NAND Flash是一種非易失存儲器,也就是掉電不丟失類型,現在我們常見的存儲設備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機存儲等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32
2839 
概念理解:FLASH存儲器又成為閃存,它與EEPROM都是掉電后數據不丟失的存儲器,但是FLASH得存儲容量都普遍的大于EEPROM,,在存儲控制上,最主要的區(qū)別是FLASH芯片只能一大片一大片
2022-03-02 07:20:19
Flash存儲器分為哪幾類?Flash存儲器有什么特點?Flash與DRAM有什么區(qū)別?
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現擴展,由于Flash存儲器具有有限寫入次數的壽命限制,因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲器是一種基于浮柵技術的非揮發(fā)性半導體存儲器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲器 ,Flash存儲器具有自己獨特的優(yōu)點:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要對英飛凌XC886這款單片機的Flash進行讀寫,以下為簡要的幾點總結:一、Flash存儲器結構:XC886共有32KFlash,地址映射如下圖所示:共三塊P-Flash用來存儲程序
2022-01-26 06:46:26
存儲器:用來存放計算機中的所有信息:包括程序、原始數據、運算的中間結果及最終結果等。 只讀存儲器(ROM):只讀存儲器在使用時,只能讀出而不能寫入,斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲器:用來存放計算機中的所有信息:包括程序、原始數據、運算的中間結果及最終結果等。 只讀存儲器(ROM):只讀存儲器在使用時,只能讀出而不能寫入,斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放
2017-12-21 17:10:53
存儲器可劃分為哪幾類?存儲器的層次結構是如何構成的?存儲器芯片與CPU芯片是怎樣進行連接的?
2021-09-16 07:12:10
STM32的存儲器由哪些組成?怎樣去啟動STM32存儲器?
2021-09-24 07:03:23
閃爍 Delay_ms(300); LED2_OFF(); Delay_ms(300);}} } for(i=0;i<256;i++)//準備寫入FLASH存儲器的數據
2025-12-05 08:22:19
問題一:位圖都存儲在哪了?都在程序存儲器里嗎問題二:能不能將位圖存儲到外部內存中?問題三:F429的程序存儲器和數據存儲器有多大?
2020-05-20 04:37:13
LABVIEW與歐姆龍公司的E5CC溫控器串口通信怎樣寫入數據可以改變溫控器的值,通信手冊看不懂啊,清大神賜教。
2018-07-11 16:12:12
PIC的程序存儲器是FLASH存儲器,主要存儲程序代碼,掉電不丟失。數據存儲器是SRAM,主要存儲一些程序的變量,掉電丟失。EEPROM一般存儲程序中的重要數據,掉電也不丟失。區(qū)別:FLASH:只能
2021-11-24 08:12:26
大家好,之前玩過51,知道程序存在ROM,數據存在RAM,現在接觸STM32,在讀STM32F103ZET6的數據手冊時看到,BOOTLOADER存在系統(tǒng)存儲器,手冊上寫STM32F103ZET6有
2014-11-26 21:05:35
的EOP位,EOP為1時,表示操作成功。6.讀出所有頁并做驗證。擦完后所有數據位都為1。主存儲塊的編程 對主存儲塊編程每次可以寫入16位。當FLASH_CR寄存器的PG位為1時,在一個閃存地址寫入一個半
2015-11-23 17:03:47
。主存儲塊的編程 對主存儲塊編程每次可以寫入16位。當FLASH_CR寄存器的PG位為1時,在一個閃存地址寫入一個半字(16位)將啟動一次編程;寫入任何非半字的數據,FPEC都會產生總線錯誤。在編
2013-10-07 15:55:30
半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制,使其具備數據存儲保持功能的半導體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比,具有數據讀寫快存儲密度高耗電量少耐震等特點。關閉電源后存儲內容會丟失的存儲器稱作易失
2019-04-21 22:57:08
EEPROM的變種,變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。
狹義的EEPROM:
這種rom的特點是可以隨機訪問和修改任何一個字節(jié),可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM,掉電后數據不丟失
2023-05-19 15:59:37
我正在學習如何在微控制器斷電后使用 STM32L431CC FLASH 存儲器存儲數據。通過Keil編譯,我得到:程序大?。篊ode=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
Flash類型與技術特點有哪些?如何去選擇uClinux的塊驅動器?如何去設計Flash存儲器?
2021-04-27 06:20:01
/383681#M3607我要將數據矩陣存儲在fpga而不是LUT的塊存儲器中作為內存!因為基于我編寫的代碼中的上述鏈接,它使用LUT作為內存而不是fpga的塊內存。所以它的容量很低.....我需要更多的空間來存儲像素數據。能否指導我如何在塊存儲器中寫入和讀取矩陣?謝謝
2019-11-07 07:30:54
如題 謝謝單片機做web服務器但是有個數組的數據放不下stm32的flash想加外部存儲器 但是不知道何時讀取外部存儲器數據。。。。是不是我應該先了解什么時候要讀取數據發(fā)送出去?
2019-07-05 04:35:44
數據存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數據存儲器 片內RAM數據存儲器16M字節(jié)外部數據存儲器各有什么區(qū)別?特點?小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數據存儲器包含三部分,片內640字節(jié)的FLASH數據存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數據存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
有兩個問題請教板上各位大牛,謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒有程序存儲器,是不是必須要外接flash才能存入程序?
2、如果使用外接的flash程序存儲器,如何從外部設備啟動呢?有沒有這樣的例程或者手冊可以供我參考?我想外接一個flash存儲器(通過SPI或者EMIF外接)作為程序存儲器,謝謝!
2018-06-21 18:24:08
怎樣去設計DSP自動引導裝載系統(tǒng)的硬件?對FLASH存儲器進行燒寫有哪些步驟?怎樣使用FLASH存儲器去設計引導裝載系統(tǒng)?
2021-04-27 07:13:39
網絡存儲器技術是如何產生的?怎樣去設計一種網絡存儲器?
2021-05-26 07:00:22
將 Nand-Flash 或 EMMC 的塊寫壞。存儲器件掉電丟數據文件系統(tǒng)向存儲器寫數據時,常規(guī)是先將塊里的數據讀出來,擦除塊干凈后,將需要寫入的數據和之前讀出來的塊數據一起在回寫到存儲器里面去。如果設備
2020-09-16 10:58:10
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢,而且只能有限次的擦寫,寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲器不僅寫入速度慢,而且只能有限次的擦寫,寫入時功耗大。鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技術一樣,是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
同等程度以上的高速隨機存取性。因為寫人操作也采用了隧道方式,所以較小的寫入電流就可完成寫人操作。又因數據置換所需要的高電壓升壓電路可以設計于芯片內部,因此可以進行低電壓的單一電源操作。AND閃速存儲器
2018-04-09 09:29:07
的寫入次數、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度(允許其通過軟件變更來完成數據內存與程序內存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性,寫入速度快,無限次寫入,最關鍵是
2021-11-10 08:28:08
和用于讀取,寫入和擦除數據的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器,可以在字節(jié)級別讀取,寫入和擦除數據。另一方面Flash是EEPROM的一種,在結構上以塊的形式排列,在塊中
2023-04-07 16:42:42
沒用過大屏幕,7寸屏,800X480,256色,每屏要380K,如果要存儲10屏信息,就要3M多了,怎么將這些數據寫入外部FLASH?
2020-04-10 01:54:57
從C8 0 5 1F0 2 x Fl a s h 存儲器的結構可以知道,C8051F02x 的Flash 存儲器中,不僅具有64KB 的Flash 存儲器(其地址為0x0000~0xFFFF,該存儲器可以用來存儲程序代碼和非易失性數據),還有一
2009-04-15 10:50:33
124 論述了基于Freescale 32 位ColdFire 系列微處理器MCF5249 的Flash 存儲器擴展技術,以MCF5249對MX29LV160BT Flash 存儲器的擴展為例,介紹了擴展的原理,MCF5249 與MX29LV160BT 的硬件接口設計,Flash
2009-08-29 10:27:58
35 VxWorks 操作系統(tǒng)提供文件系統(tǒng)來訪問和管理Flash 存儲器,這種方式不能滿足實時寫入和系統(tǒng)可控的要求。本文提出一種通過接管系統(tǒng)時鐘中斷來控制Flash Memory 讀寫操作和基于管理區(qū)
2009-09-22 11:36:12
29 NAND FLASH開始廣泛應用于星載存儲器,針對FLASH的數據高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎,結合空間應用的數據存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:26
10 LM3S 系列微控制器Flash 存儲器應用
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng),該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數據的存儲。它在整個存儲器中所處的位置在最起始
2010-03-27 15:29:58
48 NAND FLASH開始廣泛應用于星載存儲器,針對FLASH的數據高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎,結合空間應用的數據存儲特點,引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:29
14 內建自測試是一種有效的測試存儲器的方法。分析了NOR型flash存儲器的故障模型和測試存儲器的測試算法,在此基礎上,設計了flash存儲器的內建自測試控制器??刂?b class="flag-6" style="color: red">器采用了一種23
2010-07-31 17:08:54
35 存儲器的種類很多,按存儲類型來分,可分為FLASH存儲器、EPROM存儲器、EEPROM存儲器、SRAM存儲器等。FLASH的特點是必擦除以后才能編程;EEPROM寫入速度較慢,通常為ms(毫秒)級,不
2010-08-09 14:52:20
59 Flash 存儲器的簡介
在眾多的單片機中都集成了 Flash 存儲器系統(tǒng),該存儲器系統(tǒng)可用作代碼和數據
2010-11-11 18:25:09
5395 
ARM嵌入式應用程序架構設計實例精講--ARM基礎應用實驗05Flash存儲器
2016-07-08 11:08:19
0 電子專業(yè)單片機相關知識學習教材資料——ARM基礎應用實驗05Flash存儲器
2016-09-13 17:23:28
0 FLASH存儲器又稱閃存 ,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存
2017-10-11 14:11:37
23692 FLASH存儲器(也就是閃存)就 是非易失隨機訪問存儲器(NVRAM),特點是斷電后數據不消失,因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內存是揮發(fā)性存儲器,分為DRAM和SRAM兩大類,其中常說的內存
2017-10-11 14:39:46
9157 FLASH存儲器又稱閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子
2017-10-11 15:16:17
16975 Flash存儲器技術趨于成熟,應用廣泛,它結合了OTP存儲器的成本優(yōu)勢和EEPROM的可再編程性能,是目前比較理想的存儲器。Flash存儲器具有電可擦除、無需后備電源來保護數據、可在線編程、存儲密度
2017-10-11 18:57:41
5324 
FLASH存儲器又稱閃存,是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,由于其斷電時仍能保存數據,FLASH存儲器通常被用來保存設置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:30
22518 )寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲器中,讓系統(tǒng)脫機運行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學者遇到并需要解決的問題。 從JTAG接口對DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150
2017-10-24 10:48:09
1 flash存儲器,及閃速存儲器,這一類型的存儲器具有速度快、方便等特點,是人們使用電腦辦公或者娛樂時必備的工具。
2017-10-30 08:54:34
34724 ,存儲器內的信息仍然存在,主要是閃存(Nand FLASH 和 NOR FLASH),NOR 主要應用于代碼存儲介質中,而 NAND 則用于數據存儲。
2018-04-09 15:45:33
113864 MSP430系列芯片中只集成了一個Flash模塊用作程序和數據存儲器。
2018-04-28 17:12:01
11 背景知識的情況下,可以比較簡單地使用大容量的NAND Flash存儲器,降低了使用NAND Flash存儲器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:00
4005 
FLASH存儲器(FLASH Memory)是非易失存儲器,即使在供電電源關閉后仍然能保留信 息, 可以對存儲器單元塊進行擦除和再編程,并且不需要額外的編程電壓。FLASH存儲器具有工 作電壓低、擦寫速度快、功耗低、壽命長、價格低廉、控制方法靈活、體積小等優(yōu)點。
2019-08-09 08:00:00
3972 
RAM英文名random access memory,隨機存儲器,之所以叫隨機存儲器是因為:當對RAM進行數據讀取或寫入的時候,花費的時間和這段信息所在的位置或寫入的位置無關。
2018-10-14 09:16:00
37993 據外媒報道,東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器(Storage Class Memory)解決方案:XL-Flash,該技術是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術和SLC。
2019-09-04 16:41:32
1643 隨著當前移動存儲技術的快速發(fā)展和移動存儲市場的高速擴大,FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點,在移動產品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:29
8221 
本篇文章存儲芯片供應商宇芯電子要介紹的是非易失性存儲器EEPROM與內存Flash消耗能量計算。 首先,我們來看看非易失性存儲器在典型的3.3V EEPROM寫入過程中所消耗的能量待機電流為1A
2020-09-11 16:07:02
1273 
在采用TI數字信號處理器(DSP)的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成,軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件(.Out),經過轉換后的十六進制文件(.Hex)寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲器中,讓系統(tǒng)脫機運行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學者遇到并需要解決的問題。
2020-09-09 18:42:51
3511 
相信有很多人都對計算機里的各種存儲器(ROM、RAM、FLASH 等等)傻傻分不清,就會存在,內存條是 dram 還是 nand?nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么?程序
2020-12-17 14:56:38
12674 Nand flash是flash存儲器的其中一種,Nand flash其內部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:08
5421 
Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器,其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:01
4410 只讀存儲器(Read-Only Memory,ROM)以非破壞性讀出方式工作,只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入后就固定下來,即使切斷電源,信息也不會丟失,所以又稱為固定存儲器。ROM所存數據
2020-12-07 14:42:08
50024 
半導體存儲器芯片中的只讀存儲器(Read Only Memory,ROM),是一種存儲固定信息的存儲器,在正常工作狀態(tài)下只能讀取數據,不能即時修改或重新寫入數據。
2020-12-28 15:33:03
7940 介紹了 Flash 存儲器的特性和應用場合 ,在16 位地址總線中擴展大容量存儲的一般方法。討論了 MCS-51 系列單片機與 Flash 存儲器的硬件接口方式和軟件編程過程 ,以及在應用中應該注意的問題 ,并以 W29C040為例 ,給出了實際原理圖和有關實現。
2021-03-18 09:50:04
7 的寫入次數、并為開發(fā)人員提供了一個全新的靈活度(允許其通過軟件變更來完成數據內存與程序內存的分區(qū))。鐵電存儲器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點多多:非易失性,寫入速度快,無限次寫入,最關鍵是
2021-11-05 17:35:59
18 PIC的程序存儲器是FLASH存儲器,主要存儲程序代碼,掉電不丟失。 數據存儲器是SRAM,主要存儲一些程序的變量,掉電丟失。 EEPROM一般存儲程序中的重要數據,掉電也不丟失
2021-11-16 13:06:01
13 。使用的開發(fā)板是STM32f10x系列,Flash芯片是W25Q64。二、簡介Flash是屬于非易失性存儲器,又稱為閃存,和EEPROM一樣都是掉電后數據不會丟失的存儲器。不過,Flash和EEPROM
2021-11-26 19:21:12
23 FRAM存儲器提供即時寫入功能,無限的耐用性和接近零的軟錯誤率,以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣,因為其使用解決了這些缺點。
2022-11-25 14:19:41
878 
存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。2001年,許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:35
2730 5?、Flash?存儲器(Flash)? 5.1?簡介? Flash?存儲器連接在?AHB?總線上,由?Flash?控制器統(tǒng)一管理,可對存儲器執(zhí)行取指、讀取、編程和擦除操作,并具有安全訪問機制和讀寫
2023-02-13 09:23:53
1911 
的時候仍然可以保持數據,而RAM通常都是在掉電之后就丟失數據,典型的RAM就是計算機的內存。1.1存儲器ROM介紹rom最初不能編程,出廠什么內容就永遠什么內容,
2023-05-19 17:04:36
1903 
TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響,實際TBW值可能會偏離理論值。
2023-07-25 14:18:26
4515 TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響,實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數,并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:19:39
1274 TBW是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響,實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數,并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:38:09
1373 
TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲器壽命和耐用性的重要指標。但由于寫入放大的影響,實際TBW值可能會偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數,并探討如何降低寫入放大對存儲器的影響。
2023-07-25 14:34:02
2811 
Flash存儲器是一種非易失性存儲器,即使在供電電源關閉后仍能保持片內信息。
2023-09-09 16:22:28
8172 摘要:本文主要對兩種常見的非易失性存儲器——NAND Flash和NOR Flash進行了詳細的比較分析。從存儲容量、性能、成本等方面進行了深入探討,以幫助讀者更好地理解這兩種存儲器的特性和應用。
2023-09-27 17:46:06
2633 隨著信息技術的飛速發(fā)展,數據存儲需求日益增長。作為一種新型的非易失性存儲器,NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢,在各個領域得到了廣泛應用。本文將對NAND Flash存儲器的工作原理、結構特點、性能指標及應用領域進行詳細解析,以期為讀者提供一個全面的了解。
2023-09-27 18:26:17
5563 為什么Nor Flash可以實現XIP,而Nand flash就不行呢? Flash存儲器是一種常用的非易失性存儲器,廣泛應用于各種電子設備中。它們的價值在于它們可以快速讀取和寫入數據,同時因為沒有
2023-10-29 16:32:58
2219 要求使用其他存儲設備,如Flash存儲器,來存儲數據。 Flash存儲器是一種非易失性存儲器,能夠長時間保存數據,即使在斷電情況下也能保存數據。它具有較高的讀寫速度和較低的功耗,適用于FPGA的數據存儲需求。 FPGA上的Flash存儲器一般通過SPI(串行
2023-12-15 15:42:51
4664 ,包括其結構、特點以及如何寫入數據。 一、STM32 Flash的結構 STM32 Flash存儲器通常被分為多個扇區(qū),每個扇區(qū)大小為2KB到256KB不等,根據不同的型號有所不同。每個扇區(qū)可以獨立進行
2024-01-31 15:46:03
3729 Flash存儲器的寫操作具有特殊性,它只能將數據位從1寫成0,而不能從0寫成1。因此,在對存儲器進行寫入操作之前,必須先執(zhí)行擦除操作,將預寫入的數據位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28
6370 
CW32L052內部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用,可用來存儲應用程序和用戶數據。芯片支持對 FLASH 存儲器的讀、擦除和寫操作,支持擦寫保護和讀保護。芯片內置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路,無須額外提供編程電壓。
2024-02-28 17:43:59
1427 
可編程只讀存儲器)和Flash存儲器是兩種常見的非易失性存儲器,它們具有各自的特點和應用場景。本文將深入分析和比較EEPROM與Flash存儲器的原理、結構、性能以及應用,以期為讀者提供全面而深入的理解。
2024-05-23 16:35:36
10922 NAND Flash作為一種基于NAND技術的非易失性存儲器,具有多個顯著優(yōu)點,這些優(yōu)點使其在數據存儲領域得到了廣泛應用。以下是對NAND Flash優(yōu)點的詳細闡述,并簡要探討與其他類型存儲器的區(qū)別。
2024-08-20 10:24:44
1952 鐵電存儲器(Ferroelectric RAM, FRAM)與閃存(Flash)是兩種不同類型的非易失性存儲器,它們在工作原理、性能特點、應用場景等方面存在顯著的差異。
2024-09-29 15:25:32
4375 PROM(可編程只讀存儲器)是一種早期的非易失性存儲器技術,它允許用戶通過特定的編程過程將數據寫入存儲器中,一旦寫入,這些數據在沒有擦除操作的情況下不能被改變。隨著技術的發(fā)展,PROM已經被更先進
2024-11-23 11:18:46
2414
評論