根據(jù)CINNO Research 產(chǎn)業(yè)研究對整體半導體供應鏈的調(diào)查，日本與韓國對于第二次世界大戰(zhàn)強制征用民工的問題無法達到共識以及妥善的處理，日本政府將祭出一連串的出口管制措施:第一階段為開始將對韓國企業(yè)實施半導體與OLED面板材料的出口限制，過去日本出口關鍵材料至韓國企業(yè)均享有一次性申請出口的便利性將不復存在。自7月4日開始，日本相關材料供貨商必須逐筆訂單提出申請出口許可，然而出口許可的申請、審查到核準大約需要90天的時間;第二階段則是日本政府計劃自八月份起將韓國自日本27個友善出口國的白名單行列，已經(jīng)造成韓國半導體廠商以及OLED面板制造商的震撼以及潛在半導體供應鏈的斷鏈危機。

而目前受到影響的材料為氟聚酰亞胺(Fluorinated Polyimides)、光刻膠(Photo Resist)和蝕刻氣體中的高純度含氟化氫（High-Purity Hydrogen Fluoride）等三個重要的品項，而根據(jù)我們從供應鏈訪談的信息，以產(chǎn)量而言日本廠商在含氟聚酰亞胺、光刻膠和高純度氟化氫占全球市場領先地位，以光刻膠來說日本主要供貨商為信越化學工業(yè)、JSR、東京應化工業(yè)、富士電子材料，而高純度氟化氫的日本主要供貨商為森田化工、昭和電工以及Stella Chemifa等，據(jù)了解其他國家業(yè)者在質(zhì)量可靠度以及供貨穩(wěn)定度上跟日本廠商比仍有很大的一段差距，也因此日本雖然在半導體制造端的市場影響性持續(xù)衰減，但在關鍵的半導體材料掌握能力仍屬世界一流。

對于半導體產(chǎn)業(yè)的影響面來分析，目前三星與海力士在光刻膠以及蝕刻氣體高純度氟化氫的庫存量均小于2.5個月，因此若考慮從7月4日起起限制出口時間加上90天的出口申請與審查期，以及這兩個關鍵材料其他廠商的可取代性極低，半導體制程的精密度以及對于材料認證的嚴謹要求也讓半導體廠商無法輕易變換制程或是替換供貨商，如此一來若不能及時解決兩國之間的紛爭，停產(chǎn)的風險將會快速攀升。
?
三星與海力士短期內(nèi)若有停產(chǎn)風險的話，以這兩家公司的產(chǎn)品組合來看，第一個最有潛在影響性的是存儲器產(chǎn)品DRAM和NAND Flash，而由于這一部分有可能受惠的廠商將多屬于非韓國體系的DRAM和NAND Flash供貨商例如美光(廠房位于美國、日本、新加坡和***)、東芝和西部數(shù)據(jù)(廠房位于日本)等這些位于美國和日本的儲存器廠商；指紋識別芯片則是幾乎都在臺積電、聯(lián)電投單，影響也甚微；至于面板驅(qū)動芯片的話，LCD顯示屏的驅(qū)動芯片和手機用TDDI的產(chǎn)能多半在臺積電、聯(lián)電、力積電(力晶+巨晶)和世界先進，這部分對產(chǎn)業(yè)影響也不高，而唯獨在OLED驅(qū)動芯片上，由于三星OLED面板的市占率達到85%以上，而三星OLED面板的驅(qū)動芯片又是使用自己家設計并在自己晶圓廠生產(chǎn)，因此這部分若是受到停產(chǎn)風險的沖擊，直接的影響便是三星OLED面板出貨不順，對于今年下半年搭載三星OLED面板的旗艦機種出貨動能恐有風險，這部分的替代性上將是其他OLED面板廠以及驅(qū)動芯片廠的一個切入點，我們認為將有助于京東方、維信諾、天馬等目前已箭在弦上的OLED面板廠商加速導入進入一線手機品牌或是提升原有市占率的機會，此舉也將有助于帶動配合的OLED驅(qū)動芯片業(yè)者如聯(lián)詠、瑞鼎等加速認證過程。

長期而言，由于全球半導體供應鏈在全球外布局勢動蕩下顯得脆弱，以本次的案例來看，韓國多年來在OLED顯示屏以及半導體市占率雖然位居全球領先地位，但關鍵零組件卻掌握在其他國家，生產(chǎn)與出貨的生死大權竟無法自己掌握，也因此其他擁有半導體產(chǎn)業(yè)聚落的國家也開始認真思考逐步實現(xiàn)關鍵零組件國產(chǎn)化以及生產(chǎn)本土化的過程，來降低運營的風險。短起內(nèi)，雖然日商在氟聚酰亞胺、高純度氟化氫幾乎呈現(xiàn)壟斷的現(xiàn)象，但在光刻膠部分則是可以有其他廠商替代的空間存在，也因此我們認為此次事件將加速半導體廠對于非日本體系的半導體材料公司更為開放的認證態(tài)度，也潛在的提升中國大陸發(fā)展半導體材料的空間。
?
三星與海力士為韓國半導體業(yè)的航空母艦，其工藝技術代表了韓國半導體業(yè)在國際間的競爭力，而三星與海力士在存儲產(chǎn)業(yè)的實力積累早已奠定了領頭羊的地位。
?
以目前正在運行的產(chǎn)線分布來觀察，三星有五座12吋的DRAM產(chǎn)線(全數(shù)位于韓國本土)、四座12吋的NAND Flash(三處位于韓國本土，一座位于中國西安)，晶圓代工上則有一座8吋產(chǎn)線(位于韓國本土)以及3座12吋產(chǎn)線(一座位于美國德州)；海力士的部分則是有三座12吋的DRAM產(chǎn)線(一處位于中國無錫)、四座12吋的NAND Flash產(chǎn)線(全數(shù)位于韓國本土)和一座8吋的晶圓代工產(chǎn)線(位于韓國本土)；東部高科和Magnachip則是分別擁有兩座位于韓國本土的8吋晶圓代工產(chǎn)線。
?
在全球的半導體競爭上，三星與海力士合計席卷了將近全球60%的DRAM產(chǎn)能與50%的NAND Flash產(chǎn)能，在晶圓代工領域，三星、海力士、東部高科和Magnachip則是約略拿下15%的市場占有率，同樣也是不可小覷。
?
此次日本限制出口的策略對于短期內(nèi)集成電路特別是存儲產(chǎn)業(yè)的影響將相對輕微，最主要的原因在于各家存儲器大廠目前包含DRAM, NAND Flash在內(nèi)的庫存均超過三個月，若加入通路客戶以及材半成品的庫存含量則超過六個月以上的水平，庫存水位處于一個歷史高檔的狀態(tài)，因此短期內(nèi)對于半導體產(chǎn)業(yè)結構要有立即的反轉是極為困難的。

但對于存儲產(chǎn)業(yè)來說，六月底東芝/西數(shù)電子位于日本的NAND Flash廠房出現(xiàn)跳電的事件，在產(chǎn)線要在7月15日才能完全正常復工的情況下，估計約莫有將近一個月的NAND Flash產(chǎn)能損失，若把此次日本限制關鍵半導體材料輸往韓國的影響性以及從年初以來各家存儲器廠商紛紛加快減產(chǎn)的速度與擴大減產(chǎn)的規(guī)模，將有機會自今年第四季起大幅降低存儲器庫存水位，將有助于存儲產(chǎn)業(yè)嚴重供過于求的情況在明年可望獲得好轉。