NVMe SSD是未來的發(fā)展趨勢，隨著NVMe SSD在主存儲領域的大規(guī)模應用，面向NVMe SSD的存儲系統(tǒng)設計必將是一個熱門話題。RISL架構是一種NVMe SSD友好的存儲系統(tǒng)設計方法，符合了SSD的讀寫特性，可以很好的發(fā)揮SSD的性能優(yōu)勢。

　　閃存介質的大規(guī)模使用給傳統(tǒng)存儲系統(tǒng)的設計帶來了強烈的沖擊，傳統(tǒng)存儲系統(tǒng)的很多設計理念不再適用于閃存存儲系統(tǒng)。傳統(tǒng)存儲在設計過程中緊緊圍繞磁盤抖動問題，所以在數(shù)據(jù)布局方面會適應磁盤的順序讀寫特征。在設計過程中會大量采用內(nèi)存作為磁盤緩存，利用數(shù)據(jù)局部性特征過濾掉大量的磁盤操作，并且將小寫聚合成大寫;在IO調(diào)度器方面，通過LBA的調(diào)度將地址臨近的IO進行聚合，從而可以優(yōu)化IO Pattern，使得磁盤的讀寫操作具有更強的順序性;在磁盤內(nèi)部，通過NCQ方式減少磁頭的抖動，根據(jù)磁頭當前所在位置對輸入IO進行重新排序與調(diào)度，從而達到減少磁盤抖動的目的，提升磁盤訪問性能。但是在SSD這種介質上，磁盤所存在的IO特性已經(jīng)蕩然無存，傳統(tǒng)對磁盤所做的大量優(yōu)化并不能給SSD帶來價值，在有些情況下反而會影響性能。在基本存儲介質、存儲原理發(fā)生變革的情況下，存儲系統(tǒng)軟件的設計也需要做出調(diào)整，閃存系統(tǒng)設計一方面需要充分利用SSD帶來的價值，另一方面需要規(guī)避SSD所存在的問題?？偟膩碚f，如下圖所示，存儲系統(tǒng)設計需要緊緊圍繞應用與介質特性。磁盤和SSD相比存在一些共同的特性，但是各自又存在自己獨特的特性。為了更好的發(fā)揮SSD特性，滿足應用需求，需要設計面向SSD的存儲軟件系統(tǒng)。

　　面向SSD設計的存儲系統(tǒng)軟件，一方面需要發(fā)揮SSD的特性，另一方面需要規(guī)避SSD的問題。

　　NVMe SSD具有的特性可以歸納如下：

　　1， 具有極高的順序寫性能，一般的隨機寫性能。SSD內(nèi)部采用日志型的寫入方式，新寫入的數(shù)據(jù)都會被寫入到新的NAND單元，并且建立LBA與PBA之間的映射關系。正因為如此，SSD內(nèi)部存在垃圾回收機制，對無效LBA映射單元進行回收。垃圾回收會對SSD性能產(chǎn)生重大影響，通常所說的SSD穩(wěn)態(tài)性能，就是在SSD內(nèi)部垃圾回收單元正常運行情況下的測試結果。對于大塊順序寫來說，每次寫入的LBA都是連續(xù)的，因此可以大大簡化SSD內(nèi)部的垃圾回收運行機制，減少垃圾回收過程中的數(shù)據(jù)搬移操作，從而提升SSD的整體性能。對于隨機寫操作，LBA地址與PBA進行雜亂映射，垃圾回收過程中存在大量的數(shù)據(jù)搬移操作，一方面影響SSD的寫放大;另一方面會造成SSD性能下降。因此，對于NVMe SSD來說，順序寫性能要高于隨機寫性能。為了最大程度的發(fā)揮SSD性能，對SSD盡可能采用順序寫入的方式，并且采用與SSD內(nèi)部Data Frame對齊的大數(shù)據(jù)塊方式，這是對SSD最為友好的IO模式。

　　2， 具有極高的隨機讀性能。SSD內(nèi)部采用NANDFlash存儲介質，對于這種介質不存在類似磁盤的隨機讀問題。對于讀請求，在SSD內(nèi)部的固件首先將LBA轉換成PBA，然后從NAND介質上讀取數(shù)據(jù)。

　　通過SSD的讀寫特性分析，我們設計了以RISL架構為核心的存儲系統(tǒng)。RISL是Random Input Stream Layout的縮寫，該架構最大的特性是充分利用NVMeSSD的讀寫特性，將業(yè)務的隨機IO寫請求轉換成順序數(shù)據(jù)流寫入SSD。在RISL層將寫請求進行聚合，轉換成順序數(shù)據(jù)流之后再寫入存儲層，對于SSD而言可以做到順序寫入的效果，提升了SSD內(nèi)部固件的工作效率，從而提升系統(tǒng)整體性能。在讀請求處理方面，RISL內(nèi)部建立了請求映射表，通過請求映射表將用戶請求轉換至SSD請求，對于SSD而言實現(xiàn)了讀請求隨機訪問的目的。RISL架構的存儲系統(tǒng)框架如下圖所示：

　　RISL系統(tǒng)分成兩大部分，一部分是StorageService System，該部分負責寫請求順序化以及讀請求的映射處理，并且在寫請求處理過程中可以加入數(shù)據(jù)去重、壓縮等機制，更加高效的使用SSD存儲空間;另一部分是FlashRAID存儲層，對外提供存儲對象Container。FlashRAID提供的存儲對象分為兩大類，一類為Sealed Container，該類對象具備只讀特性;另一類為Active Container，具備可寫特性。寫數(shù)據(jù)流只會往Active Container中寫入數(shù)據(jù)，當Active Container被寫滿之后，該類對象會轉換成Sealed Container。為了保證在系統(tǒng)突然斷電情況下的數(shù)據(jù)一致性，設計采用了NVDIMM存儲介質，通過該介質對用戶數(shù)據(jù)進行聚合處理，將隨機的業(yè)務寫數(shù)據(jù)轉換成順序數(shù)據(jù)流。聚合完成的順序數(shù)據(jù)流通過數(shù)據(jù)去重引擎以及數(shù)據(jù)壓縮引擎進行數(shù)據(jù)縮減操作，提升SSD的利用率。在數(shù)據(jù)寫過程中會產(chǎn)生大量的元數(shù)據(jù)，這些元數(shù)據(jù)都具有小數(shù)據(jù)的特性，通過NVDIMM的聚合首先將元數(shù)據(jù)轉換成大數(shù)據(jù)塊，然后再寫入持久化SSD介質，這樣可以避免元數(shù)據(jù)操作引入的小寫問題。

　　對于讀操作，邏輯處理過程比較簡單，在RISL架構中維護了一個數(shù)據(jù)映射表格，通過該表格實現(xiàn)業(yè)務請求與SSD請求之間的映射。SSD請求在存儲介質上隨機分布，獲取并發(fā)讀取效果。RISL架構中的數(shù)據(jù)映射表格容量與存儲容量相關，為了提升IO性能，該映射表格通常會全部加載在內(nèi)存中。此外，該表格在寫處理過程中會對其進行修改，在讀操作過程中會對其進行檢索，因此，如何保證該表格的并發(fā)訪問是設計與實現(xiàn)的重點。

　　存儲系統(tǒng)的設計本質上就是數(shù)據(jù)布局的設計。從數(shù)據(jù)布局的角度來看RISL，其可以很好的與NVMe SSD的特性進行匹配。下圖所示是RISL架構的數(shù)據(jù)布局圖：

　　其中綠點表示讀請求，紅點表示寫請求。從圖中可以看出寫請求在SSD上具有很強的局部性，具備順序寫的特點;讀請求在SSD上具有很強的離散性。讀寫請求在SSD上沒有沖突，但是在NVDIMM中具有混合訪問特性，也就是說熱點數(shù)據(jù)在NVDIMM中進行處理，避免讀寫在SSD中沖突，從而可以緩解讀請求由于寫請求而引入的延遲的問題。從圖中也可以看出RISL架構的數(shù)據(jù)布局與磁盤存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)布局完全不同，從而也說明了RISL是一種面向SSD設計、SSD友好的存儲系統(tǒng)設計方法。

　　RISL架構設計還需要考慮的一個問題是數(shù)據(jù)回收（GarbageCollection）。由于RISL將用戶隨機寫請求轉換成了順序IO流，簡化了SSD內(nèi)部的數(shù)據(jù)回收操作，該問題被轉移到了系統(tǒng)層面去解決。由于系統(tǒng)層面離業(yè)務層更近，因此可以與業(yè)務進行配合更好的實現(xiàn)垃圾數(shù)據(jù)的回收。在面向Flash的存儲系統(tǒng)設計中，有一種設計思路是將底層的FTL轉移到系統(tǒng)層去實現(xiàn)，該想法的一個缺陷是需要定制化SSD，將NAND Flash的接口直接暴露給系統(tǒng)層。RISL架構可以在標準SSD上實現(xiàn)，但同樣可以在系統(tǒng)層實現(xiàn)垃圾數(shù)據(jù)塊的回收，并且可以與業(yè)務配合提升閃存存儲系統(tǒng)的性能。這是RISL架構的優(yōu)勢。

　　在RISL架構設計的基礎上，我們實現(xiàn)了閃存存儲系統(tǒng)的原型系統(tǒng)。如下圖所示，在多塊Intel NVMe SSD盤的基礎上，當寫IOPS達到80萬時，IO的平均延遲可以控制在160us左右。達到了高IOPS、低IO延遲的設計目標。