FSMC稱為靈活的靜態(tài)存儲器，它能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接，STM32F4的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器。

FSMC框圖

從FSMC框圖可以看到，F(xiàn)SMC將外部設(shè)備分為2類：NOR/PSRAM設(shè)備和NAND/PC卡設(shè)備。所有外部存儲器共享地址、數(shù)據(jù)和控制信號，但有各自的片選信號。FSMC 一次只能訪問一個(gè)外部器件。

這里將LCD的片選接口與FSMC_NE4相連，即利用FSMC_NE4實(shí)現(xiàn)對LCD的片選；另外SRAM芯片的片選接口與FSMC_NE3相連，即利用FSMC_NE3實(shí)現(xiàn)對SRAM芯片的片選。FSMC本身就是靜態(tài)存儲器控制器，通過FSMC接口訪問SRAM是理所當(dāng)然的事，這里能將LCD也連接到FSMC，顯然說明LCD在操作上與SRAM有相似之處。

SRAM的控制一般有：地址線（如A18A0）、數(shù)據(jù)線（如D15D0）、寫信號（WE）、讀信號（OE）、片選信號（CS），如果SRAM支持字節(jié)控制，那么還有UB/LB信號。

LCD的信號則包括：寄存器選擇（RS）、數(shù)據(jù)線（D15-D0）、寫信號（WE）、讀信號（OE）、片選信號（CS）、復(fù)位信號RST和背光BL。

除去與訪問過程無關(guān)的信號RST、BL，則兩者的控制信號是極度的一致，區(qū)別僅在于SRAM有地址線（A18-A0），而LCD有RS信號線，從作用上看，兩者也是一致的，都決定訪問數(shù)據(jù)的位置。若假定SRAM僅一根地址線A0，則說明數(shù)據(jù)位置僅有兩個(gè)，通過A0取0和取1，區(qū)分訪問的數(shù)據(jù)到底在哪個(gè)地址空間；而LCD的RS取0和取1，也說明有兩個(gè)存儲空間，即ILI9341的寄存器的GRAM。顯然，當(dāng)把RS理解成一根地址線時(shí)，LCD就等效成SRAM了。RS與地址線A6進(jìn)行相連，因此通過把地址線中的A6置0可以訪問ILI9341的寄存器，而把A6置1則可以訪問GRAM。

STM32F4xx的FSMC支持 8/16/32 位數(shù)據(jù)寬度，這里用到的 LCD 是 16 位寬度的，所以在設(shè)置數(shù)據(jù)寬度時(shí)，用戶應(yīng)選擇16位寬。使用FSMC的目的，是把STM32F4XX的片外外設(shè)映射到片內(nèi)ARM核可尋址的地址空間當(dāng)中，這樣通過訪問片內(nèi)對應(yīng)的地址空間，就可以操作片外外設(shè)了。顯然，這樣的操作等同于把“片外外設(shè)”變成了“片內(nèi)外設(shè)”，在訪問方式上，和訪問片內(nèi)外設(shè)一模一樣。

FSMC存儲區(qū)域

FSMC 的外部存儲器被劃分為 4 個(gè)固定大小的存儲區(qū)域，每個(gè)存儲區(qū)域的大小為256 MB。

● 存儲區(qū)域 1 可連接多達(dá) 4 個(gè) NOR Flash 或 PSRAM 存儲器器件。此存儲區(qū)域被劃分為 4 個(gè)

NOR/PSRAM 區(qū)域，帶 4 個(gè)專用片選信號。

● 存儲區(qū)域 2 和 3 用于連接 NAND Flash 器件（每個(gè)存儲區(qū)域一個(gè)器件）

● 存儲區(qū)域 4 用于連接 PC 卡設(shè)備

對于每個(gè)存儲區(qū)域，所要使用的存儲器類型由用戶在配置寄存器中定義。

Bank1的256M字節(jié)空間由 28 根地址線（HADDR[27:0]）（注意：這里的HADDR是內(nèi)部AHB的地址線，它的地址是按字節(jié)進(jìn)行“編號”的）尋址。這里HADDR[25:0]來自外部存儲器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[27:26]對4個(gè)區(qū)進(jìn)行尋址。

NOR/PSRAM 存儲區(qū)域選擇

由于我的LCD片選信號與FSMC的FSMX_NE4連接,所以LCD對應(yīng)尋址空間的首地址為0x60000000+0xC000000=0x6C000000。LCD的RS接到了地址A6，而沒有其他地址線，因此按照道理，其他的地址線可取任意值。

HADDR[25:0] 包含外部存儲器地址。由于 HADDR 為字節(jié)地址，而存儲器按字尋址，所以根據(jù)存儲器數(shù)據(jù)寬度不同，實(shí)際向存儲器發(fā)送的地址也將有所不同，如下表所示。

LCD配置為16位數(shù)據(jù)寬度，因此內(nèi)部地址的偏移量是外部地址2倍，即假定FSMC_A的地址值取x，則映射到內(nèi)部地址，則實(shí)際地址首地址應(yīng)為0x6C000000+2x。由于此次僅用到A6，即FSMC_A[6]，若該位取0時(shí)，其他地址線也取0，則FSMC_A的值為0，此時(shí)其映射的AHB地址為0x6C000000；若FSMC_A[6]取1，且其他地址線都取0，則FSMC_A的值為0x40，此時(shí)映射的AHB地址即為0x6C000000+2*0x40，即0x6C000080。找到了地址，就可以像訪問片內(nèi)外設(shè)那樣去訪問片外外設(shè)了。

這里直接宏定義地址，方便調(diào)用。

//未使用的地址線全部取0（注意：取任意值均可，這里取0）
#define   LCD_CMD_ADD      (volatile u16 *)0X6C000000
#define   LCD_DATA_ADD     (volatile u16 *)(0X6C000000 + 0X80)

為進(jìn)一步簡化操作，可為以上兩個(gè)地址宏定義加地址訪問符“*”，以便于訪問這兩個(gè)地址空間。

#define   LCD_CMD          *LCD_CMD_ADD
#define   LCD_DATA         *LCD_DATA_ADD

定義了這兩個(gè)宏，以后寫命令和寫數(shù)據(jù)就方便多了。若要發(fā)命令，只需給LCD_CMD賦值即可，若要發(fā)數(shù)據(jù)，只需給LCD_DATA發(fā)數(shù)據(jù)就行了。

得到了片外設(shè)備（LCD）映射到片內(nèi)AHB空間的地址，就方便用戶對ILI9341的寄存器和GRAM進(jìn)行訪問了，但訪問要有合適的時(shí)序才可以。SRAM的可編程訪問參數(shù)如下表所示：

由于ILI9341在寫入和讀取時(shí)，速度差異較大，為合理地利用讀寫速度，這里采用異步模式A，如此以來，只需關(guān)注上表的前三個(gè)參數(shù)，即：地址建立時(shí)間、地址保持時(shí)間、數(shù)據(jù)建立時(shí)間。

ILI9341的8080-II讀寫時(shí)序

上圖中所對應(yīng)電氣參數(shù)的取值如表所示：

從上圖表可以得到ILI9341在8080-II時(shí)序下的讀寫控制信號電平狀態(tài)為：寫控制脈沖高電平持續(xù)的時(shí)間為：twrh<15ns(HCLK=168MHz，因此twrh<3個(gè)HCLK)；寫控制脈沖低電平持續(xù)的時(shí)間為：twrl<15ns（同理，twrl<3個(gè)HCLK）。讀GRAM控制脈沖高電平持續(xù)的時(shí)間為：trdhfm<90ns（即：trdhfm<15個(gè)HCLK）; 讀GRAM控制脈沖低電平持續(xù)的時(shí)間為：trdlfm<355ns（即：trdlfm<60個(gè)HCLK）。讀ID號控制脈沖高電平持續(xù)的時(shí)間為：trdh<90ns（即：trdh<15個(gè)HCLK）; 讀ID號控制脈沖低電平持續(xù)的時(shí)間為：trdl<45ns（即：trdl<8個(gè)HCLK）。

ILI9341的寫操作周期相對于讀操作周期要短很多，即寫的速度要明顯快于讀的速度。另外，為保證讀GRAM和讀ID號可共用同一讀時(shí)序，應(yīng)保證讀控制脈沖的低電平持續(xù)時(shí)間trd至少為60個(gè)HCLK。這里，為充分發(fā)揮寫入速度快的優(yōu)勢，這里分開配置讀時(shí)序和寫時(shí)序。

FSMC在模式A下的讀/寫時(shí)序

讀時(shí)序中地址建立時(shí)間ADDSET，即為讀控制脈沖的高電平時(shí)間，由以上結(jié)論可知，ADDSET（RD）的值為90ns（15個(gè)HCLK周期）；讀時(shí)序中數(shù)據(jù)保持時(shí)間DATAST，即讀控制脈沖的低電平時(shí)間，由以上結(jié)論可知，DATAST（RD）的值為355ns（60個(gè)HCLK周期）；寫時(shí)序?qū)?yīng)的建立時(shí)間ADDSET，即為寫控制信號的高電平，由以上結(jié)論可知，此時(shí)的ADDSET（WR）的值為15ns（3個(gè)HCLK周期）；寫時(shí)序?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)保持時(shí)間DATAST，即寫控制脈沖的低電平時(shí)間，由以上結(jié)論可知，此時(shí)的DATAST（WR）的值為15ns（3個(gè)HCLK）。

有了以上的時(shí)序參數(shù)，就可以配置FSMC相關(guān)寄存器了。

下面對寄存器進(jìn)行簡要說明：

SRAM/NOR-Flash片選控制寄存器1..4（FSMC_BCR1..4）：

bit19：寫入突發(fā)使能。對于CRAM（PSRAM），該位可在寫操作時(shí)使能同步突發(fā)協(xié)議。讀取訪問期間同步突發(fā)協(xié)議的使能位為FSMC_BCRx寄存器中的BURSTEN位。0：始終在異步模式下進(jìn)行寫入操作；1：在同步模式下進(jìn)行寫入操作。操作LCD時(shí)，始終在異步模式下進(jìn)行操作，因此這里設(shè)置為0。

bit15：異步傳輸期間的等待信號。該位可使能/禁止FSMC使用等待信號，即使是在異步協(xié)議期間該位也有作用。0：運(yùn)行異步協(xié)議時(shí)不考慮NWAIT信號（復(fù)位后的默認(rèn)值）；1：運(yùn)行異步協(xié)議時(shí)考慮NWAIT信號。這里不考慮NWAIT信號。

bit14：擴(kuò)展模式使能。FSMC可對FSMC_BWTR寄存器中的寫入時(shí)間進(jìn)行配置，此配置由EXTMOD位使能，進(jìn)而使讀取和寫入操作采用不同的時(shí)序。0：不考慮FSMC_BWTR寄存器中的值；1：考慮FSMC_BWTR寄存器中的值。由于此次采用的時(shí)序是模式A，因此采用擴(kuò)展模式，并分開設(shè)置讀寫時(shí)序。這里將EXTMOD設(shè)置為1。

bit13：等待使能位。該位可使能/禁止在同步模式下訪問FLASH時(shí)通過NWAIT信號插入等待周期。0：禁止NWAIT信號；1：使能NWAIT信號。這里禁止即可。

bit12：寫入使能。用于指示FSMC是否在存儲區(qū)域內(nèi)使能/禁止寫入操作。0：FSMC在存儲區(qū)域內(nèi)禁止寫入操作；1：FSMC在存儲區(qū)內(nèi)使能寫入操作。因此就是想利用FSMC讀寫ILI9341，因此，這里需使能存儲區(qū)域的寫入操作。

bit11：等待時(shí)序配置。NWAIT信號指示存儲器中的數(shù)據(jù)是否有效，或者在同步模式下訪問FLASH時(shí)是否必須插入等待周期。該配置位決定存儲器是在等待周期之前的一個(gè)時(shí)鐘周期還是等待周期期間使能NWAIT。0：NWAIT信號在等待周期之前的一個(gè)數(shù)據(jù)周期有效；1：NWAIT信號在等待周期期間有效。這里無需設(shè)置。

bit10：環(huán)回突發(fā)模式支持。定義控制器是否將一個(gè)AHB突發(fā)環(huán)回訪問分割成兩個(gè)線性訪問。僅在突發(fā)模式下訪問存儲器時(shí)有效。0：未使能直接環(huán)回突發(fā)；1：使能直接環(huán)回突發(fā)。這里不采用環(huán)回突發(fā)模式。

bit9：等待信號極性位。定義存儲器的等待信號極性。僅在突發(fā)模式下訪問存儲器時(shí)有效。0：NWAIT低電平有效；1：NWAIT高電平有效。該位無需設(shè)置。

bit8：BURSTEN，突發(fā)使能位。用于使能/禁止讀取操作期間的同步突發(fā)訪問。僅對同步突發(fā)存儲器有效。0：禁止；1：有效。此用于同步模式，因此這里無需設(shè)置。

bit6：FLASH訪問使能。用于使能NOR FLASH訪問操作。0：禁止訪問；1：使能訪問。這里是把LCD等效成SRAM，因此禁止即可。

bit[5:4]：存儲器數(shù)據(jù)總線寬度。00：8位；01：16位；10和11：保留，不使用。顯然，這里需設(shè)置為16位。

bit[3:2]：存儲器類型。定義與相應(yīng)存儲區(qū)域相連的外部存儲器類型；00：SRAM、ROM；01：PSRAM；10：NOR FLASH/OneNAND FLASH。這里配置為SRAM。

bit1：地址/數(shù)據(jù)復(fù)用使能功能。該位置1時(shí)，僅對NOR和PSRAM存儲器有效；0：地址/數(shù)據(jù)非復(fù)用；1：地址/數(shù)據(jù)在數(shù)據(jù)總線上復(fù)用。無關(guān)項(xiàng)，無需設(shè)置。

bit0：存儲區(qū)域使能。0：禁止相應(yīng)的存儲區(qū)域；1：使能相應(yīng)的存儲區(qū)域。這里一定要使能的。

SRAM/NOR-Flash片選時(shí)序寄存器1..4（FSMC_BTR1..4）：

bit[29:28]：訪問模式。00：模式A；01：模式B；10：模式C：11：模式D。顯然，此次選擇模式A。

bit[27:24]：DATLAT，同步突發(fā)NOR FLASH的數(shù)據(jù)延遲。這里不需要進(jìn)行設(shè)置。

bit[23:20]：CLKDIV，CLK信號的時(shí)鐘分頻比。在異步模式上，該值為無關(guān)值，因此這里無需關(guān)注。

bit[19:16]：這里采用默認(rèn)值即可。

bit[15:8]：DATST，數(shù)據(jù)階段的持續(xù)時(shí)間。該寄存器是針對讀操作的，由前面時(shí)序分析可知，這里取為60個(gè)HCLK。

bit[7:4]：ADDHLD，地址保持階段持續(xù)的時(shí)間。在異步模式，該字段是無關(guān)項(xiàng)，因此無需設(shè)置。

bit[3:0]：ADDSET，地址建立時(shí)間。由前面時(shí)序分析可知，讀操作時(shí)ADDSET可取15個(gè)HCLK。

SRAM/NOR-FLASH寫入時(shí)序寄存器1..4（FSMC_BWTR1..4）：

bit[29:28]：ACCMOD，訪問模式。這里同讀時(shí)序，配置為模式A。

bit[27:24]：DATLAT，數(shù)據(jù)延遲。期用于同步突發(fā)NOR FLASH，因此這里可以不設(shè)置。

bit[23:20]：CLKDIV，CLK信號時(shí)鐘分頻比。這里仍是無關(guān)項(xiàng)，不設(shè)置。

bit[19:16]：總線周轉(zhuǎn)階段的持續(xù)時(shí)間。這里按默認(rèn)值設(shè)置即可。

bit[15:8]：數(shù)據(jù)階段的持續(xù)時(shí)間。由前面的時(shí)序分析可得，寫操作時(shí)，DATST取3個(gè)HCLK。

bit[7:4]：地址階段的保持時(shí)間。在異步模式，該字段是無關(guān)項(xiàng)，無需設(shè)置。

bit[3:0]：地址階段的建立時(shí)間。由前面的時(shí)序分析可得，寫操作時(shí)，ADDSET取3個(gè)HCLK。

分析完如何配置FSMC寄存器，開始GPIO引腳并復(fù)用為FSMC,并按上述分析配置寄存器，即可讓FSMC模塊為用戶提供正確的時(shí)序。

但在stm32f4xx.h文件當(dāng)中，ST公司并沒有按照中文手冊中那樣，去命名FSMC的寄存器。

FSMC寄存器映射表

stm32f4xx.h當(dāng)中定義FSMC的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)為：

typedef struct
{
     __IO uint32_t BTCR[8];    /*!< NOR/PSRAM chip-select control register(BCR) and chip-select timing register(BTR) */   
}FSMC_Bank1_TypeDef; 
#define   FSMC_Bank1          ((FSMC_Bank1_TypeDef *) FSMC_Bank1_R_BASE)

上述結(jié)構(gòu)體當(dāng)中成員為一個(gè)8元素的數(shù)組。由C數(shù)組知識易知，數(shù)組成員在內(nèi)存當(dāng)中地址是相鄰的。宏定義FSMC_Bank1為FSMC_Bank1_TypeDef類型的地址，而FSMC_Bank1_R_BASE即為0xA0000000。FSMC_Bank1所指向的第一個(gè)成員即為FSMC_BCR1。由地址連續(xù)性，顯然可得如下對應(yīng)關(guān)系：

BTCR[0]對應(yīng)FSMC_BCR1，BTCR[1]對應(yīng)FSMC_BTR1；

BTCR[2]對應(yīng)FSMC_BCR2，BTCR[3]對應(yīng)FSMC_BTR2；

BTCR[4]對應(yīng)FSMC_BCR3，BTCR[5]對應(yīng)FSMC_BTR3；

BTCR[6]對應(yīng)FSMC_BCR4，BTCR[7]對應(yīng)FSMC_BTR4。

同理，寫入時(shí)序寄存器對應(yīng)的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)為：

BWTR[0]對應(yīng)FSMC_BWTR1，BWTR[2]對應(yīng)FSMC_BWTR2；

BWTR[4]對應(yīng)FSMC_BWTR3，BWTR[6]對應(yīng)FSMC_BWTR2；

這里元素存在跳躍性，原因是寄存器地址間隔為8，因此，為保證地址上的一致性，這里必須這樣定義數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。

配置FSMC

static void ILI9341_GpioInit()
{
  //1. 開時(shí)鐘PB/PD/PE/PF/PG
  RCC- >AHB1ENR  |= 1< 1 | 0XF< 3;
  //2. 背光引腳：通用推挽輸出
    //端口設(shè)置(pb15)
    GPIOB- >MODER    &= ~(0X3< 30);
    GPIOB- >MODER    |= 1< 30;          //普通輸出

    GPIOB- >OTYPER    &= ~(1< 15);        //推挽
    GPIOB- >OSPEEDR    |= 0X3< 30;
    GPIOB- >PUPDR    &= ~(0X3< 30);        //無上下拉

    //其他所有引腳復(fù)用為FSMC
    /*
      LCD_CS:PG12
      RS:PF12  = >FSMC_A[6]
      WR:PD5
      RD:PD4

      D0-D1:PD14/PD15
      D2-D3:PD0/PD1
      D4-D12:PE7-PE15
      D13-D15:PD8-PD10
    */
    //2. PD（配置為復(fù)用）
    GPIOD- >MODER    &= ~(0XF< 0 | 0XF< 8 | 0X3F< 16 | 0xf< 28);
    GPIOD- >MODER    |=  0X0a< 0 | 0xa< 8 | 0x2a < 16 |0xa< 28;        //PD口復(fù)用

    GPIOD- >OTYPER    &= ~(0X3< 0 | 0X3< 4 | 0X7< 8 | 0X3< 14);          //推挽
    GPIOD- >OSPEEDR   |= (0XF< 0 | 0XF< 8 | 0X3F< 16 | 0xf< 28);        //速度100Mhz
    GPIOD- >PUPDR     &= ~(0XF< 0 | 0XF< 8 | 0X3F< 16 | 0xf< 28);        //無上下拉

    //PE口配置
    GPIOE- >MODER    &= 0X00003FFF;
    GPIOE- >MODER    |= 0Xaaaa8000;        //PE復(fù)用

    GPIOE- >OTYPER    &= 0X007F;        //PE7-15推挽
    GPIOE- >OSPEEDR  |= 0XFFFFC000;          //PE7-15速度為100Mhz
    GPIOE- >PUPDR    &= 0X00003FFF;      //PE7-15無上下拉

    //FP12
    GPIOF- >MODER    &= ~(0X3< 24);
    GPIOF- >MODER    |= 2< 24;

    GPIOF- >OTYPER    &= ~(1< 12);        //推挽
    GPIOF- >OSPEEDR  |= 0X3< 24;          //100mHZ
    GPIOF- >PUPDR    &=  ~(0X3< 24);      //無上下拉

    //FG12
    GPIOG- >MODER    &= ~(0X3< 24);
    GPIOG- >MODER    |= 2< 24;

    GPIOG- >OTYPER    &= ~(1< 12);        //推挽
    GPIOG- >OSPEEDR  |= 0X3< 24;          //100mHZ
    GPIOG- >PUPDR    &=  ~(0X3< 24);      //無上下拉

    //選擇復(fù)用的功能：復(fù)用為FSMC
    //復(fù)用功能選擇
    //PD:
    GPIOD- >AFR[0] &= 0XFF00FF00;
    GPIOD- >AFR[0]  |= 0x00cc00cc;        //PD0/1/4/5復(fù)用為FSMC

    GPIOD- >AFR[1] &= 0X00FFF000;
    GPIOD- >AFR[1] |= 0XCC000CCC;        //PD8/9/10/14/15復(fù)用為FSMC

    //PE:
    GPIOE- >AFR[0]  &= 0X0FFFFFFF;
    GPIOE- >AFR[0] |= 0XC0000000;          //PE7復(fù)用為FSMC

    GPIOE- >AFR[1] &= 0x00000000;
    GPIOE- >AFR[1] |= 0XCCCCCCCC;        //PE8-15復(fù)用，可以直接往AFR[1]中賦值

    //PF:
    GPIOF- >AFR[1] &= 0xfff0ffff;
    GPIOF- >AFR[1] |= 0X000C0000;          //PF12復(fù)用為FSMC

    //PG:
    GPIOG- >AFR[1] &= 0xfff0ffff;
    GPIOG- >AFR[1] |= 0X000C0000;          //PG12復(fù)用為FSMC

  //3. 開FSMC時(shí)鐘 
  RCC- >AHB3ENR  |= 1< 0;
  //4. 配置FSMC寄存器
      //BCR4
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] &= ~(1< 19);      //始終在異步模式下操作
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] &= ~(1< 15);      //不考慮等待信號
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] |= 1< 14;        //使能擴(kuò)展功能，即讀寫時(shí)序分開
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] &= ~(1< 13);      //禁止等待nWait信號
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] |= 1< 12;        //使能寫操作
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] &= ~(0x3< 4);
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] |= 1< 4;        //16位數(shù)據(jù)寬度 
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] &= ~(0x3< 2);      //存儲器類型為：SRAM

  //BTR4:
  //BTR4(讀時(shí)序)
    FSMC_Bank1- >BTCR[7]  &= ~(0x3< 28);      //異步模式A
    FSMC_Bank1- >BTCR[7] |= 0xf< 16;        //總線周轉(zhuǎn)階段持續(xù)時(shí)間為默認(rèn)值
    FSMC_Bank1- >BTCR[7] &= 0xffff00ff;
    FSMC_Bank1- >BTCR[7] |= 60< 8;        //DATAST為60HCLK
    FSMC_Bank1- >BTCR[7] |= 0xf< 0;        //ADDSET為15HCLK

    //BWTR(寫時(shí)序)
    FSMC_Bank1E- >BWTR[6] = 0;
    FSMC_Bank1E- >BWTR[6] &= ~(0x3< 28);      //異步模式A
    FSMC_Bank1E- >BWTR[6] |= 0xf< 16;      //總線周轉(zhuǎn)階段持續(xù)時(shí)間為默認(rèn)值
    FSMC_Bank1E- >BWTR[6] |= 3< 8;        //DATAST為3個(gè)HCLK
    FSMC_Bank1E- >BWTR[6] |= 3< 0;        //ADDSET為3個(gè)HCLK  

    //使能存儲塊
    FSMC_Bank1- >BTCR[6] |= 1< 0;  


    GPIOB- >BSRRH  = 0X1< 15;    //關(guān)背光
}

配置完FSMC，替代之前用IO口模擬8080時(shí)序的ILI9341GPIO初始化函數(shù)，并放入之前的圖片顯示和碰撞小球?qū)嶒?yàn)中，可以發(fā)現(xiàn)刷屏速度得到了很大的提高。

可以看到，F(xiàn)SMC操作LCD比GPIO模擬8080時(shí)序會(huì)快很多，可能有人會(huì)說硬件實(shí)現(xiàn)就是比軟件實(shí)現(xiàn)快。但其實(shí)不是這樣的，用軟件模擬時(shí)序，給出的延時(shí)與標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序可能不是完全一致，導(dǎo)致速度比較慢，如果用軟件模擬時(shí)序時(shí)使用邏輯分析儀對時(shí)序的延時(shí)時(shí)間進(jìn)行優(yōu)化，GPIO模擬8080時(shí)序也是可以達(dá)到FSMC的速度的，有興趣的可以自己嘗試一下。