隨著技術(shù)的發(fā)展,我們使用的存儲(chǔ)器也各種各樣,雖然都基于芯片顆粒,但表現(xiàn)截然不同,比如說(shuō)讀寫次數(shù)限制,或者叫壽命,SSD固態(tài)硬盤就有限制,DRAM內(nèi)存卻沒(méi)有。

按照分布位置的不同,DRAM內(nèi)存屬于內(nèi)部存儲(chǔ)器,緊挨著CPU處理器,用來(lái)臨時(shí)存放后者需要的運(yùn)算數(shù)據(jù),并與外部存儲(chǔ)器進(jìn)行交換,起到橋梁的作用。

DRAM內(nèi)存的特點(diǎn)是讀寫速度快、延遲低,但屬于易失性存儲(chǔ),也就是一旦斷電,數(shù)據(jù)就會(huì)全部丟失。

DRAM內(nèi)存顆粒利用晶體管加電容來(lái)保存數(shù)據(jù),而且只是臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),并沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的寫入,不涉及對(duì)物理單元結(jié)構(gòu)、屬性的改變,所以可以無(wú)限次讀寫。

當(dāng)然,這并不意味著DRAM內(nèi)存就可以永久使用,畢竟其中的晶體管、電容等物理結(jié)構(gòu)也會(huì)慢慢老化,所有電子設(shè)備都是如此,只是這個(gè)過(guò)程非常非常緩慢,正常使用根本感覺(jué)不到。

SSD則是外部存儲(chǔ),用來(lái)長(zhǎng)久保存數(shù)據(jù),屬于非易失性存儲(chǔ),斷電后數(shù)據(jù)還在,但是相對(duì)速度慢、延遲高,HDD機(jī)械硬盤、U盤、光盤等也是此類。

SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)是NAND閃存顆粒,需要施加不同的電壓、改變內(nèi)部狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),隨著時(shí)間的流逝、讀寫次數(shù)的增加,會(huì)出現(xiàn)物理性的損耗,最終不可用。

NAND閃存的壽命一般用P/E編程擦寫次數(shù)來(lái)描述,寫滿一次容量就損失一次P/E。

SLC大約是10萬(wàn)次,MLC只有5000次左右,TLC就只大概2000次,QLC僅為1000次上下,所以不得不依靠更多管理技術(shù)和算法來(lái)輔助,以保持壽命。

但另一方面,SLC、MLC、TLC、QLC的存儲(chǔ)密度越來(lái)越大,SSD容量也越來(lái)越大,寫滿的概率越來(lái)越低,所以整個(gè)SSD的實(shí)際壽命其實(shí)并沒(méi)有大大縮短,一般應(yīng)用無(wú)需過(guò)分擔(dān)憂壽命問(wèn)題。