1 前言

印制電路板（PCB）信號(hào)完整性是近年來(lái)熱議的一個(gè)話題，國(guó)內(nèi)已有很多的研究報(bào)道對(duì)PCB信號(hào)完整性的影響因素進(jìn)行分析［1］-［4］，但對(duì)信號(hào)損耗的測(cè)試技術(shù)的現(xiàn)狀介紹較為少見(jiàn)。

PCB傳輸線信號(hào)損耗來(lái)源為材料的導(dǎo)體損耗和介質(zhì)損耗，同時(shí)也受到銅箔電阻、銅箔粗糙度、輻射損耗、阻抗不匹配、串?dāng)_等因素影響。在供應(yīng)鏈上，覆銅板（CCL）廠家與PCB快件廠的驗(yàn)收指標(biāo)采用介電常數(shù)和介質(zhì)損耗；而PCB快件廠與終端之間的指標(biāo)通常采用阻抗和插入損耗，如圖1所示。

針對(duì)高速PCB設(shè)計(jì)和使用，如何快速、有效地測(cè)量PCB傳輸線信號(hào)損耗，對(duì)于PCB設(shè)計(jì)參數(shù)的設(shè)定和仿真調(diào)試和生產(chǎn)過(guò)程的控制具有重要意義。

2 、PCB插入損耗測(cè)試技術(shù)的現(xiàn)狀

目前業(yè)界使用的PCB信號(hào)損耗測(cè)試方法從使用的儀器進(jìn)行分類，可分為兩大類：基于時(shí)域或基于頻域。時(shí)域測(cè)試儀器為時(shí)域反射計(jì)（Time DomainReflectometry，簡(jiǎn)稱TDR）或時(shí)域傳輸計(jì)（TimeDomain Transmission，簡(jiǎn)稱TDT）；頻域測(cè)試儀器為矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（Vector Network Analyzer，簡(jiǎn)稱VNA）。在IPC-TM650試驗(yàn)規(guī)范中，推薦了5種試驗(yàn)方法用于PCB信號(hào)損耗的測(cè)試：頻域法、有效帶寬法、根脈沖能量法、短脈沖傳播法、單端TDR差分插入損耗法。

2.1 頻域法

頻域法（Frequency Domain Method）主要使用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量傳輸線的S參數(shù)，直接讀取插入損耗值，然后在特定頻率范圍內(nèi)（如1 GHz ~ 5 GHz）用平均插入損耗的擬合斜率來(lái)衡量板材合格/不合格。

頻域法測(cè)量準(zhǔn)確度的差異主要來(lái)自校準(zhǔn)方式。根據(jù)校準(zhǔn)方式的不同，可細(xì)分為SLOT（Short-Line-Open-Thru）、Multi- Line TRL（Thru-Reflect-Line）和Ecal（Electronic calibration）電子校準(zhǔn)等方式。

SLOT通常被認(rèn)為是標(biāo)準(zhǔn)的校準(zhǔn)方法［5］，校準(zhǔn)模型共有12項(xiàng)誤差參數(shù)，SLOT方式的校準(zhǔn)精度是由校準(zhǔn)件所確定的，高精度的校準(zhǔn)件由測(cè)量設(shè)備廠家提供，但校準(zhǔn)件價(jià)格昂貴，而且一般只適用于同軸環(huán)境，校準(zhǔn)耗時(shí)且隨著測(cè)量端數(shù)增加而幾何級(jí)增長(zhǎng)。

Multi-Line TRL方式主要用于非同軸的校準(zhǔn)測(cè)量［6］，根據(jù)用戶所使用的傳輸線的材料以及測(cè)試頻率來(lái)設(shè)計(jì)和制作TRL校準(zhǔn)件，如圖2所示。盡管Multi-Line TRL相比SLOT設(shè)計(jì)和制造更為簡(jiǎn)易，但是Multi-Line TRL方式校準(zhǔn)耗時(shí)同樣隨著測(cè)量端數(shù)的增加而成幾何級(jí)增長(zhǎng)。

為了解決校準(zhǔn)耗時(shí)的問(wèn)題，測(cè)量設(shè)備廠家推出了Ecal電子校準(zhǔn)方式［7］，Ecal是一種傳遞標(biāo)準(zhǔn)，校準(zhǔn)精度主要由原始校準(zhǔn)件所確定，同時(shí)測(cè)試電纜的穩(wěn)定性、測(cè)試夾具裝置的重復(fù)性和測(cè)試頻率的內(nèi)插算法也對(duì)測(cè)試精度有影響。一般先用電子校準(zhǔn)件將參考面校準(zhǔn)至測(cè)試電纜末端，然后用去嵌入的方式，補(bǔ)償夾具的電纜長(zhǎng)度。如圖3所示。

以獲得差分傳輸線的插入損耗為例，3種校準(zhǔn)方式比較如表1所示。

2.2 有效帶寬法

有效帶寬法（Effective Bandwidth，簡(jiǎn)稱EBW）從嚴(yán)格意義來(lái)說(shuō)是一個(gè)定性的傳輸線損耗α的測(cè)量，無(wú)法提供定量的插入損耗值，但是提供一個(gè)稱之為EBW的參數(shù)。有效帶寬法是通過(guò)TDR將特定上升時(shí)間的階躍信號(hào)發(fā)射到傳輸線上，測(cè)量TDR儀器和被測(cè)件連接后的上升時(shí)間的最大斜率，確定為損耗因子，單位MV/s.更確切地說(shuō)，它確定的是一個(gè)相對(duì)的總損耗因子，可以用來(lái)識(shí)別損耗在面與面或?qū)优c層之間傳輸線的變化［8］。由于最大斜率可以直接從儀器測(cè)得，有效帶寬法常用于印制電路板的批量生產(chǎn)測(cè)試。EBW測(cè)試示意圖如圖4所示。

2.3 根脈沖能量法

根脈沖能量法（Root ImPulse Energy，簡(jiǎn)稱RIE）通常使用TDR儀器分別獲得參考損耗線與測(cè)試傳輸線的TDR波形，然后對(duì)TDR波形進(jìn)行信號(hào)處理。RIE測(cè)試流程如圖5所示：

2.4 短脈沖傳播法

短脈沖傳播法（Short Pulse Propagation，簡(jiǎn)稱SPP）測(cè)試原理為利用測(cè)量?jī)蓷l不同長(zhǎng)度的傳輸線，如30 mm和100 mm，通過(guò)測(cè)量這兩個(gè)傳輸線線長(zhǎng)之間的差異來(lái)提取參數(shù)衰減系數(shù) 和相位常數(shù) ，如圖6所示。使用這種方法可以將連接器、線纜、探針和示波器精度的影響降到最小。若使用高性能的TDR儀器和IFN（Impulse Forming Network），測(cè)試頻率可高達(dá)40 GHz.

2.5 單端TDR差分插入損耗法

單端TDR差分插入損耗法（Single-Ended TDRto Differential Insertion Loss，簡(jiǎn)稱SET2DIL）有別于采用4端口VNA的差分插損測(cè)試，該方法使用兩端口TDR儀器，將TDR階躍響應(yīng)發(fā)射到差分傳輸線上，差分傳輸線末端短接，如圖7所示。SET2DIL法測(cè)量典型的測(cè)量頻率范圍為2 GHz ~ 12 GHz，測(cè)量準(zhǔn)確度主要受測(cè)試電纜的時(shí)延不一致和被測(cè)件阻抗不匹配的影響。SET2DIL法優(yōu)勢(shì)在于無(wú)需使用昂貴的4端口VNA及其校準(zhǔn)件，被測(cè)件的傳輸線的長(zhǎng)度僅為VNA方法的一半，校準(zhǔn)件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，校準(zhǔn)耗時(shí)也大幅度降低，非常適合用于PCB制造的批量測(cè)試，如圖8所示。

3 測(cè)試設(shè)備及測(cè)試結(jié)果

采用介電常數(shù)3.8、介質(zhì)損耗0.008、RTF銅箔的CCL分別制作SET2DIL測(cè)試板、SPP測(cè)試板和Multi-Line TRL測(cè)試板；測(cè)試設(shè)備為DSA8300采樣示波器和E5071C矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；各方法差分插入損耗測(cè)試結(jié)果如表2所示。

4 結(jié)語(yǔ)

本文主要介紹了目前業(yè)界使用的幾種PCB傳輸線信號(hào)損耗測(cè)量方法。由于采用的測(cè)試方法不同，測(cè)得插入損耗值也不一樣，測(cè)試結(jié)果不能直接做橫向?qū)Ρ?，因此?yīng)根據(jù)各種技術(shù)方法的優(yōu)勢(shì)和限制，并且結(jié)合自身的需求選擇合適的信號(hào)損耗測(cè)試技術(shù)。