3D集成是實現(xiàn)多芯片異構集成解決方案的關鍵技術，是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回應。3D 堆疊正在電子系統(tǒng)層次結構的不同級別（從封裝級到晶體管級）引入。因此，多年來已經開發(fā)出多種
2024-02-22 09:42:29
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，發(fā)展情況持續(xù)向好。美能3D共聚焦顯微鏡，可通過非接觸式掃描電池表面并建立表面3D圖像，對柵線的高度與寬度、絨面上的金字塔數(shù)量進行定量檢測，以反饋其中的清洗制絨、柵線
2024-03-21 08:32:193181 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-06-03 11:35:242032 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)韓媒報道，三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND開始，將使用長江存儲的專利技術，特別是在“混合鍵合”技術方面。 ? W2W技術是指
2025-02-27 01:56:001039 
電子發(fā)燒友綜合報道 ?作為HBM和3D NAND的核心技術之一，混合鍵合在近期受到很多關注，相關設備廠商尤其是國產設備廠商的市場前景巨大。那么混合鍵合是什么？ ? 混合鍵合是一種結合介電層鍵合和金
2025-06-03 09:02:182704 求大神賜個全面的3D PCB封裝庫（PCB封裝附帶3D模型）?。?！~
2015-08-06 19:08:43
的減輕產品重量呢？采用新型的塑料成型技術：3D混合制造 可以到達要求，3D混合制造步驟是3D打印成型/激光LDS選擇性沉積金屬。采用這種工藝的好處是節(jié)省了制造時間和實現(xiàn)了復雜的饋源/波導等器件的一體化免安裝調試，且?guī)淼牧硗夂锰幨谴蠓葴p輕了產品重量。下面舉例說明：
2019-07-08 06:25:50
`2D工程圖紙，難以高效轉化成3D模型數(shù)據(jù)？多CAD格式混合設計，難以進行標準化？大量舊版本圖紙堆積，難以實現(xiàn)數(shù)據(jù)重用？浩辰3D制圖軟件不僅具備支持主流3D原生和通用文件的導入，對數(shù)據(jù)進行直接編輯
2021-02-24 17:22:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】：或許，有一天醫(yī)療設備公司能使用3D打印機迅速地打印出從定制植入設備到微針尖陣列微量藥物輸送執(zhí)行器等一系列的產品。但據(jù)專家分析，這項技術還未
2012-12-08 00:07:55
3D打印將精準的數(shù)字技術、工廠的可重復性和工匠的設計自由結合在一起，解放了人類創(chuàng)造東西的能力。本文是對當下3D打印技術帶來便利的總結，節(jié)選自中信出版社《3D打印:從想象到現(xiàn)實》一書?；⑿釙^續(xù)摘編該書精華。
2019-07-09 07:02:03
3D顯示技術的原理是什么？3D顯示技術有哪些應用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
good，3d封裝，感謝樓主無償奉獻！！
2015-06-22 10:35:56
不同于以往的立體聲、環(huán)繞聲概念，所謂3D全息聲音技術，就是通過音箱排列而成的陣列來對聲音進行還原，重現(xiàn)最自然、最真實的聲場環(huán)境。舉個最簡單的例子：在3D電影里，常常會出現(xiàn)物體從銀幕飛到觀眾眼前的鏡頭
2013-04-16 10:39:41
`AD16的3D封裝庫問題以前采用封裝庫向導生成的3D元件庫，都有芯片管腳的，如下圖：可是現(xiàn)在什么設置都沒有改變，怎么生成的3D庫就沒有管腳了呢？請問是什么原因？需要怎么處理，才能和原來一樣？謝謝！沒管腳的就是下面的樣子：`
2019-09-26 21:28:33
如題，軟件版本為AD16，問題1：PCB文件是原畫好出過生產文件的，現(xiàn)在需要改版，修改原有鋪銅時很慢，會出現(xiàn)圖中對話框。重新鋪銅就不會出現(xiàn)這種情況。問題2：同一文件導出3D文件和CAD文件都比原來
2022-04-30 12:17:45
模擬這些進程，如何有效且迅速完成實物和模型之間的模擬，不但是現(xiàn)代工業(yè)面臨的問題，也是所有行業(yè)亟待解決問題?！ 澳M”在工業(yè)中的運用 現(xiàn)階段，我們使用的模擬技術主要是3D建模技術。因為在現(xiàn)代工業(yè)制造中
2017-03-17 10:21:34
給PCB添加了3D模型之后，讓封裝旋轉45度，自己填加的3D模型旋轉45度后，代表3D模型的機械層不會和PCB重合；而用封裝向導畫的模型會和PCB重合。請問這個改怎么解決？雖然旋轉45度之后，在3D 模式下，3D圖也是旋轉了45度，但是在2D模式下的機械層看著很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
。使用軟焊可以消除應力，卻要以熱疲勞和低強度為代價，而硬焊具有高強度卻無法消除應力。瞬態(tài)液相鍵合技術要求使用一個擴散勢壘，以防止Si3N4襯底上的銅金屬化層與用來鍵合SiC芯片的Au層之間的互擴散
2018-09-11 16:12:04
想請教一下大神們，allegro如何制作3D封裝庫的
2018-05-09 08:33:17
當3D電影已成為影院觀影的首選，當3D打印已普及到雙耳無線藍牙耳機，一種叫“3D微波”的技術也悄然而生。初次聽到“3D微波”，你可能會一臉茫然，這個3D微波是應用在哪個場景？是不是用這種技術的微波爐1秒鐘就能把飯煮熟？O M G!我覺得很有必要給大家科普一下！
2019-07-02 06:30:41
`求解如圖，我在AD16導入step文件后，在封裝庫能看到3D元件，但是更新到PCB后卻看不到3D模型`
2019-05-10 15:42:46
AD 在3D顯示下，怎么去除3D封裝的顯示，我只看焊盤，有時候封裝會遮掩底部的焊盤
2019-09-23 00:42:42
材料沉積和去除轉移，所使用的材料種類也大幅增加。另一方面，設備結構和制程技術也實現(xiàn)了大幅創(chuàng)新，從氮氧化硅(SiON)到28/32nm高K值金屬柵極(HKMG)，再到16/14nm 3D FinFET
2014-07-12 17:17:04
我用ALTIUM10 畫PCB封裝 從網(wǎng)上下載的3D模型怎么導入的時候顯示不了，前幾天還可以顯示 現(xiàn)在一個都顯示不了， 是不是弄錯了， 手動畫3D 又能顯示方塊模型 導入的時候就一點效果都沒有像沒有導入3D模型一樣， 求大師指點。
2016-07-12 22:48:20
芯片封裝鍵合技術各種微互連方式簡介微互連技術簡介定義：將芯片凸點電極與載帶的引線連接，經過切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶：即帶狀載體，是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經蝕刻而形成的引線框架，而且芯片
2012-01-13 14:58:34
。另外，格芯還表示，因為當前的12納米工藝成熟穩(wěn)定，因此目前在3D空間上開發(fā)芯片更加容易，而不必擔心新一代 7 納米工藝所可能帶來的問題。從數(shù)據(jù)來看，據(jù)相關資料顯示，與傳統(tǒng)封裝相比，使用3D技術可縮短
2020-03-19 14:04:57
放置鋪銅的快捷鍵是什么？
2019-08-22 01:32:23
三維（3D）掃描是一種功能強大的工具，可以獲取各種用于計量設備、檢測設備、探測設備和3D成像設備的體積數(shù)據(jù)。當設計人員需要進行毫米到微米分辨率的快速高精度掃描時，經常選擇基于TI DLP?技術的結構光系統(tǒng)。
2019-08-06 08:09:48
無癢銅桿。鍍錫銅絞線（TJRX）采用電鍍錫工藝，具有耐腐蝕、耐熱及焊著性佳、避免氧化等。銅絞線采用高速籠絞機退扭絞合，絞合過程中采用工藝，絞合后的成品硬銅絞線圓整
2022-03-22 20:53:51
SuperViewW系列光學3d輪廓儀是一款用于對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量的檢測儀器?？蓽y各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀
2022-04-19 17:53:02
中圖儀器3d輪廓儀品牌可測從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，以及各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，提供依據(jù)ISO/ASME/EUR/GBT四大國內外標準共計
2022-05-11 14:34:54
中圖儀器W系列3D表面輪廓光學檢測儀器基于白光干涉技術原理，結合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等，能對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量，可測各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體
2023-09-27 11:37:06
SuperViewW1白光干涉技術3D測量輪廓儀是以白光干涉技術為原理，以3D非接觸方式，測量分析樣品表面形貌的關鍵參數(shù)和尺寸?？蓽y各類從超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別
2024-05-16 14:36:05
高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等。SuperViewW廣東3d光學非接觸式輪廓儀可廣泛應用于半導體制造及封裝工藝檢測
2024-09-05 10:33:43
中圖儀器SuperViewW納米級白光3d表面輪廓檢測儀用于對各種精密器件及材料表面進行亞納米級測量。它在半導體制造及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、微納材料及制造、汽車零部件
2024-10-21 14:25:00
SuperViewW微納米3D形貌光學輪廓儀以白光干涉技術為原理，具有測量精度高、操作便捷、功能齊全、測量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點，測量單個精細器件的過程用時短，確保了高款率檢測。產品功能1)樣件測量
2024-12-31 14:48:23
對3D封裝技術結構特點、主流多層基板技術分類及其常見鍵合技術的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術發(fā)展動態(tài)給與了重點的關注。尤其就硅通孔關鍵工藝技術如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52
153 3D元件封裝庫3D元件封裝庫3D元件封裝庫3D元件封裝庫
2016-03-21 17:16:570 實銅和網(wǎng)銅的區(qū)別。
2016-05-20 11:47:380 本通知的目的是宣布汽車“xa”spartan?-3/-3e/-3a/-3a DSP和spartan?6 FPGA產品從金（Au）線過渡到銅（Cu）線的所有線鍵合封裝類型。此更改不會影響包的適合性、形式、功能或MSL等級。
2019-02-14 16:19:004 應用，新的TSV技術將于2019年上市，即來自英特爾（Intel）的Foveros（基于“有源”TSV中介層和3D SoC技術，具有混合鍵合和TSV互連（可能）技術）。Foveros的出現(xiàn)表明，雖然“TSV”受到了來自“無TSV”技術的挑戰(zhàn)，但廠商仍然對它很有信心。
2019-02-15 10:42:198043 
EV集團將在SEMICON CHINA展出用于3D-IC封裝的突破性晶圓鍵合技術 較之上一代對準系統(tǒng)，GEMINI FB XT 熔融鍵合機上的全新 SmartView NT3 對準系統(tǒng)可提升2-3
2019-03-05 14:21:362554 從低密度的后通孔TSV 硅3D集成技術，到高密度的引線混合鍵合或3D VSLI CoolCubeTM解決方案，研究人員發(fā)現(xiàn)許多開發(fā)新產品的機會。本文概述了當前新興的硅3D集成技術，討論了圖像傳感器
2020-01-16 09:53:001550 據(jù)外媒報道，近日智利一家公司利用銅離子的殺菌特性生產出了一款銅口罩，抗菌性能比一般口罩更好。
2020-04-16 22:26:534247 美國的復合材料和金屬3D打印機品牌Markforged發(fā)布了純銅3D打印耗材，將適配Metal X 金屬3D打印機。
2020-04-28 15:35:393454 波蘭華沙大學的研究人員利用激光直接書寫（DLW）3D打印技術設計出了微米大小的鏡片。這種3D打印的透鏡可以在各種材料上制作，包括易碎的石墨烯類材料。
2020-05-18 23:36:594486 有別于傳統(tǒng)的封裝技術，TSMC-SoIC是以關鍵的銅到銅接合結構，搭配直通矽晶穿孔（TSV）以實現(xiàn)最先進的3D IC技術。目前臺積電已完成TSMC-SoIC制程認證，開發(fā)出微米級接合間距（bonding pitch）制程
2020-09-02 14:16:322484 代工廠、設備供應商、研發(fā)機構等都在研發(fā)一種稱之為銅混合鍵合（Hybrid bonding）工藝，這項技術正在推動下一代2.5D和3D封裝技術。
2020-10-10 15:24:327955 
周南嘉團隊將3D多材料打印技術引入芯片級高端制造領域，利用3D打印技術進行三維高精度光電封裝、制造高頻無源器件，例如可將天線尺寸縮小到十微米至百微米級別。
2020-11-18 15:18:043183 近日，西安紫光國芯半導體有限公司（以下簡稱“紫光國芯”）在第63屆國際電子器件大會（IEDM 2020）上公開發(fā)表了技術論文——《采用3D混合鍵合技術具有34GB/s/1Gb帶寬和0.88pJ/b能
2021-01-26 16:00:147371 
2021年2月27日，南極熊獲悉，工業(yè)3D打印機制造商Digital Metal宣布推出一種新的純銅粉末DM Cu，用于粘合劑噴射3D打印技術。 DM P2500 3D打印機的用戶現(xiàn)在可以在車
2021-03-01 10:10:252827 音圈模組3D打印幫助孩子重塑面容。3D打印技術與醫(yī)學的額配合是越來越多了，近日，山東大學醫(yī)院口腔科成功為一5歲下頜骨骨折患兒實施3D打印個性化鈦板骨折內固定手術，使鈦釘進入下頜骨的位置避開牙胚。手術順利，患兒恢復良好。
2021-08-24 16:55:58887 MicroFAB-3D雙光子聚合3D納米光刻機是一款超緊湊、超高分辨率交鑰匙型3D打印機。雙光子聚合3D納米光刻機基于雙光子聚合(TPP)激光直寫技術，兼容多種高分子材料，包括生物材料。MicroFAB-3D 3D納米光刻機幫助您以百納米級的分辨率生產出前所未有的復雜的微部件.
2022-08-08 13:54:188187 
.，滿足介電常數(shù)(Dk)和介質損耗因子(Df)技術指標要求，功耗不增加。
我們推出的銅面鍵合劑替代傳統(tǒng)PCB中的銅中粗化，增強防焊，干濕膜的分離，另外不咬銅，不損銅，不增加銅表面的粗糙度，適合高頻板的生產。與此同時還不產生銅的廢水，環(huán)保
2022-11-11 17:49:303743 使用 3D 納米打印
2022-12-28 09:51:071449 使用久經考驗的銅夾片技術的經驗，開發(fā)出創(chuàng)新的CCPAK。將銅夾片封裝技術的所有公認優(yōu)點應用于650 V及更高電壓應用。
2023-02-09 09:51:582202 
在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用焊錫球凸點(solder bump)或微凸點（Micro bump）來實現(xiàn)芯片與基板
2023-04-20 09:40:1621819 設備由MEMS領域應用轉化到3D集成技術領域，表現(xiàn)出高對準精度特點。大多數(shù)對準、鍵合工藝都源于微機電系統(tǒng)（MEMS）制造技術，但應用于3D集成的對準精度要比傳統(tǒng)MEMS對準精度提高5～10倍，目前設備對準精度已經達到亞微米級。
2023-04-20 11:47:226852 兩片晶圓面對面鍵合時是銅金屬對銅金屬、介電值對介電質，兩邊鍵合介面的形狀、位置完全相同，晶粒大小形狀也必須一樣。所以使用混合鍵合先進封裝技術的次系統(tǒng)產品各成分元件必須從產品設計、線路設計時就開始共同協(xié)作。
2023-05-08 09:50:302600 研究人員首先對銀納米顆粒/銅納米線進行了合成，并對制備的銅納米線和化學沉積后負載不同尺寸銀納米顆粒的銅納米線進行了形貌和結構表征（圖1）。隨后，利用制備的銀納米顆粒/銅納米線材料制備獲得銀納米顆粒/銅納米線電極，用于后續(xù)無酶葡萄糖傳感性能的研究。
2023-05-12 15:19:282532 
的優(yōu)越性，概述了納米線、納米多孔骨 架、納米顆粒初步實現(xiàn)可圖形化的 Cu-Cu 低溫鍵合基本原理. 結果表明，基于納米材料燒結連接的基本原理，繼續(xù) 開發(fā)出寬工藝冗余、窄節(jié)距圖形化、優(yōu)良互連性能的 Cu-Cu 低溫鍵合技術是未來先進封裝的重要發(fā)展方向之一.
2023-06-20 10:58:484694 
在本文中，我們將討論混合鍵合的趨勢、混合鍵合面臨的挑戰(zhàn)以及提供最佳解決方案的工具。
2023-07-15 16:28:083164 
相對于傳統(tǒng)平面型的金絲鍵合焊接的MMIC應用，三維（3D）多芯片互連封裝MMIC以其高集成度、低損耗、高可靠性等性能優(yōu)勢，正逐步在先進電路與系統(tǒng)中得到應用。而3D封裝引入的復雜電磁耦合效應，在傳統(tǒng)
2023-08-30 10:02:075731 
先進半導體封裝的凸塊技術已取得顯著發(fā)展，以應對縮小接觸間距和傳統(tǒng)倒裝芯片焊接相關限制帶來的挑戰(zhàn)。該領域的一項突出進步是 3D Cu-Cu 混合鍵合技術，它提供了一種變革性的解決方案。
2023-09-21 15:42:292585 要了解混合鍵合，需要了解先進封裝行業(yè)的簡要歷史。當電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時，微凸塊通過使用芯片上的小銅凸塊作為晶圓級封裝的一種形式，在芯片之間提供垂直互連。凸塊的尺寸范圍很廣，從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。
2023-11-22 16:57:426765 
中得到了廣泛的應用。隨著3D封裝技術的發(fā)展，凸點鍵合技術也被應用于芯片-芯片、芯片-圓片鍵合及封裝體的3D疊層封裝。
2023-12-05 09:40:003259 
據(jù)業(yè)界消息人士透露，為了進一步提升其芯片代工能力，三星正全力推進混合鍵合技術的整合工作。據(jù)悉，應用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安園區(qū)開始安裝先進的混合鍵合設備，這些設備預計將用于三星的下一代封裝解決方案，如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:231266 來源：IMEC Cu/SiCN鍵合技術的創(chuàng)新是由邏輯存儲器堆疊需求驅動的 晶圓到晶圓混合鍵合的前景 3D集成是實現(xiàn)多芯片異構集成解決方案的關鍵技術，是業(yè)界對系統(tǒng)級更高功耗、性能、面積和成本收益需求
2024-02-21 11:35:291454 
值得注意的是，Meta 的原型芯片分為上下兩部分，每個部分都只有 4.1x3.7 mm，其中的下部含有四個機器學習核心和 1 MB 本地內存，上部則集成了 3 MB 內存。通過采用臺積電 SoIC 高級封裝技術，兩片芯片可以緊密貼合地混合鍵合（即銅對銅的直接連接）。
2024-02-23 10:14:501187 用于先進封裝領域的 Cu-Cu 低溫鍵合技術進行了綜述，首先從工藝流程、連接機理、性能表征等方面較系統(tǒng)地總結了熱壓工藝、混合鍵合工藝實現(xiàn) Cu-Cu 低溫鍵合的研究進展與存在問題，進一步地闡述了新型納米材料燒結工藝在實現(xiàn)低溫連接、降低工藝要求方面的優(yōu)
2024-03-25 08:39:562316 
Bonding）技術應運而生，并迅速成為3D芯片封裝領域的核心驅動力。本文將深入探討混合鍵合技術在3D芯片封裝中的關鍵作用，分析其技術原理、應用優(yōu)勢以及未來發(fā)展
2024-08-26 10:41:542476 
摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動汽車驅動系統(tǒng)中起著至關重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅(DBC)單元的功率模塊封裝方法，以并行更多
2024-10-16 13:32:532076 
隨著摩爾定律逐漸進入其發(fā)展軌跡的后半段，芯片產業(yè)越來越依賴先進的封裝技術來推動性能的飛躍。在封裝技術由平面走向更高維度的2.5D和3D時，互聯(lián)技術成為關鍵中的關鍵。面對3D封裝日益增長的復雜性和性能
2024-10-18 17:54:541776 
混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導體封裝領域的新興技術，能夠實現(xiàn)高密度三維集成，無需傳統(tǒng)的焊料凸點。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法的優(yōu)勢，以及該領域的最新發(fā)展。
2024-10-30 09:54:514308 
半導體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設計發(fā)展到晶圓級的尖端 3D 混合鍵合。這一進步允許互連間距在個位數(shù)微米范圍內，帶寬高達 1000 GB/s，同時保持高能效。先進半導體封裝技術的核心是 2.5D
2024-11-05 11:22:041778 
隨著摩爾定律的放緩與面臨微縮物理極限，半導體巨擘越來越依賴先進封裝技術推動性能的提升。隨著封裝技術從2D向2.5D、3D推進，芯片堆迭的連接技術也成為各家公司差異化與競爭力的展現(xiàn)。而“混合鍵合
2024-11-08 11:00:542152 隨著半導體產業(yè)的快速發(fā)展，集成電路（IC）的小型化、高密度集成、多功能高性能集成以及低成本集成成為行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。在這一背景下，3D集成晶圓鍵合技術應運而生，成為實現(xiàn)這些目標的關鍵技術之一。本文
2024-11-12 17:36:132457 
隨著半導體技術的飛速發(fā)展，芯片的性能需求不斷提升，傳統(tǒng)的二維封裝技術已難以滿足日益增長的數(shù)據(jù)處理速度和功耗控制要求。在此背景下，混合鍵合（Hybrid Bonding）技術應運而生，并迅速成為三維
2024-11-13 13:01:323341 
談一談先進封裝中的互連工藝，包括凸塊、RDL、TSV、混合鍵合，有哪些新進展？可以說，互連工藝是先進封裝的關鍵技術之一。在市場需求的推動下，傳統(tǒng)封裝不斷創(chuàng)新、演變，出現(xiàn)了各種新型的封裝結構。 下游
2024-11-21 10:14:404681 
摘要: 隨著半導體技術的發(fā)展，傳統(tǒng)倒裝焊( FC) 鍵合已難以滿足高密度、高可靠性的三維( 3D) 互連技術的需求。混合鍵合( HB) 技術是一種先進的3D 堆疊封裝技術，可以實現(xiàn)焊盤直徑≤1 μm
2024-11-22 11:14:464487 
引言 Cu-Cu混合鍵合(Cu-Cu Hybrid Bonding) 技術正在成為先進3D集成的重要技術，可實現(xiàn)細間距互連和高密度芯片堆疊。本文概述了Cu-Cu混合鍵合的原理、工藝、主要挑戰(zhàn)和主要
2024-11-24 12:47:063760 
、高溫服役、優(yōu)異的導熱和導電性能，以及相對較低的成本，在功率器件封裝研究領域備受關注。本文將綜述納米銅燒結連接技術的研究進展，從納米銅焊膏的制備、影響燒結連接接頭
2024-12-07 09:58:552833 
技術前沿：半導體先進封裝從2D到3D的關鍵 半導體分類 集成電路封測技術水平及特點?? ? 1. 發(fā)展概述 ·自20世紀90年代以來，集成電路封裝技術快速發(fā)展，推動了電子產品向小型化和多功能方向邁進
2025-01-07 09:08:193353 
混合鍵合技術（下） 先進封裝技術（Semiconductor Advanced Packaging） - 3 Chiplet 異構集成（上） 先進封裝技術（Semiconductor
2025-01-08 11:17:013032 
整合更多功能和提高性能是推動先進封裝技術的驅動，如2.5D和3D封裝。 2.5D/3D封裝允許IC垂直集成。傳統(tǒng)的flip-chip要求每個IC單獨封裝，并通過傳統(tǒng)PCB技術與其他IC集成
2025-01-14 10:41:332903 
混合鍵合3D芯片技術將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸，芯片制造商正在爭奪每一納米的空間。但在未來5年里，一項涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術可能同樣重要。 這項技術被稱為“混合鍵合”，可以
2025-02-09 09:21:431230 
在半導體功率模塊封裝領域，互連技術一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關鍵因素。近年來，隨著納米技術的快速發(fā)展，納米銀燒結和納米銅燒結技術作為兩種新興的互連技術，備受業(yè)界關注。然而，在眾多應用場景中
2025-02-24 11:17:061760 
3D封裝與系統(tǒng)級封裝概述 一、引言：先進封裝技術的演進背景 隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限，半導體行業(yè)開始從單純依賴制程微縮轉向封裝技術創(chuàng)新。3D封裝和系統(tǒng)級封裝（SiP）作為突破傳統(tǒng)2D平面集成限制
2025-03-22 09:42:561794 
所謂混合鍵合（hybrid bonding），指的是將兩片以上不相同的Wafer或Die通過金屬互連的混合鍵合工藝，來實現(xiàn)三維集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封裝都是采用
2025-07-10 11:12:172722 
，正逐漸成為提升芯片性能與集成度的關鍵手段，LG 電子的加入有望為該領域帶來新的活力與變革。 混合鍵合技術通過銅對銅、介質對介質的直接鍵合方式，實現(xiàn)芯片間的電氣與機械連接，相比傳統(tǒng)封裝技術，它能夠顯著減小芯片間的間距，提升信號傳
2025-07-15 17:48:02530 一萬億晶體管”目標的關鍵跳板。當前先進封裝雖提高了I/O密度，但愈發(fā)復雜的異構設計與Chiplet架構對I/O數(shù)量、延遲提出了更高要求，以滿足AI、5G和高性能計算等應用。混合鍵合互連技術正成為關鍵突破口，它可顯著降低能耗、擴大帶寬、優(yōu)化熱管理，從而助力摩爾定律繼續(xù)前行。 Cou
2025-07-28 16:32:54384 隨著半導體器件特征尺寸不斷縮小，三維（3D）封裝技術已成為延續(xù)摩爾定律的重要途徑。銅-介質混合鍵合（HybridBonding）通過直接連接銅互連與介電層，實現(xiàn)了高密度、低功耗的異質集成。然而
2025-08-05 17:48:53865 
在先進封裝中， Hybrid bonding( 混合鍵合)不僅可以增加I/O密度，提高信號完整性，還可以實現(xiàn)低功耗、高帶寬的異構集成。它是主要3D封裝平臺（如臺積電的SoIC、三星的X-Cube
2025-09-17 16:05:361471 
銅膏作為重要的連接與導電材料，廣泛應用于電子封裝、電路組裝等場景。納米銅膏和普通銅膏在產品粒徑、產品性能、成本等方面存在差異，對于工藝適配、應用場景也不同，兩者起到互補的作用。
2025-09-25 10:21:081228 
3D封裝架構主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進工藝實現(xiàn)高密度互連。
2025-10-16 16:23:321553 
集成電路封裝技術從2D到3D的演進，是一場從平面鋪開到垂直堆疊、從延遲到高效、從低密度到超高集成的革命。以下是這三者的詳細分析：
2025-12-03 09:13:15440
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