了95%的市場(chǎng)份額。
2019-08-27 17:19:221675 相變存儲(chǔ)器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2019-09-18 11:14:402724 
相變存儲(chǔ)器具有很多優(yōu)點(diǎn)，比如可嵌入功能強(qiáng)、優(yōu)異的可反復(fù)擦寫特性、穩(wěn)定性好以及和CMOS工藝兼容等。
2020-01-07 15:17:516096 新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（FeRAM），磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM），相變存儲(chǔ)器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:312446 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:161487 
磁芯存儲(chǔ)器統(tǒng)治市場(chǎng)長(zhǎng)達(dá)幾十年的時(shí)間，其基本思想采用了m*n個(gè)可被磁化的鐵磁環(huán)，m根東西走向的電線（X1-Xm）和n根南北走向的電線（Y1-Yn）組成一個(gè)m*n個(gè)bit的存儲(chǔ)矩陣。如下圖所示：
2020-08-22 09:18:3913946 cnvrg.io用于機(jī)器學(xué)習(xí)的AI OS宣布將NVIDIA多實(shí)例GPU（MIG）技術(shù)與其數(shù)據(jù)科學(xué)平臺(tái)進(jìn)行了原生集成。cnvrg.io是第一個(gè)集成MIG的ML平臺(tái)，這是一項(xiàng)突破性的新功能
2020-09-16 16:53:393013 “ Arize AI是第一個(gè)上市的ML可觀察性平臺(tái)。我們是唯一可收集實(shí)際數(shù)據(jù)并捕獲真實(shí)模型性能的平臺(tái)。隨著企業(yè)將更多模型部署到生產(chǎn)中并且這些模型變得更加復(fù)雜，模型可觀察性是制作模型的關(guān)鍵成功?！薄狝rize AI首席執(zhí)行官Jason Lopatecki
2020-09-25 10:56:352017 存儲(chǔ)器是集成電路最重要的技術(shù)之一，是集成電路核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要體現(xiàn)。然而，我國(guó)作為IC產(chǎn)業(yè)最大的消費(fèi)國(guó)，相較于國(guó)外三星、英特爾等大型半導(dǎo)體公司的存儲(chǔ)器技術(shù)與產(chǎn)品而言，我國(guó)存儲(chǔ)器的自給能力還相對(duì)
2020-09-26 12:01:182396 。以相變存儲(chǔ)器為代表的多種新型存儲(chǔ)器技術(shù)因具備高集成度、低功耗等特點(diǎn)而受到國(guó)內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，本文介紹相變存儲(chǔ)器的工作原理、技術(shù)特點(diǎn)及其國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)展。 一、相變存儲(chǔ)器的工作原理 相變存儲(chǔ)器（Phase Change
2022-12-20 18:33:252207 本應(yīng)用筆記描述了如何使用瑞薩電子制造的 MCU 控制由 Micron Technology, Inc. 制造的 P5Q 串行相變存儲(chǔ)器，并解釋了為此目的提供的示例代碼的用法。請(qǐng)注意，示例代碼是用于
2021-06-18 17:23:152073 
虛擬存儲(chǔ)器是存儲(chǔ)管理中一個(gè)特別重要的概念，你要認(rèn)真掌握虛存的定義和特征。此外，你還要知道為何要引入虛存、實(shí)現(xiàn)虛存技術(shù)的物質(zhì)基礎(chǔ)、虛存容量受到哪兩方面的限制。
2020-11-25 16:37:2216660 對(duì)于存儲(chǔ)器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機(jī)內(nèi)就具備存儲(chǔ)器。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)只讀存儲(chǔ)器的種類予以介紹，并對(duì)相變存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器生命周期、技術(shù)進(jìn)行對(duì)比。如果你對(duì)存儲(chǔ)器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:009204 第一個(gè)Xilinx Vitis IDE入門helloworld程序
2021-01-23 06:37:568 自制鐵氧體磁芯存儲(chǔ)器的理論和設(shè)計(jì)技術(shù)說(shuō)明。
2021-04-28 15:58:4520 文章目錄內(nèi)存結(jié)構(gòu)程序存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器通用寄存器區(qū)位尋址區(qū)一般RAM區(qū)特殊功能寄存器區(qū)內(nèi)存結(jié)構(gòu)MCS-51單片機(jī)在物理結(jié)構(gòu)上有四個(gè)存儲(chǔ)空間:片內(nèi)程序存儲(chǔ)器、片外程序存儲(chǔ)器、MCS-51單片機(jī)在物理結(jié)構(gòu)
2021-11-23 09:36:0513 今天咱們先來(lái)聊聊如何用proteus建第一個(gè)基于8051單片機(jī)的流水燈工程。Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件，首先不得不感嘆proteus
2021-11-25 14:36:1113 存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-11-26 19:36:0437 光盤存儲(chǔ)器是一種采用光存儲(chǔ)技術(shù)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)器，主要聚焦激光束在盤式介質(zhì)上非接觸地記錄高密度信息。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種，前者構(gòu)成光盤介質(zhì)，后者構(gòu)成磁光盤介質(zhì)。
2022-01-03 06:37:003334 使用STM32CubeIDE的第一個(gè)項(xiàng)目開(kāi)始第一個(gè)項(xiàng)目添加代碼今天開(kāi)始做一個(gè)STM32CubeIDE的第一個(gè)項(xiàng)目，首先需要說(shuō)明的：STM32CubeIDE是一個(gè)免費(fèi)的軟件開(kāi)始第一個(gè)項(xiàng)目在文件菜單中選
2021-12-29 19:29:0911 華中科技大學(xué)成功研制全球最低功耗相變存儲(chǔ)器：比主流產(chǎn)品1000倍 來(lái)源：芯智訊 1月20日，從華中科技大學(xué)集成電路學(xué)院獲悉，該學(xué)院團(tuán)隊(duì)研制出全世界功耗最低的相變存儲(chǔ)器，比主流產(chǎn)品功耗低了1000倍
2022-01-21 13:15:001047 存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存)和輔助存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接...
2022-01-26 19:48:084 不知道你有沒(méi)有想過(guò)，某種編程語(yǔ)言的第一個(gè)編譯器是怎么來(lái)的呢？這不就是“雞生蛋，蛋生雞”的問(wèn)題嗎？
2022-03-12 12:36:453089 存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件，更通俗地說(shuō)，存儲(chǔ)器就是用來(lái)存放數(shù)據(jù)的地方。存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱主存或內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（簡(jiǎn)稱輔存或外存）兩大類，本文將詳細(xì)為您科普存儲(chǔ)器的工作原理等知識(shí)。
2022-10-11 16:58:434875 基于上述因素，越來(lái)越多的MCU大廠開(kāi)始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 本文小編將手把手教你如何在LabVIEW中創(chuàng)建你的第一個(gè)Actor Framework，跟著搭建并感受對(duì)象和類的神奇吧!
2022-12-26 17:00:145065 相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點(diǎn)。
2023-02-01 10:16:151623 寄存器和存儲(chǔ)器的性質(zhì)不同，二者從字面意思就可以理解到一個(gè)是寄存，一個(gè)是存儲(chǔ)。那么他們的具體的原理是存儲(chǔ)器需要從CPU當(dāng)中獲取一部分空間用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和一些計(jì)算機(jī)操作指令；而寄存器是直接暫時(shí)的存數(shù)據(jù)來(lái)執(zhí)行操作。
2023-02-13 09:58:525367 
在筆者看來(lái)，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ?b class="flag-6" style="color: red">存內(nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:403191 
世界上第一個(gè)現(xiàn)代傳感器，人類第一個(gè)電信號(hào)傳感器，第一個(gè)溫度傳感器? 在一些介紹傳感器歷史的內(nèi)容中，有時(shí)候會(huì)將指南車、地動(dòng)儀、日冕儀等等作為最古老的“傳感器”，然而這些中國(guó)古代的偉大發(fā)明，雖然具有一
2023-04-14 16:34:323188 一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱ram。
2023-07-25 15:28:372080 2月24日，據(jù)最新消息，江蘇時(shí)代芯存今天突然宣布公司將重組，重組后華芯杰創(chuàng)集成電路制造（廣東）有限公司將100%持有時(shí)代芯存股權(quán)！
2024-02-25 13:57:113505 
相變存儲(chǔ)器（Phase-Change Random Access Memory，簡(jiǎn)稱 PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲(chǔ)器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)和擦除，通過(guò)測(cè)量電阻的變化讀出信息。
2024-04-27 06:35:002196 
近日，武漢光谷企業(yè)新存科技（武漢）有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱“新存科技”）宣布，其自主研發(fā)的國(guó)產(chǎn)最大容量新型三維存儲(chǔ)器芯片“NM101”已成功面世。這一創(chuàng)新成果有望打破國(guó)際巨頭在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域的長(zhǎng)期壟斷，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的發(fā)展注入新的活力。
2024-10-09 16:53:552590
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