英飛凌最新推出——OptiMOS線性FET，作為市場(chǎng)上首次將現(xiàn)代溝槽MOSFET的低RDS(on)與平面MOSFET的寬安全工作區(qū)(SOA)相結(jié)合的技術(shù)，創(chuàng)新解決了RDS(on)與線性模式功能之間的平衡問(wèn)題。

OptiMOS線性FET可在增強(qiáng)模式MOSFET的飽和區(qū)工作，是熱插拔應(yīng)用電熔絲和電池保護(hù)應(yīng)用的理想解決方案，此類(lèi)應(yīng)用要求低導(dǎo)通損耗，并且必須在不降低器件性能或不損壞器件的前提下處理高啟動(dòng)電流能力。因此，OptiMOS線性FET最適合電信和電池管理系統(tǒng)（BMS）中常見(jiàn)的熱插拔、電子熔斷器和保護(hù)應(yīng)用。

PART

01

主要特性

低RDS(on)和寬安全工作區(qū)(SOA)的結(jié)合；

01

RDS(on)比較

在RDS(on)性能上面， OptiMOS線性FET100 V 比起最佳替代產(chǎn)品的要降低高達(dá)58%。此外，在48V到56V的電壓下（通信系統(tǒng)中的典型輸出電壓范圍）測(cè)量可以得到更寬的SOA。

02

安全工作區(qū)(SOA)比較

OptiMOS 5 100 V，1.7 mΩ的功率MOSFET的安全工作區(qū)為0.5 A，在相同RDS(on)上的OptiMOS線性FET版本提供11.5 A的更寬的SOA（安全工作區(qū)）(@ 54 V, 10 ms)。

較高的最大脈沖電流；

較高的連續(xù)脈沖電流；

PART02

主要優(yōu)勢(shì)

穩(wěn)健的線性模式操作

低導(dǎo)通損耗

更高的沖擊

PART

03

產(chǎn)品系列與封裝

英飛凌OptiMOS線性場(chǎng)FET包含三個(gè)電壓等級(jí)：100V、150V和200V。

它們都可采用D2PAK或D2PAK 7pin封裝，這些行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝兼容簡(jiǎn)易替換元件。

D2PAK封裝

D2PAK 7pin封裝