因為英特爾14納米x86 CPU 產能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，加上3D NAND轉到96層及DRAM轉到19納米以下制程工藝的產能增加，等等因素疊加造成明年內存DRAM和閃存NAND預計將會有3－5％的供過于求，價格下行趨勢確立，而將造成2019年整體存儲器芯片產業(yè)同比衰退5－9％及全球半導體產業(yè)同比衰退1－4％。但此次下行趨勢預計不超過18個月。

美光預估第四季度前景低于市場預期

美光預期第四季度銷售環(huán)比衰退2－6％，同比成長降速為16－22％（低于第三季度的38％同比成長），并且低于市場預期近4％。雖然美光預期57－60％毛利，49％營業(yè)利益，44％的凈利率都與市場預期相同，但遠低于前兩季度的61％毛利，51－52％營業(yè)利益，49－51％的凈利率。美光認為第四季度銷售低于預期是因為英特爾14納米x86 CPU 短缺可能持續(xù)到明年第一季度（我們認為英特爾應該是短暫將產能轉去幫蘋果三款新手機做XMM7560基頻芯片）而造成某些特定客戶開始清除因之前擔心漲價而多建的庫存，可能將持續(xù)數(shù)季度， 加上美國提高關稅的不利影響。而在產業(yè)下行趨勢拐點出現(xiàn)后，美光竟然提高2019年資本支出同比成長16％到105億美金，預計透過96層3D NAND閃存的技術演進將閃存產能位元成長率（bit growth）拉高到超過40％（高于產業(yè)平均的35－40％同比成長）。

供給過剩，價格下行趨勢確立

因為英特爾14納米x86 CPU 產能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，但加上3D NAND閃存轉到96層及DRAM內存轉到19納米以下制程工藝的產能增加，預估明年內存DRAM （23－25％供給vs． 20％需求）和閃存NAND（43－45％ 供給vs． 40％需求）將會有3－5％的供過于求，價格下行趨勢確立，預期在未來12個月內，DRAM內存每位元現(xiàn)貨價格（bit price）同比將衰退超過20％，NAND閃存現(xiàn)貨價格同比將衰退超過40％，而將造成2019年整體存儲器芯片產業(yè)同比衰退5－9％及全球半導體產業(yè)同比衰退1－4％（但邏輯芯片將持續(xù)成長）。我們的預估是比存儲器產業(yè)研究機構DRAMeXchange對明年存儲器芯片產業(yè)5％的同比成長預估（DRAM 7％ 同比成長，NAND同比零成長）來的悲觀許多，但DRAMeXchange最新出爐的報告也因近期供過于求，而下修今年第四季度的DRAM合約價格預期，從1－3％價格環(huán)比下跌下修到5％的價格下跌。

這次下行趨勢有多糟？

雖然存儲器價格下行趨勢確立，但我們預估此次下行趨勢應不超過18個月，英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應會于明年中之前改善，10納米x86 CPU應于明年下半年量產，AMD 7納米x86 CPU， 7納米挖礦機及智能手機，5G手機等都將于明年出籠取代中低階機種及對存儲器半導體產生正面影響。因此我們預估大多數(shù)的內閃存存儲器半導體公司會面對營業(yè)利潤率從近50％的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。

對中國產業(yè)的影響？

雖然主流DRAM和3D NAND的下跌對NOR，SLC （Single－Level Cell， 單層單元閃存） NAND都會造成不良的影響，但只要這次下行趨勢不超過18個月，主流存儲器芯片大廠不步入虧損，預期主流存儲器廠商不會將大量產能轉入利基型NOR和SLC NAND閃存市場而造成其價格崩跌。預計NOR和SLC NAND閃存領導廠商旺宏，華邦，兆易創(chuàng)新，武漢新芯將持續(xù)將產品從價格及獲利下行的中、低密度NOR轉為價格及獲利較好的高密度NOR和SLCNAND，而讓相關廠商同比獲利衰退幅度相對較小。但此下行趨勢對明年即將量產的中國主流存儲器芯片大廠長江存儲（3DNAND）， 合肥長鑫（Mobile DRAM），福建晉華（NicheDRAM）當然是雪上加霜。