在過去的一年里，由于DVD播放機、數(shù)碼相機、MP3播放機、數(shù)字有線機頂盒/衛(wèi)星機頂盒、數(shù)字電視和可拍照手機等消費類電子產品銷售一路看好，閃存成為半導體歷史上鮮見的熱銷產品。根據(jù)市場分析公司iSuppli的研究報告，如果將多芯片封裝產品(Multi-chip Package)計算在內，全球閃存產品銷售額2003年增長47%，達到116億美元，而出貨量則從2002年的179億件提高到247億件，增長38%。
在目前的閃存產品中，主要有NOR和NAND兩類，目前NOR類產品在市場中居于主導地位，由于技術的演變和用戶端產品的功能要求增加，這種現(xiàn)狀在今后幾年有望大翻盤。由于市場需求的巨大驅動，傳統(tǒng)的閃存產品供應商陸續(xù)增大產能，不斷推出新品；而一些原本無此產品的廠商也紛紛涉足，使該產品領域競爭有增無減，甚至面臨新一輪產能過剩。

NOR和NAND此消彼長：
兩年之后打成平手
2003年，NAND閃存占整體市場的35%左右，而包括多芯片封裝產品在內，NOR則占據(jù)了剩余的65%，其中多芯片封裝產品的份額占閃存整體市場的17%。NOR由于先入為主和較高的存儲密度，在多功能手機、機頂盒、DVD播放機和數(shù)碼相機等消費類電子產品中得到廣泛應用。但相對NAND閃存而言，NOR也有一些致命的缺點，其中最大的是價位較高。在消費類電子產品中成本因素是產品成功的關鍵。盡管現(xiàn)有的產品設計中仍在使用傳統(tǒng)的NOR閃存，但在技術和標準不斷演變的趨勢下，一旦需要對設計做根本性的更改，轉而使用NAND產品的比例將大幅度增加。
以手機為例，目前市場上第二代手機廣泛使用NOR閃存做為現(xiàn)場執(zhí)行(Execute in Place)碼存儲器，而用SRAM或PSARM(Pseudo SRAM)作為緩沖或工作存儲。但隨著2.5G和3G時代的來臨，可以明顯預見，未來的手機不僅是作為通話工具，而更多的是數(shù)據(jù)業(yè)務(見圖1)。

圖1 全球手機市場數(shù)據(jù)業(yè)務增長態(tài)勢

圖2 全球閃存市場的需求變化

內嵌有MP3、照相機、PDA等功能的手機將主導未來3G市場，這些手機在設計中不僅僅是簡單地增加功能，由于數(shù)據(jù)處理量的增大，需要從基帶處理器、應用處理器、顯示、接口、藍牙功能、照相甚至視頻模塊等一并考慮，所帶來的是設計的根本改變。同時，硅片含量的增加也促使此類手機成本直線上升，但一般預計未來高端手機的價格上限是300美元左右，新的設計在選用閃寸產品時，自然會有一部分轉向NAND產品。
但在總體消費類電子產品市場，成本無疑將是主導中低端產品的主要因素。NAND閃存由于其較低的價格和較高的單位成本存儲密度，在一些消費類電子產品中得到廣泛應用是大勢所趨。iSuppli公司預計NOR閃存的份額將從2003年的65%降低到2004年的58%，相反，NAND閃存的份額將從2003年的35%增加到2004年的42%。到2007年，NAND將成為主導閃存市場的產品，在整體閃存247億美元的市場總量中占57%，而NOR閃存則退居43%。

最后的懸念：
手機選用NOR還是NAND
還是以手機為例，采用NAND閃存進行設計的解決方案是NAND加SDRAM的方式，這種解決方案相對于NOR加SRAM或PSARM的方式自然具有成本方面的優(yōu)勢，即使在目前NAND閃存價格已經大幅度上漲的情況下，仍然比NOR閃存低30%左右。除成本因素外，NAND第二個優(yōu)勢是NAND既可用于碼存儲，也可用于數(shù)據(jù)存儲，自然也可以使信息在兩種格式之間自由轉換。
但利用NAND的不利因素是，選用的芯片組必須能夠支持這樣一個存儲方式，另外在從NAND向SDRAM傳輸數(shù)據(jù)時會產生延遲，功耗也將增大，這些對于功耗捉襟見肘的高端手機自然是不愿看到的。有人認為，目前手機設計采用NAND閃存作為碼存儲器的另一個缺點是，產生誤碼和失效的幾率比較高。因此，手機制造商需要考慮產品的性能、合格率和可靠性等問題，但要做到這點并非容易。這些在一定程度上也將制約NAND快速替代NOR。然而三星和東芝兩家公司認為，3G手機業(yè)務的開展，將導致市場總體銷售轉向NAND。 但真正達到這樣的目標，仍需要在應用處理器、芯片組和操作系統(tǒng)等方面做相應的改進。
業(yè)內人士認為，雖然NAND具有價格上的優(yōu)勢，但性能方面有局限性。由于手機市場用戶差異很大，在產品性能和價位之間有不同的側重點。面向高端市場的手機產品可能選擇NOR+SRAM/PSRAM更加合適，而對于低端市場的手機產品，更看重的是產品的價格，因此選用NAND+SDRAM可能優(yōu)勢更大。
由于手機必須采用NOR閃存做為啟動存儲器，常用的手機設計方案要么采用NAND另加一小NOR閃存作為啟動存儲器，要么采用單個大的NOR閃存，從目前的手機設計方案情況看，采用單個NOR閃存的情況更普遍。一些閃存供應商也在從另一途徑，避開對于NOR的依賴。據(jù)了解，M-Systems公司正在同東芝和SanDisk公司合作，開發(fā)無需NOR就能使系統(tǒng)啟動的閃存產品。但目前在高端手機市場出現(xiàn)的一種趨勢是采用第一種設計方案，只不過采用的NOR閃存量更大而已。
Samsung Electronics推出了一款SGH-E100多功能手機，該手機被業(yè)內分析人士認為是一種很優(yōu)秀的設計，它采用128M的NOR閃存作為XIP碼存儲器，128M的NAND閃存作為數(shù)據(jù)存儲器，另有一個PSRAM作為工作存儲器(working memory)。這樣的手機設計雖然從表面上看對于NOR閃存和NAND閃存都是一個可以接受的方案，但手機作為NOR閃存一個最大的應用領域，在2003年接近65%的NOR閃存產品都是用在手機領域，對于NOR閃存供應商來說自然有一點“城門失守”的味道。
Intel公司是手機閃存市場第一大供應商，對于NAND在手機市場的大舉進軍不以為然。該公司堅持認為，對于主流產品，以及具有互聯(lián)網(wǎng)訪問功能的高端手機，還是NOR占主導地位，NAND閃存在手機產品中的應用數(shù)量非常有限，如具有MP3功能的手機。另外針對NOR存儲密度的缺陷，Intel和AMD等其它NOR閃存供應商，同時在向每單元多數(shù)據(jù)位的架構轉變，目標是將NOR產品密度提高到NAND水平。

全球閃存市場：
一夜之間大洗牌
由于NOR和NAND兩種閃存產品的此消彼長，2003年全球閃存市場的格局也呈現(xiàn)大幅度調整。根據(jù)iSuppli公司發(fā)布的2003年全球閃存市場供應商排名，Samsung Electronics 和Toshiba兩家主要關注NAND產品的公司成長最快，市場份額分別為19.4%和16.4%，F(xiàn)ujitsu和AMD成立的合資公司FASL LLC公司市場份額有所下降，但基本維持不變。受影響最大的是Intel公司，2002年的第一大閃存供應商滑落到2003年的第四位，由于該公司的主要產品是NOR型閃存，顯示業(yè)界接受NAND的速度正在加快。但Intel公司在手機用閃存和MCP產品方面仍占據(jù)市場的主體，各自接近30%左右。
Samsung Electronics 和Toshiba兩家公司2003年成功的關鍵在于數(shù)碼相機、MP3和新型手機等對NAND閃存的巨大需求量，另外用于移動存儲的USB硬盤也是NAND閃存應用的一大領域。但并非只有NAND閃存從快速發(fā)展的消費類電子產品領域獲益，NOR閃存在DVD播放機、機頂盒以及其他一些消費類電子產品中的應用也在持續(xù)增長。

2004年觀象：
總體看好，價格穩(wěn)定
消費類電子產品已經崛起成為拉動半導體產業(yè)發(fā)展的最主要動力之一，在未來一年中閃存市場自然會因此受益。 iSuppli公司預計今年閃存市場NOR和NAND產品的增長幅度分別為18%和70%，但并非所有的閃存供應商都是一路順風。由于各家廠商在過去半年中紛紛擴大產能，不斷推出新品，競爭的激烈程度可見一斑，價格上漲的趨勢也將趨于平緩，甚至出現(xiàn)某種程度的回落。
32M及其以下的NOR產品供貨依然比較緊張，價格比較穩(wěn)定。但在進入第二季度后或許出現(xiàn)供求關系的轉變，供貨將比較充足，價格有望回落。首先是NOR產品目前還缺少一個影響很大的應用領域，雖然手機是傳統(tǒng)的NOR應用大戶，但市場份額在不斷被NAND蠶食。另外自從2003年底到現(xiàn)在，有許多新開工的生產線，這些新擴充的產能可望在第二季度開始發(fā)揮效力。影響未來NOR產品市場的另一個因素在于，在過去的半年左右時間里，由于供貨緊張，許多制造商采取了人為加大訂單數(shù)量的策略，可能影響未來的需求關系。
與NOR產品相比，NAND閃存的供貨可能更加緊張，有些產品不得不實行“配給制”，去年以來，由于USB硬盤和MP3等產品需求旺盛，使NAND閃存供不應求。但2003年以來所看到的價格大幅度上升趨勢已經趨緩，這多半也是由于一些傳統(tǒng)廠商的產能擴充和新手進入所致。價格上升變緩的原因也在于第一季度是傳統(tǒng)的消費類電子產品銷售淡季，市場需求的變化可能使市場中NAND產品供貨緊張的狀況得以緩解。但也有分析人士認為，由于今年第一季度與前兩年有所不同，市場對USB硬盤和MP3等產品的需求比往年增長很多，STMicroelectronics和Hynix的閃存產品第一季度不可能面市，最早可能要等到第二季度，因此，今年整個上半年可能都需要對NAND產品實行“配給制”。

遠期市場：
產能擴充，競爭激烈
Intel公司最近宣布了該公司聲稱的全球第一條90nm 閃存生產線，采用該先進工藝的NOR生產線在4月開始供應樣品，在第三季度達到量產。業(yè)內人士預計，在Intel公司雄心勃勃的計劃下，該公司的NOR閃存產能可以在2006年時擴大10倍，對于市場的影響很大。Intel公司新推出的產品是64M的每單元單數(shù)位(Single-bit-per-cell)閃存，而基于多級單元(Multi-level cell)的產品將在今年晚些時候推出。產品可以是256M、512M的分立形式，也可以是片疊式(die-stacked)，在8×11mm封裝下的閃存可提供最大密度到1G的RAM可選產品。
NAND產品市場更是一番熱火朝天的景象。Samsung Electronics、Renesas Technology 和Toshiba等一些傳統(tǒng)的NAND產品生產商已經宣布了產能擴充的計劃，市場發(fā)效有可能在第二季度開始。NAND市場的新人Hynix Semiconductor、STMicroelectronics已經開始推出新產品，傳統(tǒng)的存儲器生產商Infineon和Micron等也開始進入該市場拼殺。
為驗證NAND閃存產品在移動設備存儲器解決方案中的多功能性和上佳性能，Toshiba北美分部宣布，NAND閃存已成功用于Toshiba Digital Products Division(數(shù)字產品部)最近推出的新型PDA產品系列。該產品系列都以32M非易失性NAND閃存為存儲器，在個人使用PDA時，重要數(shù)據(jù)可通過NAND閃存保存。
老牌NAND供應商Samsung Electronics已將一部分(約每月3萬片200mm晶圓)DRAM產能轉為生產NAND閃存，以便繼續(xù)鞏固在該市場的霸主地位。該公司繼在一月份對NAND閃存擴大6000片晶圓/月之后，二月又宣布每月增加8000片300mm晶圓生產能力,據(jù)說該公司已經采用了90nm的生產工藝，NAND閃存產能擴大30%。東芝和SanDisk Corp.正在努力提高NAND產量，并把一家300毫米NAND芯片晶圓廠的建設時間表提前一年，即2005年。
華邦電子(Winbond Electronics)宣布，將原本計劃在今年下半年動工的該公司300mm生產線提前到3月建設，在今后五年內將投入29億美元，該生產線計劃在2005年進入試生產，大部分產能將用于閃存產品。瑞薩科技(Renesas Technology)也在努力擴大其閃存數(shù)據(jù)存儲芯片的產量，該公司的閃存架構名為“AND”閃存。
英飛凌(Infineon)公司已在2004年1月推出一款512-Mbit NAND閃存。Hynix Semiconductor計劃在上半年量產512-Mbit NAND閃存，采用120納米工藝。繼512Mbit NAND閃存之后，Hynix計劃在第四季度前采用90納米工藝生產1Gbit和2Gbit NAND閃存，該公司的目標是在2005年以前成為全球第三大NAND閃存供應商。
AMD和富士通聯(lián)合成立的合資公司飛索(FASL LLC)宣布， 采用更先進工藝的Spansion閃存目前已投入批量生產。Spansion 110納米浮動柵技術突破了130納米技術的限制，據(jù)稱可為全功能的高密度閃存提供業(yè)界最卓越的性價比。初期產品將提供無線市場所需的1.8伏突發(fā)式以及3伏分頁式產品系列。
據(jù)市場分析公司預測，DVD播放機、數(shù)碼相機、MP3播放機、數(shù)字有線機頂盒/衛(wèi)星機頂盒、數(shù)字電視和可拍照手機等消費類電子產品仍是未來幾年驅動半導體產業(yè)發(fā)展的主要動力，使多家半導體廠商紛紛涉足該領域。市場分析公司Semico Research表示，如果各家閃存供應商都按計劃擴充產能，則短缺現(xiàn)象可能在2004年下半年消失，隨后可能轉向供過于求。在晶圓尺寸增大，和加工工藝尺寸縮小的雙重作用下，閃存市場從長期看可能面臨新一輪的過剩。