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FE的分檔標(biāo)志。
表12 日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法
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第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
第五部分 |
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用數(shù)字表示類型
或有效電極數(shù) |
S表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIAJ）的注冊(cè)產(chǎn)品 |
用字母表示器件
的極性及類型 |
用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號(hào) |
用字母表示
對(duì)原來型號(hào)
的改進(jìn)產(chǎn)品 |
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符號(hào) |
?
意義 |
符號(hào) |
?
意義 |
符號(hào) |
?
意義 |
符號(hào) |
?
意義 |
符號(hào) |
?
意義 |
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?
?
0 |
?
?
S |
A |
?
?
四位以上的數(shù)字 |
ABCDEFLL |
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B |
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C |
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D |
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1 |
F |
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?
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2 |
G |
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H |
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J |
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K |
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?
3
LL |
M |
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?
?
n-1 |
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?日本半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法有如下特點(diǎn)：
1) 型號(hào)中的第一部分是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。
2) 第二部分均為字母S，表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品，而不表示材料和極性。
3) 第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會(huì)（EIAJ）注冊(cè)登記的順序號(hào)，并不反映器件的性能，順序號(hào)相鄰的兩個(gè)器件的某一性能可能相差很遠(yuǎn)。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記順序號(hào)能反映產(chǎn)品時(shí)間的先后。登記順序號(hào)的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
5) 第六、七兩部分的符號(hào)和意義各公司不完全相同。
6) 日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標(biāo)記的型號(hào)，常采用簡(jiǎn)化標(biāo)記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡(jiǎn)化為D764，2SC502A簡(jiǎn)化為C502A。
7) 在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當(dāng)高頻管用。
8) 日本通常把Pcm?1W的管子，稱做大功率管。
1) 型號(hào)中的第一部分是數(shù)字，表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如，用“1”表示二極管，用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。
2) 第二部分均為字母S，表示日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)注冊(cè)產(chǎn)品，而不表示材料和極性。
3) 第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管，用J表示P溝道場(chǎng)效應(yīng)三極管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會(huì)（EIAJ）注冊(cè)登記的順序號(hào)，并不反映器件的性能，順序號(hào)相鄰的兩個(gè)器件的某一性能可能相差很遠(yuǎn)。例如，2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW，而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是，登記順序號(hào)能反映產(chǎn)品時(shí)間的先后。登記順序號(hào)的數(shù)字越大，越是近期產(chǎn)品。
5) 第六、七兩部分的符號(hào)和意義各公司不完全相同。
6) 日本有些半導(dǎo)體分立器件的外殼上標(biāo)記的型號(hào)，常采用簡(jiǎn)化標(biāo)記的方法，即把2S省略。例如，2SD764，簡(jiǎn)化為D764，2SC502A簡(jiǎn)化為C502A。
7) 在低頻管（2SB和2SD型）中，也有工作頻率很高的管子。例如，2SD355的特征頻率fT為100MHz，所以，它們也可當(dāng)高頻管用。
8) 日本通常把Pcm?1W的管子，稱做大功率管。
- 命名(10057)
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2011-11-24 14:57:16
新冠病毒對(duì)世界半導(dǎo)體影響
新冠病毒對(duì)世界半導(dǎo)體影響全球疫情還在蔓延，根據(jù)2020年2月27日的疫情統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，韓國(guó)累計(jì)確診感染者達(dá)到1595人，日本感染者達(dá)894人。一衣帶水的日韓疫情兇猛，也牽動(dòng)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的脈搏，因?yàn)?/div>
2020-02-27 10:45:14
求購ML7345C日本藍(lán)碧石半導(dǎo)體，量大價(jià)格是多少，這么聯(lián)系
求購ML7345C日本藍(lán)碧石半導(dǎo)體，量大價(jià)格是多少，這么聯(lián)系
2016-06-28 08:11:30
淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)
、日本等國(guó)家和組織啟動(dòng)了至少12項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，總計(jì)投入研究經(jīng)費(fèi)達(dá)到6億美元。借助各國(guó)***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來，化合物半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)取得了快速的進(jìn)步，為化合物半導(dǎo)體
2019-06-13 04:20:24
用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法
半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法一．國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名1． 型號(hào)由五個(gè)部分組成第一部分；用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的電極數(shù)目第二部分；用漢語拼音字母表示器件的材
2008-09-30 19:16:50
0
0半導(dǎo)體器件測(cè)試-IGBT器件全參數(shù)測(cè)試-電子元件
半導(dǎo)體器件試驗(yàn)?法l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevicesl GB/T29332半
2024-01-29 22:00:42
半導(dǎo)體器件
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分
2006-06-30 13:01:221695
1695半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名法
半導(dǎo)體集成電路型號(hào)命名法
半導(dǎo)體集成電路的型號(hào)由5部分組成，各部分的符號(hào)及意義見附表1-16?！?
附表1-16 半導(dǎo)體集成電路型號(hào)
2007-12-19 15:45:0811393
11393
意法半導(dǎo)體ST鞏固無線通信半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位
意法半導(dǎo)體ST鞏固無線通信半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位
中國(guó)，2008年5月27日 — 意法半導(dǎo)體（
2008-07-15 15:52:371217
1217國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件命名
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件命名
1． 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號(hào)由五個(gè)部分組成第一部分；用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的電極數(shù)目
2008-09-30 19:19:502101
2101
我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的命名方法
我國(guó)半導(dǎo)體分立器件的命名法
表9 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
2008-12-19 01:18:211845
1845
國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名方法
國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件命名法
表10 國(guó)際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法
2008-12-19 01:19:041586
1586
美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
美國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
表11 美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名法
2008-12-19 01:19:491473
1473
電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（1）——半導(dǎo)體器件
電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)（1）——半導(dǎo)體器件
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管
2009-11-12 17:21:552507
2507各國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹
各國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法介紹
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、
2009-11-28 09:42:371068
1068歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
歐洲早期半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名法
歐洲有些國(guó)家，如德國(guó)、荷蘭采用如下命名方法。第一部分：O-表示半導(dǎo)體器件
2009-12-03 13:47:291043
1043中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五
2010-01-15 14:52:172839
2839美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下：
&nbs
2010-01-16 10:11:141443
1443中國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)的命名方法
中國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)的命名方法
中國(guó)晶體管和其他半導(dǎo)體器件的型號(hào),通常由以下五部分組成:第一部分:用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件的有效電極數(shù)
2010-02-05 09:54:262183
2183日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法
日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號(hào)意義如下：
&nbs
2010-02-06 14:36:461860
1860半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件從肯有2個(gè)管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運(yùn)用于手機(jī)、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:026526
6526半導(dǎo)體三極管的型號(hào)和命名方法
半導(dǎo)體三極管的型號(hào)和命名方法
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下
2010-03-06 10:11:4714059
14059意法半導(dǎo)體推出工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器的監(jiān)控保護(hù)器件
意法半導(dǎo)體推出工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器的監(jiān)控保護(hù)器件
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM），推出STTS2002模組串行存在檢測(cè)（SP
2010-04-07 09:40:301191
1191半導(dǎo)體的簡(jiǎn)單知識(shí)點(diǎn)總結(jié)
一.中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法 半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件.半導(dǎo)體特殊器件.復(fù)合管.PIN型管.激光器件的型號(hào)命名只有第三.四.五部分)組成。五個(gè)部分意義如下: 第一部分:用數(shù)
2011-10-31 16:19:3931
31日本半導(dǎo)體業(yè)最大“堡壘”緣何崩塌
2月27日，日本半導(dǎo)體芯片巨頭爾必達(dá)公司向東京地方法院申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)，將根據(jù)《公司更生法》進(jìn)入重組程序，東京地方法院已受理此案
2012-02-29 09:28:12875
875常用半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)知識(shí)
常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件常用半導(dǎo)體器件
2015-11-13 15:47:240
0意法半導(dǎo)體慕尼黑上海電子展展開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵元器件
圍繞“領(lǐng)略意法半導(dǎo)體萬物智能技術(shù)”主題，意法半導(dǎo)體將展示其讓駕駛更環(huán)保、更安全、更智聯(lián)、更安全的產(chǎn)品技術(shù)。此外，意法半導(dǎo)體還將展出開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品所需的全部關(guān)鍵元器件。
2018-03-15 15:48:011996
1996如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志
本文首先介紹了美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法，其次介紹了如何辨別軍用半導(dǎo)體器件型號(hào)和標(biāo)志，具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 13:03:2517568
17568日本為什么能制裁韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)?
從半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈來看，日本在14種半導(dǎo)體重要材料方面均占有50%以上份額，是全球最大的半導(dǎo)體材料輸出國(guó)。
2019-07-08 14:11:088820
8820日本半導(dǎo)體制裁韓國(guó)事件刷屏 而日本，正是半導(dǎo)體材料和設(shè)備的強(qiáng)國(guó)
日本半導(dǎo)體制裁韓國(guó)事件刷屏半導(dǎo)體圈！（全球恐慌！日本半導(dǎo)體 封殺韓國(guó)?。?/div>
2019-07-08 14:38:568794
8794半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法和半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義說明
一、 中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法
半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：
第一部分：用數(shù)字
2019-10-04 09:25:0025732
25732意法半導(dǎo)體最新推出MasterGaN器件
意法半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡(jiǎn)化高達(dá)200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668
3668意法半導(dǎo)體推出具超強(qiáng)散熱能力的車規(guī)級(jí)表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT
意法半導(dǎo)體推出了各種常用橋式拓?fù)涞腁CEPACK SMIT封裝功率半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比，意法半導(dǎo)體先進(jìn)的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡(jiǎn)化組裝工序，提高模塊的功率密度。
2023-01-16 15:01:251612
1612
意法半導(dǎo)體怎么樣
意法半導(dǎo)體怎么樣 意法半導(dǎo)體（ST）集團(tuán)于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:113012
3012日本半導(dǎo)體是如何跌落神壇的
以史為鑒，看看日本跌下了半導(dǎo)體的神壇，就明白為何現(xiàn)在米國(guó)制裁中國(guó)的半導(dǎo)體芯片
2023-03-02 11:17:462258
2258意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬顆碳化硅器件
意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:512274
2274淺談功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別
功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:214022
4022
意法半導(dǎo)體新能源功率器件解決方案
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501644
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