三星新一代860 QVO系列固態(tài)硬盤于今日上架美國官網，作為三星首款面向消費者的QLC固態(tài)硬盤，它采用傳統(tǒng)的2.5寸盤規(guī)格，內部為三星自主MJX主控、三星自產V-NAND QLC閃存顆粒，容量規(guī)格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建議零售價149.99美元。

從官方宣布的參數(shù)來看，三星860 QVO固態(tài)硬盤由于受限于SATA3 6.0Gbps的傳輸協(xié)議，持續(xù)讀寫最高550MB/s、520MB/s ，隨機讀寫最高97000 IOPS、89000 IOPS。此外1TB、2TB、4TB版本的TBW（總寫入量）分別為360TB、720TB、1440TB，三星還提供了三年質保。

很多玩家對QLC不太熟悉，那么QLC是什么呢？隨著如今時代數(shù)據(jù)的指數(shù)式增長，對于存儲產品的存儲能力要求自然也是水漲船高。在經歷了增加閃存的架構層數(shù)的嘗試后，各大閃存廠商已經早早把眼光盯上了存儲單元的數(shù)據(jù)存儲量方面。固態(tài)硬盤的閃存也從SLC、MLC過渡到TLC，再到如今的QLC。

QLC是一個cell單元可以存儲4位電荷，有16種狀態(tài)。我們知道，TLC閃存是每個Cell單元存儲3位電荷，有8種狀態(tài)，以此類推，MLC是4種狀態(tài)，SLC是2種狀態(tài)。同樣QLC閃存相當于相同的體積存儲量為TLC的2倍，MLC的4倍，SLC的8倍。

由于在QLC中，電荷擁有16種狀態(tài)，相對應的判斷單元屬性的時間當然會比判斷SLC的2種狀態(tài)時間來的長，而且也讓NAND的操作電壓必須增加至16種狀態(tài)，相對應的電壓提升對NAND顆粒的損耗自然也是加劇，所以這解釋了QLC可靠性低，壽命短，讀寫慢的問題。

但是QLC最大的優(yōu)點就是存儲的數(shù)據(jù)量多，現(xiàn)如今信息已經偏向視頻化傳播，數(shù)據(jù)存儲服務器所需要的數(shù)據(jù)承載量也是日益增大，如今的3A游戲大作也是動輒數(shù)十GB乃至上百GB，對于硬盤的存量容量也是擁有極大要求，相比較與機械硬盤與TLC固態(tài)硬盤，一個傳輸速度慢，一個購置成本高，或許QLC才是新時代的主流選擇。