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下一代晶體管露臉
下一代晶體管露臉
ATDF 公司和HPL 公司最近展示了面向多柵場效應(yīng)晶體管(MuGFET)的45nm 技術(shù)節(jié)點上的
工藝能力,MuGFET 這種先進的半導(dǎo)體器件最終可能取代傳統(tǒng)的CMOS 晶體管。
ATDF 在HPL 的試驗芯片部的協(xié)助下生產(chǎn)這種半導(dǎo)體,該部門用其建立試驗芯片的基礎(chǔ)設(shè)施
和項目管理技術(shù),協(xié)助ATDF 滿足超常的標線設(shè)計交付需求。
隨著 MuGFET 開發(fā)項目第一階段的結(jié)束,ATDF 已經(jīng)可以向任何需要采用這種工藝技術(shù)的公
司提供試驗芯片.其他的項目實施階段將解決論證實驗中出現(xiàn)的制造問題,如門限電壓跌落。
與傳統(tǒng)的 CMOS 器件相比,MuGFET 被看做是實現(xiàn)與摩爾定律保持步調(diào)一致以及滿足國際半
導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)需求的可選器件。
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